公开(公告)号：US08418088B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12613221

申请日：2009-11-05

申请人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

发明人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/144 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70516

摘要： A method of efficient optical and resist parameters calibration based on simulating imaging performance of a lithographic process utilized to image a target design having a plurality of features. The method includes the steps of determining a function for generating a simulated image, where the function accounts for process variations associated with the lithographic process; and generating the simulated image utilizing the function, where the simulated image represents the imaging result of the target design for the lithographic process. Systems and methods for calibration of lithographic processes whereby a polynomial fit is calculated for a nominal configuration of the optical system and which can be used to estimate critical dimensions for other configurations.

摘要翻译： 一种基于模拟用于对具有多个特征进行成像的目标设计的光刻工艺的成像性能的有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法。 该方法包括以下步骤：确定用于产生模拟图像的功能，其中该功能考虑到与光刻工艺相关联的工艺变化; 并利用该功能产生模拟图像，其中模拟图像表示用于光刻工艺的目标设计的成像结果。 用于校准光刻过程的系统和方法，由此针对光学系统的标称配置计算多项式拟合，并且其可以用于估计其他配置的关键尺寸。

公开(公告)号：US20120269421A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13533942

申请日：2012-06-26

申请人： Jun Ye ,  Yen-Wen Lu ,  Yu Cao ,  Luogi Chen ,  Xun Chen

发明人： Jun Ye ,  Yen-Wen Lu ,  Yu Cao ,  Luogi Chen ,  Xun Chen

IPC分类号： G06K9/36 ,  G06K9/54

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70666 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/14 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  G21K5/00

摘要： In one aspect, the present invention is directed to a technique of, and system for simulating, verifying, inspecting, characterizing, determining and/or evaluating the lithographic designs, techniques and/or systems, and/or individual functions performed thereby or components used therein. In one embodiment, the present invention is a system and method that accelerates lithography simulation, inspection, characterization and/or evaluation of the optical characteristics and/or properties, as well as the effects and/or interactions of lithographic systems and processing techniques.

摘要翻译： 在一个方面，本发明涉及用于模拟，验证，检查，表征，确定和/或评估光刻设计，技术和/或系统的技术和系统，和/或由其执行的各个功能或使用的组件 其中。 在一个实施例中，本发明是加速光刻特性和/或性质的光刻模拟，检查，表征和/或评估以及光刻系统和处理技术的效果和/或相互作用的系统和方法。

公开(公告)号：US20120253774A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13494773

申请日：2012-06-12

申请人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

发明人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70991

摘要： A method of efficient simulating imaging performance of a lithographic process utilized to image a target design having a plurality of features. The method includes the steps of determining a function for generating a simulated image, where the function accounts for process variations associated with the lithographic process; and generating the simulated image utilizing the function, where the simulated image represents the imaging result of the target design for the lithographic process.

摘要翻译： 一种有效地模拟用于对具有多个特征进行成像的目标设计的光刻工艺的成像性能的方法。 该方法包括以下步骤：确定用于产生模拟图像的功能，其中该功能考虑到与光刻工艺相关联的工艺变化; 并利用该功能产生模拟图像，其中模拟图像表示用于光刻工艺的目标设计的成像结果。

公开(公告)号：US20120005637A9

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US12615004

申请日：2009-11-09

申请人： Yu Cao ,  Wenjin Shao ,  Henying Feng ,  Fel Du ,  Martin Snajdr

发明人： Yu Cao ,  Wenjin Shao ,  Henying Feng ,  Fel Du ,  Martin Snajdr

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70666

摘要： The present invention generally relates to simulating a lithographic process, and more particularly to methods for smart selection and smart weighting when selecting parameters and/or kernels used in aerial image computation. According to one aspect, advantages in simulation throughput and/or accuracy can be achieved by selecting TCC kernels more intelligently, allowing highly accurate aerial images to be simulated using a relatively fewer number of TCC kernels than in the state of the art. In other words, the present invention allows for aerial images to be simulated with the same or better accuracy using much less simulation throughput than required in the prior art, all else being equal.

摘要翻译： 本发明一般涉及光刻过程的模拟，更具体地说，涉及在选择在空间图像计算中使用的参数和/或内核时智能选择和智能加权的方法。 根据一个方面，可以通过更智能地选择TCC核来实现模拟吞吐量和/或精度的优点，从而能够使用比现有技术中相对较少数量的TCC内核来模拟高精度的空间图像。 换句话说，本发明允许使用比现有技术中所需要的模拟吞吐量低得多的相同或更好的精度来模拟航空图像，其他所有方面都相同。

公开(公告)号：US20110083113A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12964697

申请日：2010-12-09

申请人： Jun Ye ,  Yen-Wen Lu ,  Yu Cao ,  Luoqi Chen ,  Xun Chen

发明人： Jun Ye ,  Yen-Wen Lu ,  Yu Cao ,  Luoqi Chen ,  Xun Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70666 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/14 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  G21K5/00

摘要： There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a technique of, and system for simulating, verifying, inspecting, characterizing, determining and/or evaluating the lithographic designs, techniques and/or systems, and/or individual functions performed thereby or components used therein. In one embodiment, the present invention is a system and method that accelerates lithography simulation, inspection, characterization and/or evaluation of the optical characteristics and/or properties, as well as the effects and/or interactions of lithographic systems and processing techniques. In this regard, in one embodiment, the present invention employs a lithography simulation system architecture, including application-specific hardware accelerators, and a processing technique to accelerate and facilitate verification, characterization and/or inspection of a mask design, for example, RET design, including detailed simulation and characterization of the entire lithography process to verify that the design achieves and/or provides the desired results on final wafer pattern. The system includes: (1) general purpose-type computing device(s) to perform the case-based logic having branches and inter-dependency in the data handling and (2) accelerator subsystems to perform a majority of the computation intensive tasks.

摘要翻译： 这里描述和说明了许多发明。 在一个方面，本发明涉及用于模拟，验证，检查，表征，确定和/或评估光刻设计，技术和/或系统的技术和系统，和/或由其执行的单独功能或所使用的组件 其中。 在一个实施例中，本发明是加速光刻特性和/或性质的光刻模拟，检查，表征和/或评估以及光刻系统和处理技术的效果和/或相互作用的系统和方法。 在这方面，在一个实施例中，本发明采用光刻仿真系统架构，包括特定于应用的硬件加速器，以及用于加速和促进掩模设计的验证，表征和/或检验的处理技术，例如RET设计 ，包括对整个光刻工艺进行详细的仿真和表征，以验证设计在最终的晶片图案上实现和/或提供期望的结果。 该系统包括：（1）通用目的型计算设备，用于执行在数据处理中具有分支和相互依赖性的基于案例的逻辑，以及（2）加速器子系统执行大部分计算密集型任务。

公开(公告)号：US20100203430A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12663121

申请日：2008-06-03

申请人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

发明人： Jun Ye ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70666

摘要： Methods are disclosed to create efficient model-based Sub-Resolution Assist Features (MB-SRAF). An SRAF guidance map is created, where each design target edge location votes for a given field point on whether a single-pixel SRAF placed on this field point would improve or degrade the aerial image over the process window. In one embodiment, the SRAF guidance map is used to determine SRAF placement rules and/or to fine-tune already-placed SRAFs. The SRAF guidance map can be used directly to place SRAFs in a mask layout. Mask layout data including SRAFs may be generated, wherein the SRAFs are placed according to the SRAF guidance map. The SRAF guidance map can comprise an image in which each pixel value indicates whether the pixel would contribute positively to edge behavior of features in the mask layout if the pixel is included as part of a sub-resolution assist feature.

摘要翻译： 公开了创建有效的基于模型的子分辨率辅助特征（MB-SRAF）的方法。 创建SRAF指南图，其中每个设计目标边缘位置对于给定的场点投票，放置在该场点上的单像素SRAF是否将改善或降级过程窗口上的空中图像。 在一个实施例中，SRAF引导图用于确定SRAF放置规则和/或微调已经放置的SRAF。 SRAF引导图可以直接用于将SRAF放置在掩码布局中。 可以生成包括SRAF的掩模布局数据，其中根据SRAF引导图放置SRAF。 SRAF引导图可以包括图像，其中每个像素值指示如果像素被包括为子分辨率辅助特征的一部分，则像素是否将对掩模布局中的特征的边缘行为贡献积极。

公开(公告)号：US20100146475A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12613285

申请日：2009-11-05

申请人： Yu Cao ,  Hanying Feng ,  Jun Ye

发明人： Yu Cao ,  Hanying Feng ,  Jun Ye

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/144 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70483 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70991 ,  G06F17/5068

摘要： The present invention relates to a method for tuning lithography systems so as to allow different lithography systems to image different patterns utilizing a known process that does not require a trial and error process to be performed to optimize the process and lithography system settings for each individual lithography system. According to some aspects, the present invention relates to a method for a generic model-based matching and tuning which works for any pattern. Thus it eliminates the requirements for CD measurements or gauge selection. According to further aspects, the invention is also versatile in that it can be combined with certain conventional techniques to deliver excellent performance for certain important patterns while achieving universal pattern coverage at the same time.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于调整光刻系统的方法，以便允许不同的光刻系统利用不需要进行试验和误差处理的已知工艺对不同的图案进行成像，以优化每个单独光刻的工艺和光刻系统设置 系统。 根据一些方面，本发明涉及一种用于任何模式的基于模型的通用匹配和调整的方法。 因此，它消除了对CD测量或量规选择的要求。 根据其它方面，本发明也是通用的，因为它可以与某些常规技术相结合，以在同时实现通用图案覆盖的同时为某些重要图案提供优异的性能。

公开(公告)号：US20100119961A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12613221

申请日：2009-11-05

申请人： Jun YE ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

发明人： Jun YE ,  Yu Cao ,  Hanying Feng

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/32

CPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/144 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70516

摘要： A method of efficient optical and resist parameters calibration based on simulating imaging performance of a lithographic process utilized to image a target design having a plurality of features. The method includes the steps of determining a function for generating a simulated image, where the function accounts for process variations associated with the lithographic process; and generating the simulated image utilizing the function, where the simulated image represents the imaging result of the target design for the lithographic process. Systems and methods for calibration of lithographic processes whereby a polynomial fit is calculated for a nominal configuration of the optical system and which can be used to estimate critical dimensions for other configurations.

摘要翻译： 一种基于模拟用于对具有多个特征进行成像的目标设计的光刻工艺的成像性能的有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法。 该方法包括以下步骤：确定用于产生模拟图像的功能，其中该功能考虑到与光刻工艺相关联的工艺变化; 并利用该功能产生模拟图像，其中模拟图像表示用于光刻工艺的目标设计的成像结果。 用于校准光刻过程的系统和方法，由此针对光学系统的标称配置计算多项式拟合，并且其可以用于估计其他配置的关键尺寸。

公开(公告)号：US20100003321A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US11915096

申请日：2007-06-26

申请人： Yu Cao ,  Yatindra Joshi ,  Ping Li ,  Madhusudhan Pudipeddi ,  Alan E. Royce ,  Robert F. Wagner ,  Jiahao Zhu

发明人： Yu Cao ,  Yatindra Joshi ,  Ping Li ,  Madhusudhan Pudipeddi ,  Alan E. Royce ,  Robert F. Wagner ,  Jiahao Zhu

IPC分类号： A61K31/549 ,  A61K9/20 ,  A61P9/00 ,  A61P25/00

CPC分类号： A61K9/2054 ,  A61K9/209 ,  A61K31/41 ,  A61K31/4422 ,  A61K31/549 ,  A61K2300/00

摘要： Monolayer, bilayer and trilayer solid dosage forms of a combination of valsartan, amlodipine and hydrochlorothiazide are made.

摘要翻译： 制备缬沙坦，氨氯地平和氢氯噻嗪组合的单层，双层和三层固体剂型。

公开(公告)号：US20090300573A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12475095

申请日：2009-05-29

申请人： Yu Cao ,  Wenjin Shao ,  Ronaldus Johannes Gijsbertus Goossens ,  Jun Ye ,  James Patrick Koonmen

发明人： Yu Cao ,  Wenjin Shao ,  Ronaldus Johannes Gijsbertus Goossens ,  Jun Ye ,  James Patrick Koonmen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： B29C67/0088 ,  B29C64/386 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70525 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5081

摘要： Systems and methods for process simulation are described. The methods may use a reference model identifying sensitivity of a reference scanner to a set of tunable parameters. Chip fabrication from a chip design may be simulated using the reference model, wherein the chip design is expressed as one or more masks. An iterative retuning and simulation process may be used to optimize critical dimension in the simulated chip and to obtain convergence of the simulated chip with an expected chip. Additionally, a designer may be provided with a set of results from which an updated chip design is created.

摘要翻译： 描述了过程仿真的系统和方法。 这些方法可以使用标识参考扫描仪对一组可调谐参数的灵敏度的参考模型。 可以使用参考模型来模拟来自芯片设计的芯片制造，其中芯片设计被表示为一个或多个掩模。 可以使用迭代重调和仿真过程来优化模拟芯片中的关键尺寸，并获得模拟芯片与预期芯片的收敛。 此外，可以向设计者提供一组结果，从中创建更新的芯片设计。