公开(公告)号：US20120038007A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US12857013

申请日：2010-08-16

申请人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

发明人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a field effect transistor device includes forming a dummy gate stack on a first portion of a substrate, forming a source region and a drain region adjacent to the dummy gate stack, forming a ion doped source extension portion in the substrate, the source extension portion extending from the source region into the first portion of the substrate, forming an ion doped drain extension portion in the substrate, the drain extension portion extending from the drain region into the first portion of the substrate, removing a portion of the dummy gate stack to expose an interfacial layer of the dummy gate stack, implanting ions in the source extension portion and the drain extension portion to form a channel region in the first portion of the substrate, removing the interfacial layer, and forming a gate stack on the channel region of the substrate.

摘要翻译： 一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括在衬底的第一部分上形成虚拟栅叠层，形成与虚栅极叠层相邻的源区和漏区，在衬底中形成离子掺杂源延伸部分， 源极延伸部分，从源极区域延伸到衬底的第一部分中，在衬底中形成离子掺杂漏极延伸部分，漏极延伸部分从漏极区域延伸到衬底的第一部分中，去除虚部的一部分 栅极堆叠以暴露伪栅极堆叠的界面层，在源延伸部分和漏极延伸部分中注入离子，以在衬底的第一部分中形成沟道区域，去除界面层，以及在栅极叠层上形成栅叠层 沟道区域。

公开(公告)号：US08283217B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12717439

申请日：2010-03-04

申请人： Dechao Guo ,  Unoh Kwon ,  Chun-Chen Yeh ,  Zhen Zhang

发明人： Dechao Guo ,  Unoh Kwon ,  Chun-Chen Yeh ,  Zhen Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： A method of forming fin field effect transistor (finFET) devices includes forming a plurality of semiconductor fins over a buried oxide (BOX) layer; performing a nitrogen implant so as to formed nitrided regions in a upper portion of the BOX layer corresponding to regions between the plurality of semiconductor fins; forming a gate dielectric layer over the semiconductor fins and the nitrided regions of the upper portion of the BOX layer; and forming one or more gate electrode materials over the gate dielectric layer; wherein the presence of the nitrided regions of upper portion of the BOX layer prevents oxygen absorption into the gate dielectric layer as a result of thermal processing.

摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管（finFET）器件的方法包括在掩埋氧化物（BOX）层上形成多个半导体鳍片; 进行氮注入，以在与多个半导体翅片之间的区域对应的BOX层的上部形成氮化区域; 在所述半导体散热片和所述BOX层的上部的氮化区域上形成栅介电层; 以及在所述栅极介电层上形成一个或多个栅电极材料; 其中BOX层的上部的氮化区域的存在防止了作为热处理的结果，氧吸附到栅介质层中。

公开(公告)号：US20120193712A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13015123

申请日：2011-01-27

申请人： Andres Bryant ,  Huiming Bu ,  Dechao Guo ,  Wilfried E. Haensch ,  Chun-Chen Yeh

发明人： Andres Bryant ,  Huiming Bu ,  Dechao Guo ,  Wilfried E. Haensch ,  Chun-Chen Yeh

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device which includes fins of a semiconductor material formed on a semiconductor substrate and then a gate electrode formed over and in contact with the fins. An insulator layer is deposited over the gate electrode and the fins. A trench opening is then etched in the insulator layer. The trench opening exposes the fins and extends between the fins. The fins are then silicided through the trench opening. Then, the trench opening is filled with a metal in contact with the silicided fins to form a local interconnect connecting the fins.

摘要翻译： 一种半导体器件，其包括在半导体衬底上形成的半导体材料的散热片，然后形成在鳍片上并与翅片接触的栅电极。 绝缘体层沉积在栅电极和鳍片上。 然后在绝缘体层中蚀刻沟槽开口。 沟槽开口暴露翅片并在翅片之间延伸。 然后将鳍片通过沟槽开口硅化。 然后，沟槽开口填充有与硅化物翅片接触的金属，以形成连接翅片的局部互连。

公开(公告)号：US20120286371A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13558664

申请日：2012-07-26

申请人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

发明人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

摘要： A field effect transistor device includes a substrate including a source region, a drain region, and a channel region disposed between the source region and the drain region, wherein the source region is connected to the channel region with a source extension portion, and the drain region is connected to the channel region with a drain extension portion, wherein the channel region includes a source transition portion including n-type and p-type ions and a drain transition portion including n-type and p-type ions, and a gate stack portion disposed on the channel region.

摘要翻译： 场效应晶体管器件包括：衬底，其包括源区域，漏极区域和设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域，其中源极区域与源极延伸部分连接到沟道区域，并且漏极 区域与漏极延伸部分连接到沟道区域，其中沟道区域包括包括n型和p型离子的源极过渡部分和包括n型和p型离子的漏极过渡部分，以及栅极堆叠 部分设置在通道区域上。

公开(公告)号：US20120286360A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13556608

申请日：2012-07-24

申请人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

发明人： Dechao Guo ,  Pranita Kulkarni ,  Ramachandran Muralidhar ,  Chun-Chen Yeh

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7834

摘要： A field effect transistor device includes a substrate including a source region, a drain region, and a channel region disposed between the source region and the drain region, wherein the source region is connected to the channel region with a source extension portion, and the drain region is connected to the channel region with a drain extension portion, a first spacer portion disposed on the source region, the drain region and a first portion of the source extension portion, and a first portion of the drain extension portion, a second spacer portion disposed on a second portion of the source extension portion, and a second portion of the drain extension portion, a gate stack portion disposed on the channel region.

摘要翻译： 场效应晶体管器件包括：衬底，其包括源区域，漏极区域和设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域，其中源极区域与源极延伸部分连接到沟道区域，并且漏极 区域连接到具有漏极延伸部分的沟道区域，设置在源极区域上的第一间隔部分，漏极区域和源极延伸部分的第一部分以及漏极延伸部分的第一部分，第二间隔部分 设置在源极延伸部分的第二部分上，以及漏极延伸部分的第二部分，设置在沟道区域上的栅极叠层部分。

公开(公告)号：US20110215405A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12717439

申请日：2010-03-04

申请人： Dechao Guo ,  Unoh Kwon ,  Chun-Chen Yeh ,  Zhen Zhang

发明人： Dechao Guo ,  Unoh Kwon ,  Chun-Chen Yeh ,  Zhen Zhang

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： A method of forming fin field effect transistor (finFET) devices includes forming a plurality of semiconductor fins over a buried oxide (BOX) layer; performing a nitrogen implant so as to formed nitrided regions in a upper portion of the BOX layer corresponding to regions between the plurality of semiconductor fins; forming a gate dielectric layer over the semiconductor fins and the nitrided regions of the upper portion of the BOX layer; and forming one or more gate electrode materials over the gate dielectric layer; wherein the presence of the nitrided regions of upper portion of the BOX layer prevents oxygen absorption into the gate dielectric layer as a result of thermal processing.

摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管（finFET）器件的方法包括在掩埋氧化物（BOX）层上形成多个半导体鳍片; 进行氮注入，以在与多个半导体翅片之间的区域对应的BOX层的上部形成氮化区域; 在所述半导体散热片和所述BOX层的上部的氮化区域上形成栅介电层; 以及在所述栅极介电层上形成一个或多个栅电极材料; 其中BOX层的上部的氮化区域的存在防止了作为热处理的结果，氧吸附到栅介质层中。

公开(公告)号：US09312358B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US13617140

申请日：2012-09-14

申请人： Dechao Guo ,  Wilfried E. Haensch ,  Gan Wang ,  Yanfeng Wang ,  Xin Wang

发明人： Dechao Guo ,  Wilfried E. Haensch ,  Gan Wang ,  Yanfeng Wang ,  Xin Wang

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/66356 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7391

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is disclosed. A p-type substrate is doped to form an N-well in a selected portion of a p-type substrate adjacent an anode region of the substrate. A p-type doped region is formed in the anode region of the p-type substrate. The p-type doped region and the N-well form a p-n junction.

公开(公告)号：US08742475B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13554294

申请日：2012-07-20

申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/66477

摘要： In one aspect of the present invention, a field effect transistor (FET) device includes a first FET including a dielectric layer disposed on a substrate, a first portion of a first metal layer disposed on the dielectric layer, and a second metal layer disposed on the first metal layer, a second FET including a second portion of the first metal layer disposed on the dielectric layer, and a boundary region separating the first FET from the second FET.

摘要翻译： 在本发明的一个方面中，场效应晶体管（FET）器件包括：第一FET，其包括设置在基板上的电介质层，设置在电介质层上的第一金属层的第一部分和设置在电介质层上的第二金属层 第一金属层，包括设置在电介质层上的第一金属层的第二部分的第二FET以及将第一FET与第二FET分离的边界区域。

公开(公告)号：US20110241120A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12754917

申请日：2010-04-06

申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/66477

摘要： A method for forming a field effect transistor (FET) device includes forming a dielectric layer on a substrate, forming a first metal layer on the dielectric layer, removing a portion of the first metal layer to expose a portion of the dielectric layer, forming a second metal layer on the dielectric layer and the first metal layer, and removing a portion of the first metal layer and the second metal layer to define a boundary region between a first FET device and a second FET device.

摘要翻译： 一种用于形成场效应晶体管（FET）器件的方法，包括在衬底上形成电介质层，在电介质层上形成第一金属层，去除第一金属层的一部分以露出电介质层的一部分，形成 在所述电介质层和所述第一金属层上的第二金属层，以及去除所述第一金属层和所述第二金属层的一部分，以限定第一FET器件和第二FET器件之间的边界区域。

公开(公告)号：US08492852B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12792242

申请日：2010-06-02

申请人： Tze-Chiang Chen ,  Dechao Guo ,  Philip J. Oldiges ,  Yanfeng Wang

发明人： Tze-Chiang Chen ,  Dechao Guo ,  Philip J. Oldiges ,  Yanfeng Wang

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A gate stack structure for field effect transistor (FET) devices includes a nitrogen rich first dielectric layer formed over a semiconductor substrate surface; a nitrogen deficient, oxygen rich second dielectric layer formed on the nitrogen rich first dielectric layer, the first and second dielectric layers forming, in combination, a bi-layer interfacial layer; a high-k dielectric layer formed over the bi-layer interfacial layer; a metal gate conductor layer formed over the high-k dielectric layer; and a work function adjusting dopant species diffused within the high-k dielectric layer and within the nitrogen deficient, oxygen rich second dielectric layer, and wherein the nitrogen rich first dielectric layer serves to separate the work function adjusting dopant species from the semiconductor substrate surface.

摘要翻译： 用于场效应晶体管（FET）器件的栅极堆叠结构包括形成在半导体衬底表面上的富氮第一介电层; 形成在富氮第一介电层上的缺氮富氧的第二电介质层，第一和第二电介质层组合形成双层界面层; 形成在双层界面层上的高k电介质层; 形成在高k电介质层上的金属栅极导体层; 以及调节掺杂物质的功函数，其在所述高k电介质层内和所述缺氮富氧的第二电介质层内扩散，并且其中所述富氮第一介电层用于将所述功函数调节掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分离。