公开(公告)号：US07875534B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12191013

申请日：2008-08-13

申请人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a buffer/nucleation layer over the substrate; forming a group-III nitride (III-nitride) layer over the buffer/nucleation layer; and subjecting the III-nitride layer to a nitridation. The step of forming the III-nitride layer comprises metal organic chemical vapor deposition.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供基板; 在衬底上形成缓冲/成核层; 在缓冲/成核层上形成III族氮化物（III族氮化物）层; 并对该III族氮化物层进行氮化。 形成III族氮化物层的步骤包括金属有机化学气相沉积。

公开(公告)号：US20100032718A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12189562

申请日：2008-08-11

申请人： Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor structure includes a substrate and a conductive carrier-tunneling layer over and contacting the substrate. The conductive carrier-tunneling layer includes first group-III nitride (III-nitride) layers having a first bandgap, wherein the first III-nitride layers have a thickness less than about 5 nm; and second III-nitride layers having a second bandgap lower than the first bandgap, wherein the first III-nitride layers and the second III-nitride layers are stacked in an alternating pattern. The semiconductor structure is free from a III-nitride layer between the substrate and the conductive carrier-tunneling layer. The semiconductor structure further includes an active layer over the conductive carrier-tunneling layer.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底和与衬底接触的导电载体隧穿层。 导电载体隧穿层包括具有第一带隙的第一III族氮化物（III族氮化物）层，其中第一III族氮化物层具有小于约5nm的厚度; 和具有比第一带隙低的第二带隙的第二III族氮化物层，其中第一III族氮化物层和第二III族氮化物层以交替图案堆叠。 半导体结构在衬底和导电载体 - 隧穿层之间不含III族氮化物层。 半导体结构还包括在导电载体 - 隧穿层上的有源层。

公开(公告)号：US20100015787A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12191013

申请日：2008-08-13

申请人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a buffer/nucleation layer over the substrate; forming a group-III nitride (III-nitride) layer over the buffer/nucleation layer; and subjecting the III-nitride layer to a nitridation. The step of forming the III-nitride layer comprises metal organic chemical vapor deposition.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供基板; 在衬底上形成缓冲/成核层; 在缓冲/成核层上形成III族氮化物（III族氮化物）层; 并对该III族氮化物层进行氮化。 形成III族氮化物层的步骤包括金属有机化学气相沉积。

公开(公告)号：US20100001302A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12166020

申请日：2008-07-01

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ding-Yuan Chen ,  Chia-Lin Yu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ding-Yuan Chen ,  Chia-Lin Yu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/32

摘要： A device structure includes a substrate; a group-III nitride layer over the substrate; a metal nitride layer over the group-III nitride layer; and a light-emitting layer over the metal nitride layer. The metal nitride layer acts as a reflector reflecting the light emitted by the light-emitting layer.

摘要翻译： 一种器件结构包括：衬底; 在衬底上的III族氮化物层; III族氮化物层上的金属氮化物层; 以及金属氮化物层上方的发光层。 金属氮化物层用作反射由发光层发射的光的反射器。

公开(公告)号：US08815618B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US12541787

申请日：2009-08-14

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/01078 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2275

摘要： A light-emitting diode (LED) device is provided. The LED device is formed by forming an LED structure on a first substrate. A portion of the first substrate is converted to a porous layer, and a conductive substrate is formed over the LED structure on an opposing surface from the first substrate. The first substrate is detached from the LED structure along the porous layer and any remaining materials are removed from the LED structure.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）装置。 LED器件通过在第一衬底上形成LED结构而形成。 将第一衬底的一部分转换成多孔层，并且在与第一衬底相对的表面上的LED结构上形成导电衬底。 第一衬底沿着多孔层与LED结构分离，并且从LED结构中去除任何剩余的材料。

公开(公告)号：US08742441B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12547428

申请日：2009-08-25

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20

摘要： A light-emitting diode (LED) device is provided. The LED device has a substrate and an LED structure overlying the substrate. Embedded elements are embedded within one or more layers of the LED structure. In an embodiment, the embedded elements include a dielectric material extending through the LED structure such that the embedded elements are surrounded by the LED structure. In another embodiment, the embedded elements only extend through an upper layer of the LED structure, or alternatively, partially through the upper layer of the LED structure. Another conductive layer may be formed over the upper layer of the LED structure and the embedded elements.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）装置。 LED器件具有衬底和覆盖衬底的LED结构。 嵌入式元件嵌入LED结构的一层或多层内。 在一个实施例中，嵌入元件包括延伸穿过LED结构的电介质材料，使得嵌入元件被LED结构包围。 在另一个实施例中，嵌入式元件仅延伸穿过LED结构的上层，或者部分地穿过LED结构的上层。 另外的导电层可以形成在LED结构的上层和嵌入元件上。

公开(公告)号：US08525216B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13269968

申请日：2011-10-10

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a carrier substrate, which includes a first through-via and a second through-via. Each of the first through-via and the second through-via extends from a first surface of the carrier substrate to a second surface of the carrier substrate opposite the first surface. The circuit structure further includes a light-emitting diode (LED) chip bonded onto the first surface of the carrier substrate. The LED chip includes a first electrode and a second electrode connected to the first through-via and the second through-via, respectively.

摘要翻译： 电路结构包括载体基板，其包括第一通孔和第二通孔。 第一通孔和第二通孔中的每一个从载体衬底的第一表面延伸到与第一表面相对的载体衬底的第二表面。 电路结构还包括结合到载体基板的第一表面上的发光二极管（LED）芯片。 LED芯片包括分别连接到第一通孔和第二通孔的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：US20100051972A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12535525

申请日：2009-08-04

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a carrier substrate, which includes a first through-via and a second through-via. Each of the first through-via and the second through-via extends from a first surface of the carrier substrate to a second surface of the carrier substrate opposite the first surface. The circuit structure further includes a light-emitting diode (LED) chip bonded onto the first surface of the carrier substrate. The LED chip includes a first electrode and a second electrode connected to the first through-via and the second through-via, respectively.

摘要翻译： 电路结构包括载体基板，其包括第一通孔和第二通孔。 第一通孔和第二通孔中的每一个从载体衬底的第一表面延伸到与第一表面相对的载体衬底的第二表面。 电路结构还包括结合到载体基板的第一表面上的发光二极管（LED）芯片。 LED芯片包括分别连接到第一通孔和第二通孔的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：US08525200B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12269497

申请日：2008-11-12

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10

摘要： A light-emitting diode (LED) device is provided. The LED device has a substrate, a reflective structure over the substrate, and an LED structure over the reflective structure. The reflective structure is formed of non-metallic materials. In one embodiment, the reflective structure is formed of alternating layers of different non-metallic materials having different refractive indices. In another embodiment, the reflective structure is formed of alternating layers of high-porosity silicon and low-porosity silicon. In yet another embodiment, the reflective structure is formed of silicon dioxide, which may allow the use of fewer layers. The reflective structure may be formed directly on the same substrate as the LED structure or formed on a separate substrate and then bonded to the LED structure.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）装置。 LED器件具有衬底，衬底上的反射结构以及反射结构上的LED结构。 反射结构由非金属材料形成。 在一个实施例中，反射结构由具有不同折射率的不同非金属材料的交替层形成。 在另一个实施例中，反射结构由高孔隙率硅和低孔隙率硅的交替层形成。 在另一个实施例中，反射结构由二氧化硅形成，其可以允许使用更少的层。 反射结构可以直接形成在与LED结构相同的基板上，或者形成在单独的基板上，然后结合到LED结构。

公开(公告)号：US20120025222A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13269968

申请日：2011-10-10

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a carrier substrate, which includes a first through-via and a second through-via. Each of the first through-via and the second through-via extends from a first surface of the carrier substrate to a second surface of the carrier substrate opposite the first surface. The circuit structure further includes a light-emitting diode (LED) chip bonded onto the first surface of the carrier substrate. The LED chip includes a first electrode and a second electrode connected to the first through-via and the second through-via, respectively.

摘要翻译： 电路结构包括载体基板，其包括第一通孔和第二通孔。 第一通孔和第二通孔中的每一个从载体衬底的第一表面延伸到与第一表面相对的载体衬底的第二表面。 电路结构还包括结合到载体基板的第一表面上的发光二极管（LED）芯片。 LED芯片包括分别连接到第一通孔和第二通孔的第一电极和第二电极。