公开(公告)号：US08108594B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12529223

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F11/1435 ,  G06F11/1441 ,  G06F11/1471 ,  G06F11/1474

摘要： To provide a memory system that can surely restore management information even when a program error occurs during data writing. After “log writing (1)” for a pre-log, when a program error occurs when data writing is being performed (a data writing error), the memory system performs the data writing again without acquiring a pre-log corresponding to data rewriting processing. After finishing the data writing, the memory system acquires, without generating a post-log, a snapshot instead of the post-log and finishes the processing.

摘要翻译： 提供即使在数据写入过程中发生程序错误时也可以确保还原管理信息的存储系统。 在“日志写入（1）”作为预登录之后，当执行数据写入时发生程序错误（数据写入错误）时，存储器系统再次执行数据写入，而不获取对应于数据重写的预记录 处理。 在完成数据写入之后，内存系统在不生成后记录的情况下获取快照而不是后记录，并完成处理。

公开(公告)号：US20110307667A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12529228

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki ,  Ryoichi Kato

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki ,  Ryoichi Kato

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7207

摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a first management table that manages addresses concerning the data written in a first storing area; and a second management table that manages, in an address unit of a second management unit, information indicating temporal order of the data stored in the first storing area and manages, for each of addresses in a second management unit, number-of-valid-data information indicating a number of data in the first management unit included in the addresses in the second management unit.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的存储器系统包括：第一管理表，其管理与第一存储区域中写入的数据有关的地址; 以及第二管理表，其在第二管理单元的地址单元中管理指示存储在第一存储区域中的数据的时间顺序的信息，并且对于第二管理单元中的每个地址管理有效 - 指示包括在第二管理单元中的地址中的第一管理单元中的数据的数量的数据信息。

公开(公告)号：US20100312948A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12529126

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0866 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/7203

摘要： A memory system includes a DRAM 20 that performs writing and readout in a unit equal to or smaller than a cluster, a NAND memory 10 that performs writing and readout in a page unit, and a management table group in which management information including storage locations of data stored in the DRAM 20 and the NAND memory 10 is stored. When a readout request is received from the outside, a data managing unit 120 notifies, when an unwritten logical address area is present in a storage area of the NAND memory to which a logical address area requested to be read out is mapped, fixed data stored in the DRAM 20 to the outside in association with the logical address area.

摘要翻译： 存储器系统包括以等于或小于簇的单位执行写入和读出的DRAM 20，以页单元执行写入和读出的NAND存储器10以及管理表组，其中管理信息包括存储位置 存储在DRAM 20和NAND存储器10中的数据被存储。 当从外部接收到读出请求时，数据管理单元120在映射了要求读出的逻辑地址区域的NAND存储器的存储区域中存在未写入的逻辑地址区域时，通知存储的固定数据 在DRAM 20中与逻辑地址区域相关联到外部。

公开(公告)号：US20100274950A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12529270

申请日：2008-09-22

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0804 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0866 ,  G06F12/0897 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205

摘要： A controller executes first processing for writing a plurality of data in a sector unit in the first storing area; second processing for flushing the data stored in the first storing area to the first input buffer in a first management unit twice or larger natural number times as large as the sector unit; third processing for flushing the data stored in the first storing area to the second input buffer in a second management unit twice or larger natural number times as large as the first management unit; fourth processing for relocating a logical block in which all pages are written in the first input buffer to the second storing area; fifth processing for relocating a logical block in which all pages are written in the second input buffer to the third storing area; and sixth processing for flushing a plurality of data stored in the second storing area to the second input buffer in the second management unit.

摘要翻译： 控制器执行用于在第一存储区域中以扇区为单位写入多个数据的第一处理; 第二处理，用于将存储在第一存储区域中的数据在第一管理单元中的第一输入缓冲器中刷新自然数倍于扇区单元的两倍或更大; 在第二管理单元中将存储在第一存储区域中的数据刷新到与第一管理单元一样大的自然数倍的两倍或更大的第二处理; 将其中将所有页面写入所述第一输入缓冲器的逻辑块重定位到所述第二存储区域的第四处理; 将其中将所有页面写入第二输入缓冲器的逻辑块重新定位到第三存储区域的第五处理; 以及第六处理，用于将存储在第二存储区域中的多个数据刷新到第二管理单元中的第二输入缓冲器。

公开(公告)号：US20090241010A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12394665

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controller that manages data stored in the first and second storing areas. The controller determines, when a readout error occurs when the stored data in the second storing area is read out, success or failure of error correction to the read-out data based on the result of the error correction stored in a storage buffer, writes, when the error correction is successful, correction data corresponding to the read-out data stored in the storage buffer, and writes, when the error correction fails, the read-out data itself not subjected to error correction processing.

摘要翻译： 存储器系统包括管理存储在第一和第二存储区域中的数据的控制器。 当存储在第二存储区域中的数据被读出时，控制器基于存储在存储缓冲器中的纠错结果对读出的数据进行错误校正的成功或失败， 当纠错成功时，对应于存储在存储缓冲器中的读出数据的校正数据，并且当纠错失败时，读出数据本身不进行纠错处理。

公开(公告)号：US08751901B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13152962

申请日：2011-06-03

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： G11C29/42

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controlling unit that configured to control data transfer between the first and the second memory. The controlling unit executes copy processing for, after reading out data stored in a first page of the second memory to the first memory, writing the data in a second page of the second memory, determines, when executing the copy processing, whether the error correction processing for the data read out from the first page is successful, stores, when the error correction processing is successful, corrected data in the first memory and writes the corrected data in the second page, and reads out, when the error correction processing is unsuccessful, the data from the first page to the first memory and writes the data not subjected to the error correction processing in the second page.

摘要翻译： 存储器系统包括控制单元，其被配置为控制第一和第二存储器之间的数据传输。 控制单元执行复制处理，在将第二存储器的第一页中存储的数据读出到第一存储器之后，将数据写入第二存储器的第二页，在执行复制处理时确定纠错 从第一页读出的数据的处理成功，当纠错处理成功时存储第一存储器中的校正数据并将修正数据写入第二页，并且当纠错处理失败时读出 ，从第一页到第一存储器的数据，并将未经过纠错处理的数据写入第二页。

公开(公告)号：US08706950B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US12394875

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F11/07

CPC分类号： G06F3/0614 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0685 ,  G06F11/073 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/22 ,  G06F2212/7202 ,  G11C29/88 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a volatile first storing unit, a nonvolatile second storing unit in which data is managed in a predetermined unit, and a controller that writes data requested by a host apparatus in the second storing unit via the first storing unit and reads out data requested by the host apparatus from the second storing unit to the first storing unit and transfers the data to the host apparatus. The controller includes a management table for managing the number of failure areas in a predetermined unit that occur in the second storing unit and switches, according to the number of failure areas, an operation mode in writing data in the second storing unit from the host apparatus.

摘要翻译： 存储器系统包括：易失性第一存储单元，以预定单元管理数据的非易失性第二存储单元;以及控制器，其经由第一存储单元将主机设备请求的数据写入第二存储单元，并读出数据 由主机从第二存储单元请求到第一存储单元，并将数据传送到主机设备。 控制器包括管理表，用于管理出现在第二存储单元中的预定单元中的故障区域的数量，并且根据故障区域的数量，切换从主机设备向第二存储单元写入数据的操作模式 。

公开(公告)号：US08661191B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13358763

申请日：2012-01-26

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit 120 is divided into a DRAM-layer managing unit 120a, a logical-NAND-layer managing unit 120b, and a physical-NAND-layer managing unit 120c to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的存储器系统包括：数据管理单元120被划分为DR​​AM层管理单元120a，逻辑NAND层管理单元120b和物理NAND层管理单元120c至 使用各个管理单元独立地执行DRAM层，逻辑NAND层和物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。

公开(公告)号：US08276043B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12394665

申请日：2009-02-27

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Hiroki Matsudaira

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06 ,  G11C29/52 ,  G11C29/78 ,  G11C2029/0411

摘要： A memory system includes a controller that manages data stored in the first and second storing areas. The controller determines, when a readout error occurs when the stored data in the second storing area is read out, success or failure of error correction to the read-out data based on the result of the error correction stored in a storage buffer, writes, when the error correction is successful, correction data corresponding to the read-out data stored in the storage buffer, and writes, when the error correction fails, the read-out data itself not subjected to error correction processing.

摘要翻译： 存储器系统包括管理存储在第一和第二存储区域中的数据的控制器。 当存储在第二存储区域中的数据被读出时，控制器基于存储在存储缓冲器中的纠错结果对读出的数据进行错误校正的成功或失败， 当纠错成功时，对应于存储在存储缓冲器中的读出数据的校正数据，并且当纠错失败时，读出数据本身不进行纠错处理。

公开(公告)号：US20110264859A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12529192

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

发明人： Junji Yano ,  Kosuke Hatsuda ,  Hidenori Matsuzaki

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit 120 is divided into a DRAM-layer managing unit 120a, a logical-NAND-layer managing unit 120b, and a physical-NAND-layer managing unit 120c to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的存储器系统包括：数据管理单元120被划分为DR​​AM层管理单元120a，逻辑NAND层管理单元120b和物理NAND层管理单元120c至 使用各个管理单元独立地执行DRAM层，逻辑NAND层和物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。