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    Angle cavity resonant photodetector
    31.
    发明授权
    Angle cavity resonant photodetector 失效
    角腔谐振光电探测器

    公开(公告)号：US06365430B1

    公开(公告)日：2002-04-02

    申请号：US09634743

    申请日：2000-08-09

    申请人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson

    发明人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L31/02327 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

    摘要： An angle cavity resonant photodetector assembly (8), which uses multiple reflections of light within a photodetector (14) to convert input light into an electrical signal. The photodetector (14) has a combination of generally planar semiconductor layers including semiconductor active layers (20) where light is converted into an electrical output. The photodetector (14) is positioned relative to a waveguide (10), where the waveguide (10) has a waveguide active layer (22) located between a pair of waveguide cladding layers (24) and (26) and includes a first end (28) for receiving light and a second end (30) for transmitting the light to the photodetector (14). The photodetector (14) has a first reflector (12) and second reflector (16) that provides for multiple reflections across the semiconductor active layers (20). In another embodiment, the waveguide (10) is positioned on one side of a cavity (58) and the photodetector (64) is positioned at an opposite end of the cavity (58) such that the light from the waveguide (10) travels across the cavity (58). The photodetector (64) is angled relative to the propagation direction of the light. The photodetector includes the first reflector (62) and the second reflector (68), which causes the light to pass through different areas of the photodetector active layers (72).

    摘要翻译： 角度腔谐振光电检测器组件（8），其在光电检测器（14）内使用光的多次反射将输入光转换成电信号。 光电检测器（14）具有包括半导体有源层（20）的大致平面的半导体层的组合，其中光被转换成电输出。 光电检测器（14）相对于波导（10）定位，其中波导（10）具有位于一对波导覆层（24）和（26）之间的波导有源层（22），并且包括第一端 28）和用于将光传输到光电检测器（14）的第二端（30）。 光电检测器（14）具有第一反射器（12）和第二反射器（16），其提供穿过半导体有源层（20）的多次反射。 在另一个实施例中，波导（10）定位在空腔（58）的一侧，并且光电检测器（64）位于空腔（58）的相对端，使得来自波导（10）的光穿过 空腔（58）。 光电检测器（64）相对于光的传播方向成角度。 光检测器包括第一反射器（62）和第二反射器（68），其使光通过光电检测器有源层（72）的不同区域。

    Resonant photodetector
    32.
    发明授权
    Resonant photodetector 有权
    共振光电探测器

    公开(公告)号：US06323480B1

    公开(公告)日：2001-11-27

    申请号：US09238817

    申请日：1999-01-28

    申请人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson ,  William L. Jones

    发明人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson ,  William L. Jones

    IPC分类号： H01L310232

    CPC分类号： G02B6/4214 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327

    摘要： A resonant photodetector assembly (10) which uses multiple reflections of light within a photodetector (20) to convert input light into an electrical signal. The photodetector (20) includes a combination of generally planar semiconductor layers including a photodetector active layer (36) where light is converted into an electrical output. The photodetector (20) further includes a first outer electrical contact layer (34) and a second outer electrical contact layer (42). A waveguide (22) is positioned on the photodetector (20) and has a waveguide active layer (26) positioned between a pair of waveguide cladding layers (24, 28), a first end (30) for receiving input light and a second end (50) for reflecting the light. A reflector (32) is positioned on the second end (50) of the waveguide (22) at an angle relative to a line parallel to the substrate (14), where the reflector (32) reflects the light received by the first end (30) of the waveguide active layer (26) towards the photodetector (20). A reflector (38) is positioned on the second outer layer (42) of the photodetector (20) and provides a reflective surface for reflecting the light within the photodetector (20).

    摘要翻译： 一种谐振光电检测器组件（10），其在光电检测器（20）内使用多个光反射，以将输入光转换成电信号。 光电检测器（20）包括大体上平面的半导体层的组合，其包括光被转换成电输出的光电检测器有源层（36）。 光电检测器（20）还包括第一外部电接触层（34）和第二外部电接触层（42）。 波导（22）位于光电检测器（20）上并且具有位于一对波导覆层（24,28）之间的波导有源层（26），用于接收输入光的第一端（30）和用于接收输入光的第二端 （50），用于反射光。 反射器（32）相对于平行于衬底（14）的线以一定角度定位在波导（22）的第二端（50）上，其中反射器（32）反射由第一端接收的光 波导有源层（26）的光束（30）向光检测器（20）施加。 反射器（38）位于光电检测器（20）的第二外层（42）上，并提供用于在光电检测器（20）内反射光的反射表面。

    Micro-miniature switch apparatus
    33.
    发明授权
    Micro-miniature switch apparatus 失效
    微型开关装置

    公开(公告)号：US06291908B1

    公开(公告)日：2001-09-18

    申请号：US09413402

    申请日：1999-10-06

    申请人： Dean Tran ,  John Joseph Berenz ,  Luis M. Rochin ,  Thomas J. Roth ,  Ronald A. DePace

    发明人： Dean Tran ,  John Joseph Berenz ,  Luis M. Rochin ,  Thomas J. Roth ,  Ronald A. DePace

    IPC分类号： H01H3514

    CPC分类号： H01H1/0036 ,  H01H35/14 ,  Y10T307/74 ,  Y10T307/799

    摘要： A micro-miniature switch apparatus (10) includes a substrate (12) having a surface (14) with first and second channels (16, 18) extending from the surface (14) into the substrate (12). The first and second channels (16, 18) are spaced apart from each other, with a channel axis (20) extending longitudinally through the first and second channels (16, 18). A body (68) that is movable relative to the substrate (12) includes two arms (70, 72). Each of the arms (70, 72) extends into one of the first and second channels (16, 18) to support the body (68) for movement relative to the substrate (12) between first and second electrical conditions of the switch apparatus (10).

    摘要翻译： 微型开关装置（10）包括具有表面（14）的基板（12），其具有从表面（14）延伸到基板（12）中的第一和第二通道（16,18）。 第一和第二通道（16,18）彼此间隔开，通道轴线（20）纵向延伸穿过第一和第二通道（16,18）。 可相对于基板（12）移动的主体（68）包括两个臂（70,72）。 每个臂（70,72）延伸到第一和第二通道（16,18）中的一个中，以支撑主体（68）在开关装置的第一和第二电气条件之间相对于基板（12）移动 10）。

    Electromagnetic force controlled micromirror array
    34.
    发明授权
    Electromagnetic force controlled micromirror array 有权
    电磁力控制微镜阵列

    公开(公告)号：US06181460B2

    公开(公告)日：2001-01-30

    申请号：US09195534

    申请日：1998-11-18

    申请人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson ,  William L. Jones

    发明人： Dean Tran ,  Edward A. Rezek ,  Eric R. Anderson ,  William L. Jones

    IPC分类号： G02B2600

    CPC分类号： G02B26/0841 ,  Y10S359/904

    摘要： A micromirror device (10) is provided with a rotatable optical component (22) for use in a digital image processing application. The micromirror device (10) includes a semiconductor wafer (12), having a recess (14) formed therein, and a platform (20) with the optical component (22) deposited thereon that is movably coupled to the side surface of the recess (14). A first magnetic field source (24) is disposed around the periphery of the optical component (22) on the platform (20) and a second magnetic field source (26) is disposed proximate to this first magnetic field source (24), such that these magnetic field sources are selectively activatable to generate an electromagnetic field for rotating the platform (20). More specifically, the second magnetic field source (26) is disposed on the angular side surfaces of the recess (14) or adjacent to the recess (14) on a top surface of the wafer (12). A magnetic strip (30) may optionally be disposed on the bottom surface of the recess (14) for concentrating the electromagnetic field.

    摘要翻译： 微镜装置（10）设置有用于数字图像处理应用的可旋转光学部件（22）。 微镜器件（10）包括其中形成有凹部（14）的半导体晶片（12）和沉积有其上的光学部件（22）的平台（20），该平台可移动地联接到凹部的侧表面 14）。 第一磁场源（24）围绕平台（20）上的光学部件（22）的周边设置，并且第二磁场源（26）设置在靠近该第一磁场源（24）的位置，使得 这些磁场源可选择性地激活以产生用于旋转平台（20）的电磁场。 更具体地，第二磁场源（26）设置在凹槽（14）的角度侧表面上或与晶片（12）的顶表面上的凹部（14）相邻。 磁条（30）可以可选地设置在凹部（14）的底表面上，用于集中电磁场。

    Method for producing a micro optical semiconductor lens
    37.
    发明授权
    Method for producing a micro optical semiconductor lens 失效
    微光半导体透镜的制造方法

    公开(公告)号：US5853960A

    公开(公告)日：1998-12-29

    申请号：US40636

    申请日：1998-03-18

    申请人： Dean Tran ,  Eric R. Anderson ,  Ronald L. Strijek ,  Edward A. Rezek

    发明人： Dean Tran ,  Eric R. Anderson ,  Ronald L. Strijek ,  Edward A. Rezek

    IPC分类号： H01L33/00 ,  G02B1/11 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0304

    CPC分类号： G02B3/04 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/005 ,  G02B3/0056 ,  H01L31/0232 ,  H01L27/14643

    摘要： The invention relates to a method for fabricating III-V semiconductor micro-optical lenses for hybrid integration with micro-optical devices, where a micro-optical lens is formed from a semiconductor wafer by selectively etching a surface of the semiconductor wafer and a lens arm is formed from the semiconductor wafer on a surface opposite the surface by selectively etching the surface of the semiconductor wafer. The lens and lens arm are then cleaved from the substrate wafer and directly mounted to a micro-optical device. As a result of using III-V semiconductor material to form micro-optical lenses for hybrid integration to micro-optical devices of the same semiconductor material, thermal expansion stability is increased and efficient transfer of light between micro-optical lenses and micro-optical devices is achieved.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造与微型光学器件混合集成的III-V半导体微光学透镜的方法，其中通过选择性地蚀刻半导体晶片的表面和半导体晶片的表面从半导体晶片形成微光学透镜， 通过选择性地蚀刻半导体晶片的表面，在与表面相对的表面上由半导体晶片形成。 然后将透镜和透镜臂从基底晶片切割并直接安装到微光学装置。 作为使用III-V族半导体材料形成用于与同一半导体材料的微型光学器件进行混合集成的微光学透镜的结果，热膨胀稳定性增加，并且在微光学透镜和微光学器件之间有效传输光 已完成。