公开(公告)号：US08737122B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13416076

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a magnetic memory element and a control unit. The magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer having a magnetization fixed, a second ferromagnetic layer having a magnetization variable and a first nonmagnetic layer provided between the first and second ferromagnetic layers. The second includes a third ferromagnetic layer having a magnetization rorated by a passed current to produce oscillation, a fourth ferromagnetic layer having a magnetization fixed and a second nonmagnetic layer provided between the third and fourth ferromagnetic layers stacked with each other. A frequency of the oscillation changes in accordance with the direction of the magnetization of the second ferromagnetic layer. The control unit includes a reading unit reading out the magnetization of the second ferromagnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括磁存储元件和控制单元。 磁存储元件包括包括第一和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括具有磁化固定的第一铁磁层，具有磁化变化的第二铁磁层和设置在第一和第二铁磁层之间的第一非磁性层。 第二铁磁层具有由通过的电流产生振荡的磁化的第三铁磁层，具有磁化固定的第四铁磁层和设置在彼此堆叠的第三和第四铁磁层之间的第二非磁性层。 振荡的频率根据第二铁磁层的磁化方向而变化。 控制单元包括读出第二铁磁层的磁化的读取单元。

公开(公告)号：US08716034B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13226868

申请日：2011-09-07

申请人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

发明人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic memory, the method includes forming a first magnetic layer having a variable magnetization, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, the second magnetic layer having an invariable magnetization, forming a hard mask layer as a mask on the second magnetic layer, patterning the second magnetic layer by using the mask of the hard mask layer, and executing a GCIB-irradiation by using the mask of the hard mask layer, after the patterning.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁存储器的方法，该方法包括形成具有可变磁化强度的第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层， 具有不变磁化的磁性层，在第二磁性层上形成硬掩模层作为掩模，通过使用硬掩模层的掩模对第二磁性层进行构图，并使用硬掩模的掩模执行GCIB照射 层，图案后。

公开(公告)号：US08680632B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13310154

申请日：2011-12-02

申请人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

发明人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US20130249024A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13601343

申请日：2012-08-31

申请人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L43/06

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body and a conductive shield. The stacked body includes first and second stacked units. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. The first ferromagnetic layer has a fixed magnetization in a first direction. A magnetization direction of the second ferromagnetic layer is variable in a second direction. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer stacked with the first stacked unit in a stacking direction of the first stacked unit. A magnetization direction of the third ferromagnetic layer is variable in a third direction. The conductive shield is opposed to at least a part of a side surface of the second stacked unit. An electric potential of the conductive shield is controllable.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体和导电屏蔽。 堆叠体包括第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层在第一方向上具有固定的磁化强度。 第二铁磁层的磁化方向在第二方向上是可变的。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 第二堆叠单元包括在第一堆叠单元的层叠方向上与第一堆叠单元堆叠的第三铁磁层。 第三铁磁层的磁化方向在第三方向上是可变的。 导电屏蔽与第二堆叠单元的侧表面的至少一部分相对。 导电屏蔽层的电位是可控的。

公开(公告)号：US08514353B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13052726

申请日：2011-03-21

申请人： Naoyoshi Yamada ,  Ryuji Saneto ,  Junichi Ito ,  Shigekazu Suzuki

发明人： Naoyoshi Yamada ,  Ryuji Saneto ,  Junichi Ito ,  Shigekazu Suzuki

IPC分类号： G02F1/1335

CPC分类号： G02B5/201

摘要： A color filter including a red (R) pixel, a green (G) pixel and a blue (B) pixel, wherein at least one of the red (R) pixel, the green (G) pixel and the blue (B) pixel includes one or more kinds of dyes and one or more kinds of pigments and wherein areas of the red (R) pixel, the green (G) pixel and the blue (B) pixel are not the same.

摘要翻译： 一种包括红色（R）像素，绿色（G）像素和蓝色（B））像素的滤色器，其中红色（R）像素，绿色（G）像素和蓝色（B）像素中的至少一个 包括一种或多种染料和一种或多种颜料，并且其中红色（R）像素，绿色（G）像素和蓝色（B）像素的区域不相同。

公开(公告)号：US20130069182A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13419011

申请日：2012-03-13

申请人： Yuichi OHSAWA ,  Tadaomi Daibou ,  Yushi Kato ,  Eiji Kitagawa ,  Saori Kashiwada ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

发明人： Yuichi OHSAWA ,  Tadaomi Daibou ,  Yushi Kato ,  Eiji Kitagawa ,  Saori Kashiwada ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L29/82 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/126 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive effect element includes a first magnetic film having magnetic anisotropy and an invariable magnetization direction in a direction perpendicular to a film plane, a second magnetic film having magnetic anisotropy and a variable magnetization direction in the direction perpendicular to the film plane, and a nonmagnetic film between the first magnetic film and the second magnetic film. At least one of the first and second magnetic films includes a first magnetic layer. The first magnetic layer includes a rare earth metal, a transition metal, and boron.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括在垂直于膜平面的方向上具有磁各向异性和不变磁化方向的第一磁性膜，在垂直于膜的方向上具有磁各向异性和可变磁化方向的第二磁性膜 平面和第一磁性膜与第二磁性膜之间的非磁性膜。 第一和第二磁性膜中的至少一个包括第一磁性层。 第一磁性层包括稀土金属，过渡金属和硼。

公开(公告)号：US08385791B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12659075

申请日：2010-02-24

申请人： Junichi Ito ,  Yukiyoshi Oda ,  Masahiro Kawano ,  Kazuhisa Fukamachi

发明人： Junichi Ito ,  Yukiyoshi Oda ,  Masahiro Kawano ,  Kazuhisa Fukamachi

IPC分类号： G03G15/08

CPC分类号： G03G15/0812

摘要： A developer regulating member regulates a thickness of a layer of a developer on a surface of a developer bearing body. The developer has a degree of circularity in a range from 0.94 to 0.97. The developer regulating member includes a resilient plate member composed of a metal material and having a bent portion. An outer surface of the bent portion contacts the surface of the developer bearing body so that a ridge line of the outer surface of the bent portion crosses a moving direction of the surface of the developer bearing body. A curvature radius R (μm) of the outer surface of the bent portion and a mean crystal grain diameter D (μm) of the metal material satisfy the relationship: 60×10−3×R−11≦D≦93.75×10−3×R−6.875.

摘要翻译： 显影剂调节构件调节显影剂承载体的表面上的显影剂层的厚度。 开发商的圆度在0.94至0.97之间。 显影剂调节构件包括由金属材料构成并具有弯曲部分的弹性板构件。 弯曲部的外表面与显影剂承载体的表面接触，使得弯曲部的外表面的脊线与显影剂承载体的表面的移动方向相交。 弯曲部分的外表面的曲率半径R（μm）和金属材料的平均晶粒直径D（μm）满足关系：60×10-3×R-11＆nlE; D＆nlE; 93.75×10-3 ×R-6.875。

公开(公告)号：US08318313B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12678509

申请日：2008-09-18

申请人： Toru Imori ,  Yoshiyuki Hisumi ,  Junichi Ito ,  Tsukasa Torimoto ,  Kenichi Okazaki ,  Susumu Kuwabata

发明人： Toru Imori ,  Yoshiyuki Hisumi ,  Junichi Ito ,  Tsukasa Torimoto ,  Kenichi Okazaki ,  Susumu Kuwabata

IPC分类号： B32B15/02 ,  B05D1/36 ,  B05D5/00

CPC分类号： B22F1/0018 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/288 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

摘要： A metal nano particle can be supported and immobilized on a substrate uniformly. Thus, disclosed is a method for supporting a nano metal particle, which comprises applying a silane coupling agent having at least one functional group capable of capturing a metal (e.g., an imidazole group, an amino group, a diamino group, a mercapto group, and a vinyl group) in its molecule on a substrate, and then contacting the silane coupling agent with a nano particle of a metal (e.g., gold, platinum, silver, copper, palladium, nickel, cobalt), wherein the silane coupling agent may be produced by the reaction between an azole compound with an epoxysilane compound, and wherein the metal nano particle to be contacted with the silane coupling agent is preferably coated with an ionic fluid. Also disclosed is a substrate having a metal nano particle supported thereon, which is produced by the method.

摘要翻译： 金属纳米颗粒可以均匀地负载并固定在基材上。 因此，公开了一种支撑纳米金属粒子的方法，其包括：将具有至少一个能够捕获金属的官能团的硅烷偶联剂（例如，咪唑基，氨基，二氨基，巯基， 和乙烯基），然后使硅烷偶联剂与金属（例如金，铂，银，铜，钯，镍，钴）的纳米颗粒接触，其中硅烷偶联剂可以 可以通过唑类化合物与环氧硅烷化合物的反应来制造，其中与硅烷偶联剂接触的金属纳米颗粒优选用离子液体包覆。 还公开了通过该方法制造的具有负载在其上的金属纳米粒子的基板。

公开(公告)号：US08283051B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12737399

申请日：2009-07-13

申请人： Junichi Ito ,  Atsushi Yabe ,  Junnosuke Sekiguchi ,  Toru Imori ,  Yasuhiro Yamakoshi ,  Shinichiro Senda

发明人： Junichi Ito ,  Atsushi Yabe ,  Junnosuke Sekiguchi ,  Toru Imori ,  Yasuhiro Yamakoshi ,  Shinichiro Senda

IPC分类号： B32B15/08

CPC分类号： C23C18/54 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/165 ,  C25D3/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/12903

摘要： A plated product made of a substrate having formed thereon an alloy barrier thin film for preventing copper diffusion contains metal B, which has barrier properties in relation to copper and enables displacement plating with the copper ions contained in an electroless copper plating solution, and metal A, which tends to have less ionization than metal B in an electroless copper plating solution at a pH of 10 or higher; the alloy barrier thin film for preventing copper diffusion has a composition wherein metal A constitutes between 15 and 35 at % of the atoms; and a copper thin film is formed on the alloy barrier thin film by electroless plating using an electroless copper plating solution at a pH of 10 or higher.

摘要翻译： 由其上形成有用于防止铜扩散的合金阻挡薄膜的基板制成的电镀产品包含金属B，该金属B具有与铜相关的阻挡性能，并且能够与无电镀铜溶液中包含的铜离子进行置换镀覆，并且金属A 在pH为10以上的化学镀铜溶液中倾向于具有比金属B更少的离子化; 用于防止铜扩散的合金阻挡薄膜具有其中金属A构成原子的15至35原子％的组成; 并且通过使用pH为10以上的化学镀铜溶液进行化学镀，在合金阻挡薄膜上形成铜薄膜。

公开(公告)号：US20120244640A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13226960

申请日：2011-09-07

申请人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

发明人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a multilayer film, the method includes forming a first layer, forming a second layer on the first layer, and transcribing a crystal information of one of the first and second layers to the other one of the first and second layers by executing a GCIB-irradiation to the second layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造多层膜的方法，该方法包括：形成第一层，在第一层上形成第二层，以及将第一层和第二层之一的晶体信息转录到第一层中的另一层 并且通过对第二层执行GCIB照射来产生第二层。