公开(公告)号：US20100187530A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12359513

申请日：2009-01-26

申请人： Juejun Hu ,  Ning-Ning Feng ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Juejun Hu ,  Ning-Ning Feng ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/032

摘要： An infrared photodiode structure is provided. The infrared photodiode structure includes a doped semiconductor layer having ions of certain conductivity. An active photodetecting region is positioned on the doped semiconductor layer for detecting an infrared light signal. The active photodetecting region includes one or more amorphous semiconductor materials so as to allow for high signal-to-noise ratio being achieved by invoking carrier hopping and band conduction, under dark and illuminated conditions.

摘要翻译： 提供红外光电二极管结构。 红外光电二极管结构包括具有一定导电性离子的掺杂半导体层。 有源光电检测区位于掺杂半导体层上，用于检测红外光信号。 有源光电检测区域包括一个或多个非晶半导体材料，以便在黑暗和照明条件下通过调用载波跳变和带通导致高的信噪比。

公开(公告)号：US07723754B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US11191769

申请日：2005-07-28

申请人： Kazumi Wada ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Kazumi Wada ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L29/737

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1105 ,  Y02E10/547

摘要： A phototransistor includes an emitter and a base that comprises Ge. A collector comprises Si. The base, emitter, and collector form at least one Si/Ge heterojunction allowing the unpinning of Fermi energy level (EF) of the phototransistor.

摘要翻译： 光电晶体管包括发射极和包含Ge的基极。 收集器包括Si。 基极，发射极和集电极形成至少一个Si / Ge异质结，允许去除光电晶体管的费米能级（EF）。

公开(公告)号：US07599584B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11543333

申请日：2006-10-05

申请人： Juejun Hu ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Juejun Hu ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02F1/01

CPC分类号： G02B6/102 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/13 ,  H01L31/02327

摘要： A planar mid-infrared (mid-IR) integrated microphotonic platform includes at least one laser performing lasing functions. The at least one laser comprises chalcogenide glass. At least amplifier structure is coupled to the at least one laser for performing optical amplification. The at least amplifier structure comprises chalcogenide glass. At least one waveguide structure is coupled to the at least one amplifier structure for guiding an optical signal in the microphotonic platform. The at least waveguide structure comprises chalcogenide glass. At least one modulator structure is coupled to the at least one waveguide structure for modulating the optical signal. The at least modulator structure comprises chalcogenide glass. At least one photodetector is coupled to the at least one modulator structure for performing photodetecting functions of the microphotonic platform. The at least photodetector comprises chalcogenide glass. At least one optical sensor is coupled to the at least one photodetector for performing optical sensing functions of the microphotonic platform. The at least optical sensor comprises chalcogenide glass.

摘要翻译： 平面中红外（中红外）集成微球平台包括至少一个激光器执行激光功能。 至少一个激光器包括硫族化物玻璃。 至少放大器结构耦合到至少一个用于执行光放大的激光器。 至少放大器结构包括硫族化物玻璃。 至少一个波导结构耦合到至少一个放大器结构，用于引导微电子平台中的光信号。 至少波导结构包括硫族化物玻璃。 至少一个调制器结构耦合到至少一个波导结构以调制光信号。 该至少调制器结构包括硫族化物玻璃。 至少一个光电检测器耦合到至少一个调制器结构，用于执行微电子平台的光电检测功能。 该至少光电探测器包括硫族化物玻璃。 至少一个光学传感器耦合到至少一个光电检测器，用于执行微电子平台的光学感测功能。 该至少光学传感器包括硫族化物玻璃。

公开(公告)号：US07447410B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11487131

申请日：2006-07-14

申请人： Anuradha M. Agarwal ,  Juejun Hu ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Anuradha M. Agarwal ,  Juejun Hu ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/122 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/29338 ,  G02B6/29361 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12109 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12169 ,  G02F1/011 ,  G02F1/3515 ,  G02F2202/13 ,  G02F2203/15

摘要： A ring resonator structure includes a semiconductor substrate, a core, and a cladding. Either the core or the cladding comprises chalcogenide glass to improve electromagnetic confinement in the ring resonator structure.

摘要翻译： 环形谐振器结构包括半导体衬底，芯和包层。 芯或包层都包括硫族化物玻璃，以改善环形谐振器结构中的电磁限制。

公开(公告)号：US20080253728A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11899234

申请日：2007-09-05

申请人： Daniel K. Sparacin ,  Anuradha M. Agarwal ,  Pradip K. Roy ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Daniel K. Sparacin ,  Anuradha M. Agarwal ,  Pradip K. Roy ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/10 ,  C03B37/022

CPC分类号： G02B6/132 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1223 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12169 ,  G02B2006/12176

摘要： The invention provides a waveguide with a waveguide core having longitudinal sidewall surfaces, a longitudinal top surface, and a longitudinal bottom surface that is disposed on a substrate. An interface layer is disposed on at least one longitudinal sidewall surface of the waveguide core. A waveguide cladding layer is disposed on at least the waveguide core sidewall and top surfaces, over the interface layer. The waveguide of the invention can be produced by forming a waveguide undercladding layer on a substrate, and then forming a waveguide core on the undercladding layer. An interface layer is then formed on at least a longitudinal sidewall surface of the waveguide core, and an upper cladding layer is formed on a longitudinal top surface and on longitudinal sidewall surfaces of the waveguide core, over the interface layer.

摘要翻译： 本发明提供一种具有波导芯的波导，波导芯具有纵向侧壁表面，纵向顶表面和设置在基底上的纵向底表面。 界面层设置在波导芯的至少一个纵向侧壁表面上。 至少在波导芯侧壁和顶表面上，在界面层上设置波导覆层。 本发明的波导可以通过在基板上形成波导管下封层，然后在下封层上形成波导芯来制造。 然后在波导芯的至少纵向侧壁表面上形成界面层，并且在该界面层上的纵向顶表面和波导芯的纵向侧壁表面上形成上覆层。

公开(公告)号：US20080179700A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11700043

申请日：2007-01-31

申请人： Yukiya Miyachi ,  Wojciech P. Giziewicz ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Yukiya Miyachi ,  Wojciech P. Giziewicz ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/109

摘要： A lateral photodiode, with improved response speed, includes a semiconductor substrate having active regions, and a p-type region and an n-type region arranged parallel to the surface of the substrate. The active regions are an n-layer and a p-layer respectively, and stacked in the thickness direction of the substrate to form a p-n junction. In addition, a barrier layer, for preventing movement of carriers from the substrate toward the active region, is provided on the side of the active regions toward the substrate.

摘要翻译： 具有改善的响应速度的横向光电二极管包括具有有源区的半导体衬底以及平行于衬底的表面布置的p型区和n型区。 有源区分别是n层和p层，并且在衬底的厚度方向上层叠以形成p-n结。 此外，用于防止载体从衬底向有源区移动的阻挡层设置在有源区的一侧朝向衬底。

公开(公告)号：US20080152279A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11954461

申请日：2007-12-12

申请人： Ning-Ning Feng ,  Rong Sun ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel

发明人： Ning-Ning Feng ,  Rong Sun ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel

IPC分类号： G02B6/26

CPC分类号： G02B6/1223 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/305 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12195

摘要： The mode transforming structure includes a first waveguide structure. A slot waveguide region is coupled to the first waveguide structure. The slot waveguide region includes one or more complementary tapered pairs so near lossless transforming between the first waveguide structure and the slot waveguide region occurs so as to allow optical modes to be transferred between the first waveguide and the slot waveguide region.

摘要翻译： 模式转换结构包括第一波导结构。 缝隙波导区域耦合到第一波导结构。 缝隙波导区域包括一个或多个互补锥形对，使得在第一波导结构和缝隙波导区域之间进行接近无损变换，从而允许在第一波导和缝隙波导区域之间传输光学模式。

公开(公告)号：US20080139004A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11637405

申请日：2006-12-12

申请人： Jae Hyung Yi ,  Luca Dal Negro ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Jae Hyung Yi ,  Luca Dal Negro ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L21/64

CPC分类号： H05B33/10

摘要： A method for enhancing photoluminescence includes providing a film disposed over a substrate, the film including at least one of a semiconductor and a dielectric material. A first annealing step is performed at a first temperature in a processing chamber or annealing furnace; and, thereafter, a second annealing step is performed at a second temperature in the processing chamber or annealing furnace. The second temperature is greater than the first temperature, and the photoluminescence of the film after the second annealing step is greater than the photoluminescence of the film without the first annealing step.

摘要翻译： 一种用于增强光致发光的方法包括提供设置在衬底上的膜，所述膜包括半导体和电介质材料中的至少一种。 在处理室或退火炉中的第一温度下进行第一退火步骤; 之后，在处理室或退火炉中，在第二温度下进行第二退火工序。 第二温度大于第一温度，第二退火步骤后的膜的光致发光比没有第一退火步骤的膜的光致发光大。

公开(公告)号：US07310454B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US10852386

申请日：2004-05-24

申请人： Shoji Akiyama ,  Lionel C. Kimerling ,  Kazumi Wada

发明人： Shoji Akiyama ,  Lionel C. Kimerling ,  Kazumi Wada

IPC分类号： G02F1/295 ,  G02B6/26 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02F1/21 ,  G02F1/3136 ,  G02F2001/213 ,  G02F2202/32

摘要： An optical device includes at least two photonic bandgap crystal (PBG) stacks that are each comprised of alternating layers of high and low index materials. A defect region is formed in a cavity region between the at least two photonic bandgap crystal stacks so as to provide the properties needed to reflect light received by the optical device.

摘要翻译： 光学器件包括至少两个光子带隙晶体（PBG）堆叠，每个由高和低折射率材料的交替层组成。 在所述至少两个光子带隙晶体堆叠之间的空腔区域中形成缺陷区域，以便提供反射由光学器件接收的光所需的特性。

公开(公告)号：US07123805B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10869636

申请日：2004-06-16

申请人： Daniel K. Sparacin ,  Kazumi Wada ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Daniel K. Sparacin ,  Kazumi Wada ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097

摘要： The light-guiding structure includes a waveguide structure that comprises a substrate and a low refractive index underclad material. The waveguide structure is oxidized to form an oxidized layer on a surface of the waveguide structure. The oxidized layer is isotropically etched after the reaction-limited oxidation regime is approaching the diffusion-limited regime and repeatedly oxidized and etched so that the waveguide structure is continuously oxidized in the reaction-limited regime, reducing the overall time of oxidation and volume of oxidized material so that the waveguide structure has its sidewall roughness reduced efficiently enabling high transmission rates of guided light.

摘要翻译： 导光结构包括波导结构，其包括基底和低折射率底层材料。 波导结构被氧化以在波导结构的表面上形成氧化层。 在反应限制氧化态接近扩散限制状态后，氧化层进行各向同性蚀刻，并被反复氧化和蚀刻，使得波导结构在反应限制状态下连续氧化，减少氧化的总时间和氧化的体积 材料，使得波导结构的侧壁粗糙度有效地降低，导致导光的高透射率。