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    Nonvolatile memory devices and methods of driving the same
    33.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices and methods of driving the same 有权
    非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：US08947905B2

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13523429

    申请日：2012-06-14

    申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

    发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

    摘要： A method of driving a nonvolatile memory device including applying a reset voltage to a unit memory cell, reading a reset current of the unit memory cell, confirming whether the reset current is within a first current range, if the reset current is not within the first current range, changing the reset voltage and applying a changed reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell, if the reset current is within the first current range, confirming whether a difference between the present reset current and an immediately previous set current is within a second current range, and, if the difference is not within the second current range, applying the reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell.

    摘要翻译： 一种驱动非易失性存储器件的方法，包括：将复位电压施加到单元存储单元，读取单元存储单元的复位电流，确认复位电流是否在第一电流范围内，如果复位电流不在第一电流范围内 电流范围，如果复位电流在第一电流范围内，则改变复位电压并施加改变的复位电压或再次将施加设定电压的复位电压施加到单元存储单元， 在当前复位电流和紧接在前的设定电流之间的电流在第二电流范围内，并且如果该差值不在第二电流范围内，则在应用组合之后施加复位电压或再次施加复位电压到单元存储单元 电压到单元存储单元。

    Memory devices and methods of operating the same
    35.
    发明授权
    Memory devices and methods of operating the same 有权
    内存设备及操作方法

    公开(公告)号：US08456900B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12926443

    申请日：2010-11-18

    申请人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    发明人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A memory device includes a memory cell. The memory cell includes: a bipolar memory element and a bidirectional switching element. The bidirectional switching element is connected to ends of the bipolar memory element, and has a bidirectional switching characteristic. The bidirectional switching element includes: a first switching element and a second switching element. The first switching element is connected to a first end of the bipolar memory element and has a first switching direction. The second switching element is connected to a second end of the bipolar memory element and has a second switching direction. The second switching direction is opposite to the first switching direction.

    摘要翻译： 存储器件包括存储器单元。 存储单元包括：双极存储元件和双向开关元件。 双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并且具有双向开关特性。 双向开关元件包括：第一开关元件和第二开关元件。 第一开关元件连接到双极存储元件的第一端并且具有第一开关方向。 第二开关元件连接到双极存储元件的第二端并具有第二开关方向。 第二切换方向与第一切换方向相反。

    Resistive random access memory device
    40.
    发明授权
    Resistive random access memory device 有权
    电阻随机存取存储器件

    公开(公告)号：US08035095B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12007013

    申请日：2008-01-04

    申请人： Jung-hyun Lee ,  Myoung-jae Lee

    发明人： Jung-hyun Lee ,  Myoung-jae Lee

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/79

    摘要： Provided is a resistive random access memory device that includes a storage node connected to a switching device. The resistive random access memory device includes a first electrode, a resistance variable layer, and a second electrode which are sequentially stacked, wherein a diffusion blocking layer is formed between the first electrode and the resistance variable layer or between the resistance variable layer or/and the second electrode.

    摘要翻译： 提供了一种电阻随机存取存储器件，其包括连接到开关器件的存储节点。 电阻式随机存取存储器件包括依次堆叠的第一电极，电阻变化层和第二电极，其中在第一电极和电阻变化层之间或电阻变化层之间或/或电阻变化层之间形成扩散阻挡层 第二电极。