公开(公告)号：US08294131B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12826896

申请日：2010-06-30

申请人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463

摘要： An integrated circuit device includes a device isolation pattern on a semiconductor substrate to define an active area therein. The active area includes a doped region therein. A conductive pattern extends on the active area and electrically contacts the doped region. The conductive pattern has a lower resistivity than the doped region. The conductive pattern may be disposed in a recessed region having a bottom surface lower than a top surface of the active area. A channel pillar electrically contacts to the doped region and extends therefrom in a direction away from the substrate. A conductive gate electrode is disposed on a sidewall of the channel pillar, and a gate dielectric layer is disposed between the gate electrode and the sidewall of the channel pillar.

摘要翻译： 集成电路器件包括在半导体衬底上的器件隔离图案，以在其中限定有效区域。 有源区域包括其中的掺杂区域。 导电图案在有源区上延伸并与掺杂区电接触。 导电图案具有比掺杂区域更低的电阻率。 导电图案可以设置在具有低于有源区域的顶表面的底表面的凹陷区域中。 通道柱与掺杂区电接触并从远离衬底的方向从其延伸。 导电栅电极设置在通道柱的侧壁上，并且栅极电介质层设置在沟道柱的栅电极和侧壁之间。

公开(公告)号：US08053316B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12953785

申请日：2010-11-24

申请人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method of fabricating a vertical channel transistor includes: forming a line type active pattern on a substrate so as to extend in a first horizontal direction; forming a vertical channel isolating the active pattern in a second horizontal direction intersecting the first horizontal direction and extending vertically on the substrate; forming a buried bit line extending in the first horizontal direction on the substrate; and forming a word line extending in the second horizontal direction along at least one side surface of the vertical channel.

摘要翻译： 制造垂直沟道晶体管的方法包括：在衬底上形成线状有源图案，以沿第一水平方向延伸; 形成在与所述第一水平方向相交并在所述基板上垂直延伸的第二水平方向隔离所述有源图案的垂直通道; 形成在所述基板上沿所述第一水平方向延伸的掩埋位线; 以及沿所述垂直通道的至少一个侧表面在所述第二水平方向上形成字线。

公开(公告)号：US20110111568A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12906630

申请日：2010-10-18

申请人： Kang-Uk Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Youngchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Youngchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

摘要： Methods of fabricating vertical channel transistors may include forming an active region on a substrate, patterning the active region to form vertical channels at sides of the active region, forming a buried bit line in the active region between the vertical channels, and forming a word line facing a side of the vertical channel.

摘要翻译： 制造垂直沟道晶体管的方法可以包括在衬底上形成有源区域，图案化有源区域以在有源区域的侧面形成垂直沟道，在垂直沟道之间的有源区域中形成掩埋位线，并形成字线 面向垂直通道的一侧。

公开(公告)号：US20110143508A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12953785

申请日：2010-11-24

申请人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method of fabricating a vertical channel transistor includes: forming a line type active pattern on a substrate so as to extend in a first horizontal direction; forming a vertical channel isolating the active pattern in a second horizontal direction intersecting the first horizontal direction and extending vertically on the substrate;forming a buried bit line extending in the first horizontal direction on the substrate; and forming a word line extending in the second horizontal direction along at least one side surface of the vertical channel.

摘要翻译： 制造垂直沟道晶体管的方法包括：在衬底上形成线状有源图案，以沿第一水平方向延伸; 形成在与所述第一水平方向相交并在所述基板上垂直延伸的第二水平方向隔离所述有源图案的垂直通道; 形成在所述基板上沿所述第一水平方向延伸的掩埋位线; 以及沿所述垂直通道的至少一个侧表面在所述第二水平方向上形成字线。

公开(公告)号：US08283229B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12906630

申请日：2010-10-18

申请人： Kang-Uk Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

摘要： Methods of fabricating vertical channel transistors may include forming an active region on a substrate, patterning the active region to form vertical channels at sides of the active region, forming a buried bit line in the active region between the vertical channels, and forming a word line facing a side of the vertical channel.

摘要翻译： 制造垂直沟道晶体管的方法可以包括在衬底上形成有源区域，图案化有源区域以在有源区域的侧面形成垂直沟道，在垂直沟道之间的有源区域中形成掩埋位线，并形成字线 面向垂直通道的一侧。

公开(公告)号：US20110156119A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12916998

申请日：2010-11-01

申请人： Hyun-Woo Chung ,  Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Hyun-Woo Chung ,  Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： Semiconductor memory devices and methods of forming the same are provided, the semiconductor memory devices include a first and a second buried gate respectively disposed on both inner sidewalls of a groove formed in an active portion and a device isolation pattern. The first and second buried gates are controlled independently from each other.

摘要翻译： 提供了半导体存储器件及其形成方法，半导体存储器件包括分别设置在形成在有源部分中的沟槽的两个内侧壁上的第一和第二掩埋栅极和器件隔离图案。 第一和第二掩埋栅彼此独立地控制。

公开(公告)号：US08372715B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US13035145

申请日：2011-02-25

申请人： Hyun-Woo Chung ,  Hui-Jung Kim ,  Yongchul Oh ,  Hyun-Gi Kim ,  Kang-Uk Kim

发明人： Hyun-Woo Chung ,  Hui-Jung Kim ,  Yongchul Oh ,  Hyun-Gi Kim ,  Kang-Uk Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666

摘要： Provided are a vertical channel transistor and a method for fabricating a vertical channel transistor. The method includes forming an active layer on a substrate, forming a plurality of vertical channels on the active layer, forming a plurality of isolated gate electrodes to surround sidewalls of the plurality of vertical channels, forming a buried bitline to extend along the active layer between the plurality of vertical channels, forming a plug-in between the plurality of vertical channels to connect the plurality of isolated gate electrodes and forming a wordline on a location where the plug-in and the plurality of isolated gate electrodes are connected.

摘要翻译： 提供一种垂直沟道晶体管和一种用于制造垂直沟道晶体管的方法。 该方法包括在衬底上形成有源层，在有源层上形成多个垂直沟道，形成多个隔离栅电极以围绕多个垂直沟道的侧壁，形成埋置位线，沿着有源层在 所述多个垂直通道在所述多个垂直通道之间形成插入件，以连接所述多个隔离栅电极并在所述插入件和所述多个隔离栅电极连接的位置上形成字线。

公开(公告)号：US08324673B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12916998

申请日：2010-11-01

申请人： Hyun-Woo Chung ,  Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Hyun-Woo Chung ,  Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： Semiconductor memory devices and methods of forming the same are provided, the semiconductor memory devices include a first and a second buried gate respectively disposed on both inner sidewalls of a groove formed in an active portion and a device isolation pattern. The first and second buried gates are controlled independently from each other.

摘要翻译： 提供了半导体存储器件及其形成方法，半导体存储器件包括分别设置在形成在有源部分中的沟槽的两个内侧壁上的第一和第二掩埋栅极和器件隔离图案。 第一和第二掩埋栅彼此独立地控制。

公开(公告)号：US20110223731A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13035145

申请日：2011-02-25

申请人： Hyun-Woo Chung ,  Hui-Jung Kim ,  Yongchul Oh ,  Hyun-Gi Kim ,  Kang-Uk Kim

发明人： Hyun-Woo Chung ,  Hui-Jung Kim ,  Yongchul Oh ,  Hyun-Gi Kim ,  Kang-Uk Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666

摘要： Provided are a vertical channel transistor and a method for fabricating a vertical channel transistor. The method includes forming an active layer on a substrate, forming a plurality of vertical channels on the active layer, forming a plurality of isolated gate electrodes to surround sidewalls of the plurality of vertical channels, forming a buried bitline to extend along the active layer between the plurality of vertical channels, forming a plug-in between the plurality of vertical channels to connect the plurality of isolated gate electrodes and forming a wordline on a location where the plug-in and the plurality of isolated gate electrodes are connected.

摘要翻译： 提供一种垂直沟道晶体管和一种用于制造垂直沟道晶体管的方法。 该方法包括在衬底上形成有源层，在有源层上形成多个垂直沟道，形成多个隔离栅电极以围绕多个垂直沟道的侧壁，形成埋置位线，沿着有源层在 所述多个垂直通道在所述多个垂直通道之间形成插入件，以连接所述多个隔离栅电极并在所述插入件和所述多个隔离栅电极连接的位置上形成字线。

公开(公告)号：US20110017971A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12826896

申请日：2010-06-30

申请人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

发明人： Kang-Uk Kim ,  Yongchul Oh ,  Hui-Jung Kim ,  Hyun-Woo Chung ,  Hyun-Gi Kim

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463

摘要： An integrated circuit device includes a device isolation pattern on a semiconductor substrate to define an active area therein. The active area includes a doped region therein. A conductive pattern extends on the active area and electrically contacts the doped region. The conductive pattern has a lower resistivity than the doped region. The conductive pattern may be disposed in a recessed region having a bottom surface lower than a top surface of the active area. A channel pillar electrically contacts to the doped region and extends therefrom in a direction away from the substrate. A conductive gate electrode is disposed on a sidewall of the channel pillar, and a gate dielectric layer is disposed between the gate electrode and the sidewall of the channel pillar.

摘要翻译： 集成电路器件包括在半导体衬底上的器件隔离图案，以在其中限定有效区域。 有源区域包括其中的掺杂区域。 导电图案在有源区上延伸并与掺杂区电接触。 导电图案具有比掺杂区域更低的电阻率。 导电图案可以设置在具有低于有源区域的顶表面的底表面的凹陷区域中。 通道柱与掺杂区电接触并从远离衬底的方向从其延伸。 导电栅电极设置在通道柱的侧壁上，并且栅极电介质层设置在沟道柱的栅电极和侧壁之间。