公开(公告)号：US20140150934A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US14232805

申请日：2012-05-14

申请人： You-Hwan Lee ,  Dong-Hyun Kim ,  Geun-Soo Ryu

发明人： You-Hwan Lee ,  Dong-Hyun Kim ,  Geun-Soo Ryu

IPC分类号： C21D9/00 ,  C22C38/08 ,  C22C38/04 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02

CPC分类号： C21D9/0093 ,  C21D8/065 ,  C21D9/525 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/08 ,  C22C38/12

摘要： The present invention relates to a wire rod used in bolts for automobile engines, for example, and more specifically to a wire rod having an improved resistance to hydrogen delayed fracture, to a manufacturing method for same, to a bolt using same and a method for manufacturing the bolt. Provided are a high strength wire rod having a superior resistance to hydrogen delayed fracture and a method for manufacturing same, a high strength bolt using the wire rod and a method for manufacturing same, wherein.the wire rod comprises, 0.3-0.7 wt % C, 0.05-2.0 wt % Si, 0.7-1.5 wt % Mn, 0.01-0.1 wt % Ni, and 30-70 ppm La, and the remainder thereof is comprised by Fe and inevitable impurities.

摘要翻译： 本发明涉及例如用于汽车发动机的螺栓的线材，更具体地说，涉及一种具有改进的耐氢延迟断裂性的线材，其制造方法，使用该线材的螺栓以及用于其的方法 制造螺栓。 本发明提供一种具有优异的耐氢延迟断裂性的高强度线材及其制造方法，使用该线材的高强度螺栓及其制造方法。 线材包括0.3-0.7重量％C，0.05-2.0重量％的Si，0.7-1.5重量％的Mn，0.01-0.1重量％的Ni和30-70ppm的La，其余的由Fe和不可避免的 杂质。

公开(公告)号：US08707999B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12442321

申请日：2007-09-19

申请人： Dong-Hyun Kim ,  Sang-Min Lee ,  Il-Sin Bae ,  Dong-Seob Kim ,  Duk-Hyun Choi ,  Chang-Woo Lee ,  Ji-Hoon Jeon ,  Seong-Ho Son ,  Tae-Chul Moon ,  Woon-Bong Hwang ,  Joon-Won Kim ,  Hyun-Chul Park ,  Kun-Hong Lee

发明人： Dong-Hyun Kim ,  Sang-Min Lee ,  Il-Sin Bae ,  Dong-Seob Kim ,  Duk-Hyun Choi ,  Chang-Woo Lee ,  Ji-Hoon Jeon ,  Seong-Ho Son ,  Tae-Chul Moon ,  Woon-Bong Hwang ,  Joon-Won Kim ,  Hyun-Chul Park ,  Kun-Hong Lee

IPC分类号： F15D1/02

CPC分类号： B29C33/52

摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a solid body having a superhydrophobic surface structure formed by using a surface treatment of a metal body, a replication process, and a polymer sticking phenomenon to increase efficiency of fluid transfer and prevent foreign materials from being accumulated in the tube, and a superhydrophobic fluid transfer tube using the method. The superhydrophobic fluid transfer tube includes a fluid guider and a solid body provided on a fluid contact surface of the fluid guider and has micrometer-scaled unevenness and nanometer-scaled protrusions. In the method, a plurality of nanometer-scaled holes are formed on a surface of a metal body through an anodizing process, a replica is formed by immersing the metal body provided with the nanometer-scaled holes in a non-wetting polymer material and solidifying the non-wetting polymer material, the solid body having the superhydrophobic surface is formed by removing the metal body and an anode oxide from the replica, and the solid body is provided to a fluid contact surface of a fluid guider for guiding a fluid.

摘要翻译： 本发明涉及通过使用金属体的表面处理形成的具有超疏水性表面结构的固体的制造方法，复制工序和聚合物粘贴现象，以提高流体转移的效率，防止异物的累积 在管中，以及使用该方法的超疏水流体输送管。 超疏水流体输送管包括流体引导器和设置在流体引导器的流体接触表面上的实心体，并且具有微米级的凹凸和纳米级的突起。 在该方法中，通过阳极氧化处理在金属体的表面上形成多个纳米级的孔，通过将设置有纳米级孔的金属体浸渍在非湿润性聚合物材料中并固化而形成复制品 通过从复制品中除去金属体和阳极氧化物形成具有超疏水表面的固体，并且将固体提供到用于引导流体的流体导向器的流体接触表面。

公开(公告)号：US20140027025A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14110924

申请日：2012-05-11

申请人： Dong-Hyun Kim ,  You-Hwan Lee ,  Hyung-Keun Cho

发明人： Dong-Hyun Kim ,  You-Hwan Lee ,  Hyung-Keun Cho

IPC分类号： C21D8/06 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/60

CPC分类号： C21D8/065 ,  C21D9/525 ,  C21D2211/005 ,  C21D2211/009 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/60

摘要： Provided is a wire rod having high strength and high toughness, which suppresses the generation of surface oxide and has superior surface properties through uniform oxide formation, and to a method for manufacturing same. For this purpose, a wire rod comprising 0.005˜ to 0.02 wt. % of Sb, having superior surface properties, high strength and high toughness, and a method for manufacturing same are provided.

摘要翻译： 提供一种具有高强度和高韧性的线材，其通过均匀的氧化物形成抑制了表面氧化物的产生并具有优异的表面性能及其制造方法。 为此，将包含0.005〜0.02重量％ 提供具有优异的表面性能，高强度和高韧性的Sb的％，及其制造方法。

公开(公告)号：US08394283B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12741058

申请日：2008-03-12

申请人： Dong-Seob Kim ,  Sang-Min Lee ,  Woon-Bong Hwang ,  Kun-Hong Lee ,  Geun-Bae Lim ,  Joon-Won Kim ,  Dong-Hyun Kim ,  Hyun-Chul Park

发明人： Dong-Seob Kim ,  Sang-Min Lee ,  Woon-Bong Hwang ,  Kun-Hong Lee ,  Geun-Bae Lim ,  Joon-Won Kim ,  Dong-Hyun Kim ,  Hyun-Chul Park

IPC分类号： B31D3/00

CPC分类号： C23F1/00 ,  C25D1/08 ,  C25D11/005 ,  C25D11/02

摘要： The present invention relates to a three-dimensional structure manufacturing method for performing surface treatment processes, and a replication step to provide hydrophobicity on an external surface of the three-dimensional structure. In the manufacturing method, the hydrophobicity may be provided to the external surface of the three-dimensional structure, a high cost device required in the conventional MEMS process is not used, the manufacturing cost is reduced, and the manufacturing process is simplified. In addition, it has been difficult to provide the hydrophobicity on an external surface of a three-dimensional structure having a large surface due to a spatial limitation, but in the exemplary embodiment of the present invention, the hydrophobicity may be provided to the external surface of the three-dimensional structure having a large surface, such as a torpedo, a submarine, a ship, and a vehicle, without the spatial limitation.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于进行表面处理工艺的三维结构制造方法以及在三维结构的外表面上提供疏水性的复制步骤。 在制造方法中，可以将疏水性提供给三维结构的外表面，不使用常规MEMS工艺中所需的高成本装置，制造成本降低，制造工艺简化。 此外，由于空间限制，难以在具有大表面的三维结构的外表面上提供疏水性，但是在本发明的示例性实施方案中，可以将疏水性提供给外表面 的具有大表面的三维结构，例如鱼雷，潜艇，船舶和车辆，没有空间限制。

公开(公告)号：US20110318664A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12983503

申请日：2011-01-03

申请人： Hyun Kim ,  Dong-Rak Kim ,  Dong-Hyun Kim ,  Ming-Zi Hong ,  Woong-Ho Cho

发明人： Hyun Kim ,  Dong-Rak Kim ,  Dong-Hyun Kim ,  Ming-Zi Hong ,  Woong-Ho Cho

IPC分类号： H01M8/04

CPC分类号： H01M8/04753 ,  Y02E60/50

摘要： A fuel cell system including a fuel cell stack having a plurality of unit cells is provided. A method of driving the fuel cell stack is also provided. The method may include supplying a fuel to a fuel cell stack, supplying an oxidizer to the fuel cell stack, controlling supply of the fuel and the oxidizer to operate the fuel cell stack, calculating a total operation time of the fuel cell, and/or varying a stack activation period in which the oxidizer is blocked to the fuel cell stack according to the total operation time and a stack activation cycle of which the stack activation period is generated.

摘要翻译： 提供一种燃料电池系统，其包括具有多个单电池的燃料电池堆。 还提供了驱动燃料电池堆的方法。 该方法可以包括向燃料电池堆供应燃料，向燃料电池堆供应氧化剂，控制燃料和氧化剂的供应以操作燃料电池堆，计算燃料电池的总运行时间和/或 根据总操作时间和产生堆栈激活周期的堆栈激活周期，改变其中氧化剂被阻挡到燃料电池堆的堆活化时段。

公开(公告)号：US07727893B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US12336863

申请日：2008-12-17

申请人： Jae-Ho Min ,  Dong-Hyun Kim

发明人： Jae-Ho Min ,  Dong-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of forming a dielectric layer pattern, lower patterns are formed on a substrate. A first dielectric layer is formed on sidewalls and upper surfaces of the lower patterns and a surface of the substrate. A mask pattern is formed on the first dielectric layer to partially expose the first dielectric layer. The exposed first dielectric layer on upper surfaces and upper sidewalls of the lower patterns is partially removed and the removed first dielectric layer is deposited on surfaces of the first dielectric layer between the lower patterns, to form a second dielectric layer having a thickness greater than that of the first dielectric layer. The second dielectric layer on the sidewalls of the lower patterns and the substrate is etched to form a dielectric layer pattern. Accordingly, damage to the underlying layer may be reduced, and an unnecessary dielectric layer may be completely removed.

摘要翻译： 在形成电介质层图案的方法中，在基板上形成下图案。 第一电介质层形成在下图案的侧壁和上表面以及基板的表面上。 在第一电介质层上形成掩模图案以部分地暴露第一介电层。 部分地去除在下图案的上表面和上侧壁上的暴露的第一电介质层，并且将去除的第一介电层沉积在下图案之间的第一介电层的表面上，以形成厚度大于其的厚度的第二电介质层。 的第一介电层。 在下图案和衬底的侧壁上的第二电介质层被蚀刻以形成电介质层图案。 因此，可能减少对下层的损伤，并且可以完全去除不需要的介电层。

公开(公告)号：US20090155968A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12336863

申请日：2008-12-17

申请人： Jae-Ho Min ,  Dong-Hyun Kim

发明人： Jae-Ho Min ,  Dong-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of forming a dielectric layer pattern, lower patterns are formed on a substrate. A first dielectric layer is formed on sidewalls and upper surfaces of the lower patterns and a surface of the substrate. A mask pattern is formed on the first dielectric layer to partially expose the first dielectric layer. The exposed first dielectric layer on upper surfaces and upper sidewalls of the lower patterns is partially removed and the removed first dielectric layer is deposited on surfaces of the first dielectric layer between the lower patterns, to form a second dielectric layer having a thickness greater than that of the first dielectric layer. The second dielectric layer on the sidewalls of the lower patterns and the substrate is etched to form a dielectric layer pattern. Accordingly, damage to the underlying layer may be reduced, and an unnecessary dielectric layer may be completely removed.

摘要翻译： 在形成电介质层图案的方法中，在基板上形成下图案。 第一电介质层形成在下图案的侧壁和上表面以及基板的表面上。 在第一电介质层上形成掩模图案以部分地暴露第一介电层。 部分地去除在下图案的上表面和上侧壁上的暴露的第一电介质层，并且将去除的第一介电层沉积在下图案之间的第一介电层的表面上，以形成厚度大于其的厚度的第二电介质层。 的第一介电层。 在下图案和衬底的侧壁上的第二电介质层被蚀刻以形成电介质层图案。 因此，可能减少对下层的损伤，并且可以完全去除不需要的介电层。

公开(公告)号：US07534708B2

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：US11452867

申请日：2006-06-14

申请人： Dong-Hyun Kim ,  Du-Heon Song ,  Sang-Hyun Lee ,  Hyeoung-Won Seo ,  Dae-Joong Won

发明人： Dong-Hyun Kim ,  Du-Heon Song ,  Sang-Hyun Lee ,  Hyeoung-Won Seo ,  Dae-Joong Won

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621

摘要： For fabricating a field effect transistor, an extra-doped channel region is formed below a surface of a semiconductor substrate. An opening is formed in the semiconductor substrate into the extra-doped channel region. A gate insulator is formed at walls of the opening such that the extra-doped channel region abuts the gate insulator at a bottom portion of the opening. The opening is filled with a gate electrode. Such an extra-doped channel region prevents undesired body effect in the field effect transistor.

摘要翻译： 为了制造场效应晶体管，在半导体衬底的表面的下方形成了掺杂杂质的沟道区。 在半导体衬底中形成开口，形成超掺杂沟道区。 在开口的壁处形成栅极绝缘体，使得超掺杂沟道区在开口的底部邻接栅极绝缘体。 开口填充有栅电极。 这种超掺杂沟道区域防止场效应晶体管中的不期望的体效应。

公开(公告)号：US20080199975A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US12032018

申请日：2008-02-15

申请人： Min-Joon Park ,  Chang-Jin Kang ,  Dong-Hyun Kim

发明人： Min-Joon Park ,  Chang-Jin Kang ,  Dong-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40117

摘要： Provided herein are methods of forming a metal oxide layer pattern on a substrate including providing a preliminary metal oxide layer on a substrate; etching the preliminary metal oxide layer to provide a preliminary metal oxide layer pattern, wherein the line width of the preliminary metal oxide layer pattern gradually increases in a vertically downward direction; and etching the preliminary metal oxide layer pattern to form a metal oxide layer pattern in a manner so as to decrease the line width of a lower portion of the preliminary metal oxide layer. The present invention also provides methods of manufacturing a semiconductor device including forming a metal oxide layer and a first conductive layer on a substrate; etching the metal oxide layer to provide a preliminary metal oxide layer pattern, wherein the line width of the preliminary metal oxide layer pattern gradually increase in a vertically downward direction; etching the first conductive layer to provide a first conductive layer pattern; and etching the preliminary metal oxide layer pattern to provide a metal oxide layer pattern in a manner so as to decrease the line width of a lower portion of the preliminary metal oxide layer pattern.

摘要翻译： 本文提供了在衬底上形成金属氧化物层图案的方法，包括在衬底上提供初步金属氧化物层; 蚀刻初始金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其中预备金属氧化物层图案的线宽在垂直向下的方向上逐渐增加; 并且以使得预备金属氧化物层的下部的线宽减小的方式蚀刻初步金属氧化物层图案以形成金属氧化物层图案。 本发明还提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成金属氧化物层和第一导电层; 蚀刻金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其中初始金属氧化物层图案的线宽在垂直向下的方向上逐渐增加; 蚀刻第一导电层以提供第一导电层图案; 并且蚀刻初步金属氧化物层图案以提供金属氧化物层图案，以便减小初步金属氧化物层图案的下部的线宽度。

公开(公告)号：US20080150008A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12004985

申请日：2007-12-21

申请人： Dong-Hyun Kim ,  Chang-Jin Kang

发明人： Dong-Hyun Kim ,  Chang-Jin Kang

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： Non-volatile memory devices include a tunnel insulating layer on a channel region of a substrate, a charge-trapping layer pattern on the tunnel insulating layer and a first blocking layer pattern on the charge-trapping layer pattern. Second blocking layer patterns are on the tunnel insulating layer proximate sidewalls of the charge-trapping layer pattern. The second blocking layer patterns are configured to limit lateral diffusion of electrons trapped in the charge-trapping layer pattern. A gate electrode is on the first blocking layer pattern. The second blocking layer patterns may prevent lateral diffusion of the electrons trapped in the charge-trapping layer pattern.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底的沟道区上的隧道绝缘层，隧道绝缘层上的电荷俘获层图案和电荷俘获层图案上的第一阻挡层图案。 第二阻挡层图案位于邻近电荷俘获层图案侧壁的隧道绝缘层上。 第二阻挡层图案被配置为限制捕获在电荷俘获层图案中的电子的横向扩散。 栅电极位于第一阻挡层图案上。 第二阻挡层图案可以防止捕获在电荷俘获层图案中的电子的横向扩散。