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    Methods of forming fin field effect transistors using oxidation barrier layers and related devices
    32.
    发明申请
    Methods of forming fin field effect transistors using oxidation barrier layers and related devices 有权
    使用氧化阻挡层和相关器件形成鳍式场效应晶体管的方法

    公开(公告)号：US20050272192A1

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：US11020899

    申请日：2004-12-23

    申请人： Chang-Woo Oh ,  Dong-Gun Park ,  Dong-Won Kim ,  Yong-Kyu Lee

    发明人： Chang-Woo Oh ,  Dong-Gun Park ,  Dong-Won Kim ,  Yong-Kyu Lee

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7854 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78645

    摘要： A method of forming a fin field effect transistor on a semiconductor substrate includes forming a fin-shaped active region vertically protruding from the substrate. An oxide layer is formed on a top surface and opposing sidewalls of the fin-shaped active region. An oxidation barrier layer is formed on the opposing sidewalls of the fin-shaped active region and is planarized to a height no greater than about a height of the oxide layer to form a fin structure. The fin structure is oxidized to form a capping oxide layer on the top surface of the fin-shaped active region and to form at least one curved sidewall portion proximate the top surface of the fin-shaped active region. The oxidation barrier layer has a height sufficient to reduce oxidation on the sidewalls of the fin-shaped active region about halfway between the top surface and a base of the fin-shaped active region. Related devices are also discussed.

    摘要翻译： 在半导体衬底上形成鳍状场效应晶体管的方法包括形成从衬底垂直突出的鳍状有源区。 在鳍状有源区的上表面和相对侧壁上形成氧化物层。 在翅片状有源区域的相对的侧壁上形成氧化阻挡层，并将其平坦化至不大于氧化物层高度的高度以形成翅片结构。 翅片结构被氧化以在翅片形有源区的顶表面上形成封盖氧化层，并且在翅片形有源区的顶表面附近形成至少一个弯曲的侧壁部分。 氧化阻挡层的高度足以减小翅片形有源区的侧壁上的氧化，大约在鳍状有源区的顶表面和基底之间的一半处。 还讨论了相关设备。

    Memory devices and methods of operating the same
    34.
    发明授权
    Memory devices and methods of operating the same 有权
    内存设备及操作方法

    公开(公告)号：US09418739B2

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：US14616806

    申请日：2015-02-09

    申请人： Yong-Kyu Lee ,  Yeong-Taek Lee

    发明人： Yong-Kyu Lee ,  Yeong-Taek Lee

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

    摘要： Methods of operating a memory device include; applying a first set write voltage to a selected first signal line connected to a selected memory cell, applying a first inhibition voltage to non-selected first signal lines connected to non-selected memory cells, and controlling a first voltage of a selected second signal line connected to the selected memory cell to be less than the first set write voltage, and a difference between the first inhibition voltage and the first voltage is less than a threshold voltage of the selection element.

    摘要翻译： 操作存储设备的方法包括： 对连接到所选择的存储单元的所选择的第一信号线施加第一组写入电压，向连接到未选择的存储器单元的未选择的第一信号线施加第一抑制电压，以及控制所选择的第二信号线的第一电压 连接到所选择的存储单元以小于第一设置写入电压，并且第一抑制电压和第一电压之间的差小于选择元件的阈值电压。

    Non-volatile memory device
    35.
    发明授权
    Non-volatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08526231B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13177873

    申请日：2011-07-07

    申请人： Yong-Kyu Lee ,  Tea-Kwang Yu ,  Bo-Young Seo

    发明人： Yong-Kyu Lee ,  Tea-Kwang Yu ,  Bo-Young Seo

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/0408 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3418

    摘要： A non-volatile memory device includes a first sector including a first sector selection transistor and a first plurality of pages connected to the first sector selection transistor, and a second sector including a second sector selection transistor and a second plurality of pages connected to the second sector selection transistor. Each of the first and second plurality of pages includes a memory transistor and a selection transistor, and a number of pages in the first plurality of pages is greater than a number of pages in the second plurality of pages.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括第一扇区，包括第一扇区选择晶体管和连接到第一扇区选择晶体管的第一多个页，以及包括第二扇区选择晶体管的第二扇区和连接到第二扇区选择晶体管的第二多个页 扇区选择晶体管。 第一和第二多页中的每一页包括存储晶体管和选择晶体管，并且第一多页中的页数大于第二多页中的页数。

    Erasing method in non-volatile memory device
    39.
    发明授权
    Erasing method in non-volatile memory device 有权
    非易失性存储器件中的擦除方法

    公开(公告)号：US06724661B2

    公开(公告)日：2004-04-20

    申请号：US10090902

    申请日：2002-05-31

    申请人： Yong-Kyu Lee ,  Dong-Jun Kim ,  Min-Soo Cho ,  Eui-Youl Ryu ,  Jin-Ho Kim

    发明人： Yong-Kyu Lee ,  Dong-Jun Kim ,  Min-Soo Cho ,  Eui-Youl Ryu ,  Jin-Ho Kim

    IPC分类号： G11C1604

    CPC分类号： G11C16/14

    摘要： A method for performing an erase operation in a memory cell. A first voltage and a second voltage are applied to the source and drain regions, respectively, for a predetermined erase time; and the first and second voltages are switched with each other between the source and drain regions at least one time for the erase time. Thereby, hole is easily injected to the source and drain regions and a channel lateral surface, and a uniform and high-speed erase operation is archived.

    摘要翻译： 一种在存储单元中执行擦除操作的方法。 分别在源极和漏极区域施加第一电压和第二电压达预定的擦除时间; 并且第一和第二电压在源极和漏极区之间彼此切换至少一次以用于擦除时间。 因此，孔容易地注入到源极和漏极区域以及沟道横向表面，并且存储均匀且高速的擦除操作。

    Nonvolatile memory device having variable resistive elements and method of driving the same
    40.
    发明授权
    Nonvolatile memory device having variable resistive elements and method of driving the same 有权
    具有可变电阻元件的非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：US09208874B2

    公开(公告)日：2015-12-08

    申请号：US14083470

    申请日：2013-11-19

    申请人： Yong-Kyu Lee ,  Bo-Geun Kim

    发明人： Yong-Kyu Lee ,  Bo-Geun Kim

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56

    CPC分类号： G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0085 ,  G11C2211/5622 ,  G11C2213/72

    摘要： A method is provided for driving a nonvolatile memory device. The method includes selecting first write drivers based on a predetermined current, performing a first program operation on resistive memory cells corresponding to the first write drivers, verifying whether the resistive memory cells have passed or failed in the first program operation and sorting information regarding failed bit memory cells that failed in the first program operation, selecting second write drivers based on the sorted failed bit memory cell information, and performing a second program operation on resistive memory cells corresponding to the second write drivers.

    摘要翻译： 提供了用于驱动非易失性存储器件的方法。 该方法包括基于预定电流选择第一写入驱动器，对与第一写入驱动器相对应的电阻存储器单元执行第一编程操作，在第一程序操作中验证电阻性存储器单元是否已经通过或失败，以及关于故障位的排序信息 在第一程序操作中失败的存储器单元，基于分类的故障位存储器单元信息选择第二写驱动器，以及对与第二写驱动器相对应的电阻存储单元执行第二程序操作。