公开(公告)号：US5691112A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US762861

申请日：1996-12-10

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US5633409A

公开(公告)日：1997-05-27

申请号：US379986

申请日：1995-01-27

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  C07C319/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US08691490B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13013506

申请日：2011-01-25

申请人： Masaki Ohashi ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Keiichi Masunaga ,  Takeshi Kinsho

发明人： Masaki Ohashi ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Keiichi Masunaga ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C69/54 ,  C07C309/67

CPC分类号： C07C69/54 ,  C08F220/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

摘要： There is disclosed a sulfonium salt represented by the following general formula (1). In the formula, X and Y each represents a group having a polymerizable functional group; Z represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 33 carbon atoms optionally containing a hetero atom; R1 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms optionally containing a hetero atom; and R2 and R3 each represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms optionally containing a hetero atom or R2 and R3 may be bonded with each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula. There can be provided a sulfonium salt usable as a resist composition providing high resolution and excellent in LER in photolithography using a high energy beam such as an ArF excimer laser, an EUV light and an electron beam as a light source, a polymer obtained from the sulfonium salt, a resist composition containing the polymer and a patterning process using the resist composition.

摘要翻译： 公开了由以下通式（1）表示的锍盐。 在该式中，X和Y各自表示具有聚合性官能团的基团， Z表示任选含有杂原子的碳原子数1〜33的二价烃基; R1表示任选含有杂原子的碳原子数1〜36的二价烃基; R 2和R 3各自表示可以含有杂原子的具有1〜30个碳原子的一价烃基，或者R 2和R 3可以相互结合，与式中的硫原子一起形成环。 可以提供可用作抗蚀剂组合物的锍盐，其使用诸如ArF准分子激光器，EUV光和电子束作为光源的高能束在光刻中提供高分辨率和优异的LER，从 锍盐，含有聚合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的图案化工艺。

公开(公告)号：US08394570B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12630559

申请日：2009-12-03

申请人： Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa

发明人： Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  C07C309/00

CPC分类号： C07J3/00 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium salt has formula (1) wherein R1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R2, R3, and R4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

摘要翻译： 锍盐具有式（1），其中R 1是除乙烯基和异丙烯基之外的一价烃基，R 2，R 3和R 4是烷基，烯基，氧代烷基，芳基，芳烷基或芳氧基烷基，或者可以键合在一起形成与硫原子的环 ，并且n为1至3.包含锍盐的化学放大抗蚀剂组合物由于高分辨率，改善的焦点纬度以及在延长的PED处的线宽变化和轮廓退化最小化而能够在显影后形成良好轮廓的精细特征图案 。

公开(公告)号：US20110212391A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13035066

申请日：2011-02-25

申请人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

发明人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F1/00 ,  C08F20/38 ,  C08F20/22

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F20/22 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  C08F2220/283 ,  C08F232/08 ,  C08F2220/382

摘要： A polymer comprising recurring units having a fluorinated carboxylic acid onium salt structure on a side chain is used to formulate a chemically amplified positive resist composition. When the composition is processed by lithography to form a positive pattern, the diffusion of acid in the resist film is uniform and slow, and the pattern is improved in LER.

摘要翻译： 使用包含在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物来配制化学放大的正性抗蚀剂组合物。 当通过光刻处理组合物以形成正图案时，抗蚀剂膜中的酸的扩散是均匀和缓慢的，并且图案在LER中得到改善。

公开(公告)号：US07977027B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11876298

申请日：2007-10-22

申请人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Ryuji Koitabashi ,  Tamotsu Watanabe

发明人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Ryuji Koitabashi ,  Tamotsu Watanabe

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： A chemically amplified positive resist composition comprises a compound having an amine oxide structure as a basic component, a base resin, a photoacid generator, and an organic solvent. The resist composition exhibits a high resolution, significantly prevents a line pattern from collapsing after development, and has improved etch resistance.

摘要翻译： 化学放大正型抗蚀剂组合物包含具有胺氧化物结构作为碱性组分的化合物，基础树脂，光酸产生剂和有机溶剂。 抗蚀剂组合物显示高分辨率，显着地防止显影后线图案塌陷，并且具有改善的耐蚀刻性。

公开(公告)号：US20100009286A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12457327

申请日：2009-06-08

申请人： Takanobu Takeda ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takanobu Takeda ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114

摘要： There is disclosed a chemically-amplified positive resist composition comprising, as main components, (A) a base polymer, which contains one or more kinds of a monomer unit represented by the following general formula (1) and the like, and is an alkali-insoluble polymer whose hydroxyl group is partly protected by an acetal group while alkali-soluble when deprotected by an acid catalyst, (B) a sulfonium salt containing a sulfonate anion, (C) a basic component, and (D) an organic solvent. In a lithography technology by a photo resist, an extremely high temporal stability is necessary. In addition, it must give a good pattern profile not dependent on a substrate and have a high resolution power. There can be provided a chemically-amplified positive resist composition which can solve these problems simultaneously, a resist patterning process using the same, and a method for producing a photo mask blank.

摘要翻译： 公开了一种化学增幅正型抗蚀剂组合物，其包含作为主要成分的（A）基质聚合物，其包含一种或多种由以下通式（1）表示的单体单元等，并且为碱 （B）含有磺酸根阴离子的锍盐，（C）碱性成分和（D）有机溶剂，其羟基部分被缩醛基保护而碱溶性的不溶性聚合物。 在通过光刻胶的光刻技术中，需要非常高的时间稳定性。 另外，它必须给出不依赖于衬底并且具有高分辨率功率的良好图案轮廓。 可以提供能够同时解决这些问题的化学放大正性抗蚀剂组合物，使用其的抗蚀剂图案形成工艺以及制造光掩模坯料的方法。

公开(公告)号：US20050233245A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11105457

申请日：2005-04-14

申请人： Ryuji Koitabashi ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa

发明人： Ryuji Koitabashi ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03C1/492 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/123

摘要： A chemically amplified positive resist composition comprising a specific 2,4,6-triisopropylbenzenesulfonate compound as a photoacid generator, a polymer which changes its solubility in an alkaline developer under the action of acid, and a basic compound has a high sensitivity, a high contrast of dissolution of resist film, a high resolution, and good storage stability.

摘要翻译： 包含特定的2,4,6-三异丙基苯磺酸盐化合物作为光酸产生剂的化学放大阳性抗蚀剂组合物，在酸性作用下改变其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物和碱性化合物具有高灵敏度，高对比度 抗蚀剂膜的溶解，高分辨率和良好的储存稳定性。

公开(公告)号：US20110212390A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13033647

申请日：2011-02-24

申请人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

发明人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F1/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111

摘要： A chemically amplified negative resist composition is provided comprising (A) an alkali-soluble base polymer, (B) an acid generator, and (C) a nitrogen-containing compound, the base polymer (A) turning alkali insoluble under the catalysis of acid. A polymer having a fluorinated carboxylic acid onium salt on a side chain is included as the base polymer. Processing the negative resist composition by a lithography process may form a resist pattern with advantages including uniform low diffusion of acid, improved LER, and reduced substrate poisoning.

摘要翻译： 提供一种化学放大型负性抗蚀剂组合物，其包含（A）碱溶性基础聚合物，（B）酸产生剂和（C）含氮化合物，所述碱性聚合物（A）在酸催化下使碱不溶 。 作为基础聚合物，含有在侧链上具有氟化羧酸鎓盐的聚合物。 通过光刻工艺处理负光刻胶组合物可以形成抗蚀剂图案，其优点包括酸的均匀低扩散，改进的LER和降低的底物中毒。

公开(公告)号：US20100316955A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12815787

申请日：2010-06-15

申请人： Keiichi Masunaga ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

发明人： Keiichi Masunaga ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045

摘要： A polymer comprising a high proportion of aromatic ring structure-containing units and containing an aromatic sulfonic acid sulfonium salt on a side chain is used to form a chemically amplified positive photoresist composition which is effective in forming a resist pattern having high etch resistance. The polymer overcomes the problems of dissolution in solvents for polymerization and purification and in resist solvents.

摘要翻译： 使用包含高比例的含芳环结构的单元并在侧链上含有芳族磺酸锍盐的聚合物形成化学放大的正性光致抗蚀剂组合物，该组合物有效地形成具有高耐蚀刻性的抗蚀剂图案。 该聚合物克服了用于聚合和纯化的溶剂溶解和抗蚀剂溶剂中的问题。