公开(公告)号：US09502070B2

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：US14313717

申请日：2014-06-24

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Sethuraman Jayashankar ,  Sarbeswar Sahoo ,  Justin Glen Brons ,  Steve C. Riemer ,  Jie Gong ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B13/08 ,  G11B5/31 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24059 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/02 ,  C22C9/08 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/10 ,  C22C22/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/06 ,  C22C38/06 ,  G11B5/48 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  G11B5/60 ,  C23C14/58 ,  C22C5/04 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C19/07 ,  C22C21/06 ,  C22C24/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  G11B5/00 ,  B32B15/01

CPC classification number: G11B13/08 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/08 ,  C22C9/10 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/003 ,  C22C21/02 ,  C22C21/06 ,  C22C21/10 ,  C22C22/00 ,  C22C24/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/025 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/06 ,  C23C14/5833 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24059 ,  G11B2005/0021

Abstract: A device including a near field transducer, the near field transducer including gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al), and at least two other secondary atoms, the at least two other secondary atoms selected from: boron (B), bismuth (Bi), indium (In), sulfur (S), silicon (Si), tin (Sn), manganese (Mn), tellurium (Te), holmium (Ho), lutetium (Lu), praseodymium (Pr), scandium (Sc), uranium (U), barium (Ba), chlorine (Cl), cesium (Cs), dysprosium (Dy), europium (Eu), fluorine (F), germanium (Ge), hydrogen (H), iodine (I), rubidium (Rb), selenium (Se), terbium (Tb), nitrogen (N), oxygen (O), carbon (C), antimony (Sb), gadolinium (Gd), samarium (Sm), thallium (Tl), cadmium (Cd), neodymium (Nd), phosphorus (P), lead (Pb), hafnium (Hf), niobium (Nb), erbium (Er), zinc (Zn), magnesium (Mg), palladium (Pd), vanadium (V), zinc (Zn), chromium (Cr), iron (Fe), lithium (Li), nickel (Ni), platinum (Pt), sodium (Na), strontium (Sr), calcium (Ca), yttrium (Y), thorium (Th), beryllium (Be), thulium (Tm), erbium (Er), ytterbium (Yb), promethium (Pm), neodymium (Nd cobalt (Co), cerium (Ce), lanthanum (La), praseodymium (Pr), or combinations thereof.

Abstract translation: 一种包括近场换能器的装置，包括金（Au），银（Ag），铜（Cu）或铝（Al）的近场换能器和至少两个其它次级原子，所选择的至少两个其它次级原子 来自：硼（B），铋（Bi），铟（In），硫（S），硅（Si），锡（Sn），锰（Mn），碲（Te），钬（Ho） ），镨（Pr），钪（Sc），铀（U），钡（Ba），氯（Cl），铯（Cs），镝（Dy），铕（Eu），氟（F） ），氢（H），碘（I），铷（Rb），硒（Se），铽（Tb），氮（N），氧（O），碳（C），锑（Sb） ），钐（Sm），铊（Tl），镉（Cd），钕（Nd），磷（P），铅（Pb），铪（Hf），铌（Nb），铒（Er） ），镁（Mg），钯（Pd），钒（V），锌（Zn），铬（Cr），铁（Fe），锂（Li），镍（Ni），铂（Pt） ），锶（Sr），钙（Ca），钇（Y），钍（Th），铍（B 铕（Tm），铒（Er），镱（Yb），ium（Pm），钕（Nd钴（Co），铈（Ce），镧（La），镨（Pr）

公开(公告)号：US09412402B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14879107

申请日：2015-10-09

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B5/48 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof; silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof; or combinations thereof.

Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 的; 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC） 或其组合。

公开(公告)号：US09396748B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US14624066

申请日：2015-02-17

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Chubing Peng ,  Nils Gokemeijer ,  Yuhang Cheng ,  Kaspar Ko ,  Amit Sharma

IPC: G11B5/48 ,  G11B13/08 ,  G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/4866 ,  G11B5/314 ,  G11B5/6088 ,  G11B13/08 ,  G11B2005/0021

Abstract: A method is provided for characterizing the peg region of a near-field transducer incorporated into a write head of a HAMR magnetic recorder. The method includes providing excitation radiation to one or more near-field transducers. The near-field transducers include an enlarged disk region and a peg region at least partially in contact with the enlarged disk region. The method further includes filtering output radiation from the near-field transducers by passing a portion of photoluminescent radiation emitted by the near-field transducers in response to the excitation radiation and substantially blocking the excitation radiation transmitted by the near-field transducers. The method also includes detecting the portion of photoluminescent radiation and characterizing the peg region of at least one of the plurality of near-field transducers.

公开(公告)号：US20160133288A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14938018

申请日：2015-11-11

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Sarbeswar Sahoo ,  Justin Brons ,  Jie Gong ,  Yuhang Cheng

IPC: G11B5/48 ,  C23C14/58 ,  C23C14/18 ,  G11B5/31 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/5806 ,  G11B5/314 ,  G11B5/6088 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices having an air bearing surface (ABS), the device including a near field transducer, the near field transducer having a peg and a disc, the peg having a region adjacent the ABS, the peg including a plasmonic material selected from gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), aluminum (Al), or combinations thereof; and at least one other secondary atom selected from germanium (Ge), tellurium (Te), aluminum (Al), antimony (Sb), tin (Sn), mercury (Hg), indium (In), zinc (Zn), iron (Fe), copper (Cu), manganese (Mn), silver (Ag), chromium (Cr), cobalt (Co), and combinations thereof, wherein a concentration of the secondary atom is higher at the region of the peg adjacent the ABS than a concentration of the secondary atom throughout the bulk of the peg. Methods of forming NFTs are also disclosed.

Abstract translation: 具有空气轴承表面（ABS）的装置，所述装置包括近场换能器，所述近场换能器具有钉和盘，所述钉具有邻近所述ABS的区域，所述钉包括选自金（Au） ，银（Ag），铜（Cu），钌（Ru），铑（Rh），铝（Al）或其组合; 以及选自锗（Ge），碲（Te），铝（Al），锑（Sb），锡（Sn），汞（Hg），铟（In），锌（Zn） （Fe），铜（Cu），锰（Mn），银（Ag），铬（Cr），钴（Co）及其组合，其中在邻近 ABS比整个大块的二次原子浓度高。 还公开了形成NFT的方法。

公开(公告)号：US20160133280A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14935768

申请日：2015-11-09

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Michael Seigler ,  James Wessel ,  Tong Zhao ,  John Duda ,  Sarbeswar Sahoo ,  Hui Brickner ,  Michael Kautzky

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/3106 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a write pole; a near field transducer (NFT) that includes a peg and a disk, wherein the peg is at the ABS of the device; and a diffusion barrier layer positioned between the write pole and the peg of the NFT, the diffusion barrier layer including metals, nitrides, oxides, carbides, silicides, or amorphous material.

Abstract translation: 包括写极点的器件; 包括钉和盘的近场换能器（NFT），其中所述栓在所述装置的ABS处; 以及位于NFT的写入极和钉之间的扩散阻挡层，扩散阻挡层包括金属，氮化物，氧化物，碳化物，硅化物或无定形材料。

公开(公告)号：US20150179194A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14632054

申请日：2015-02-26

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B13/08 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT), the NFT including a peg having five surfaces, the peg including a first material, the first material including gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), iridium (Ir), or combinations thereof; an overlying structure; and at least one intermixing layer, positioned between the peg and the overlying structure, the at least one intermixing layer positioned on at least one of the five surfaces of the peg, the intermixing layer including at least the first material and a second material.

Abstract translation: 包括近场换能器（NFT）的装置，所述NFT包括具有五个表面的钉，所述钉包括第一材料，所述第一材料包括金（Au），银（Ag），铝（Al），铜（Cu） ，钌（Ru），铑（Rh），铱（Ir）或其组合; 上层结构; 以及位于所述栓钉和所述上覆结构之间的至少一个混合层，所述至少一个混合层定位在所述栓钉的五个表面中的至少一个上，所述混合层至少包括所述第一材料和第二材料。

公开(公告)号：US09058824B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14313611

申请日：2014-06-24

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B5/48 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof or combinations thereof.

Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC）或其组合或其组合。

公开(公告)号：US20230114979A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：US17961166

申请日：2022-10-06

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Robert D. Turner ,  Yuhang Cheng ,  Peter W. Kanas ,  Martin Liam McGarry ,  Peter Kevin McGeehin ,  Kevin R. Heim ,  Edward Charles Gage ,  Shaikh Mubassar Ali ,  Huazhou Lou

IPC: G11B33/14 ,  G11B13/08 ,  G11B5/012 ,  G11B5/31

Abstract: A heat-assisted magnetic recording device is disposed in a hermetically sealed enclosure. The device includes a slider comprising a reader, a writer, and an optical waveguide configured to couple light from a light source to a near-field transducer situated at or near an air bearing surface of the slider. The near-field transducer comprises an enlarged portion and a peg extending from the enlarged portion in a direction of the air bearing surface. A fill gas is provided within the enclosure. The fill gas comprises a mixture of a low-density, inert gas and at least one gas that oxidizes carbon, where the total carbon oxidizing gas concentration of the fill gas is 3-50% by volume. In certain embodiments, the fill gas comprises a hydrogen concentration sufficient to retard oxidation of the peg when the peg is at an operating temperature associated with write operations.

公开(公告)号：US11162169B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：US16726512

申请日：2019-12-24

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Sarbeswar Sahoo ,  Justin Brons ,  Jie Gong ,  Yuhang Cheng

IPC: C23C14/58 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00 ,  G11B5/60

Abstract: Devices having an air bearing surface (ABS), the device including a near field transducer, the near field transducer having a peg and a disc, the peg having a region adjacent the ABS, the peg including a plasmonic material selected from gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), aluminum (Al), or combinations thereof; and at least one other secondary atom selected from germanium (Ge), tellurium (Te), aluminum (Al), antimony (Sb), tin (Sn), mercury (Hg), indium (In), zinc (Zn), iron (Fe), copper (Cu), manganese (Mn), silver (Ag), chromium (Cr), cobalt (Co), and combinations thereof, wherein a concentration of the secondary atom is higher at the region of the peg adjacent the ABS than a concentration of the secondary atom throughout the bulk of the peg. Methods of forming NFTs are also disclosed.

公开(公告)号：US10580440B2

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：US16260910

申请日：2019-01-29

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Sarbeswar Sahoo ,  Martin Blaber ,  Hui Brickner ,  Tong Zhao ,  Yuhang Cheng ,  John Duda ,  Tae-Woo Lee

IPC: G11B7/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/00

Abstract: Devices having an air bearing surface (ABS), the devices including a write pole; a near field transducer (NFT) that includes a peg and a disc, wherein the peg is at the ABS of the device; a heat sink positioned adjacent the disc of the NFT; a dielectric gap positioned adjacent the peg of the NFT at the ABS of the device; and a conformal diffusion barrier layer positioned between the write pole and the dielectric gap, the disc, and the heat sink, wherein the conformal diffusion barrier layer forms at least one angle that is not greater than 135°.