公开(公告)号：US08188505B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12292593

申请日：2008-11-21

申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104μm2 and 6.2×104 μm2.

摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的面积在1.5×104μm2和​​6.2×104μm2之间。

公开(公告)号：US20120012867A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13186218

申请日：2011-07-19

申请人： Chien-Fu Shen ,  Schang-Jing Hon ,  Tsun-Kai Ko ,  Alexander Chan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Cheng Nan Han

发明人： Chien-Fu Shen ,  Schang-Jing Hon ,  Tsun-Kai Ko ,  Alexander Chan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Cheng Nan Han

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L25/0753 ,  F21K9/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2105/12 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The present application provides a multi-dimensional light-emitting device electrically connected to a power supply system. The multi-dimensional light-emitting device comprises a substrate, a blue light-emitting diode array and one or more phosphor layers. The blue light-emitting diode array, disposed on the substrate, comprises a plurality of blue light-emitting diode chips which are electrically connected. The multi-dimensional light-emitting device comprises a central area and a plurality of peripheral areas, which are arranged around the central area. The phosphor layer covers the central area. When the power supply system provides a high voltage, the central area and the peripheral areas of the multi-dimensional light-emitting device provide a first light and a plurality of second lights, respectively. The first light and the second lights are blended into a mixed light.

摘要翻译： 本申请提供了电连接到电源系统的多维发光装置。 多维发光装置包括基板，蓝色发光二极管阵列和一个或多个荧光体层。 设置在基板上的蓝色发光二极管阵列包括电连接的多个蓝色发光二极管芯片。 多维发光装置包括围绕中心区域布置的中心区域和多个周边区域。 磷光体层覆盖中心区域。 当电源系统提供高电压时，多维发光装置的中心区域和外围区域分别提供第一光和多个第二光。 第一个光和第二个光被混合成混合光。

公开(公告)号：US08043878B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12379561

申请日：2009-02-25

申请人： Ta-Cheng Hsu ,  Jung-Min Hwang ,  Min-Hsun Liu ,  Ya-Lan Yang ,  De-Shan Kuo ,  Tsun-Kai Ko ,  Chien-Fu Shen ,  Ting-Chia Ko ,  Schang-Jing Hon

发明人： Ta-Cheng Hsu ,  Jung-Min Hwang ,  Min-Hsun Liu ,  Ya-Lan Yang ,  De-Shan Kuo ,  Tsun-Kai Ko ,  Chien-Fu Shen ,  Ting-Chia Ko ,  Schang-Jing Hon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0095

摘要： A method for manufacturing a light-emitting device comprising the steps of cutting a light-emitting unit by a laser beam, and cleaning the light-emitting unit by an acid solution to remove by-products resulted from the laser cutting.

摘要翻译： 一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：用激光束切割发光单元，用酸溶液清洗发光单元，除去激光切割产生的副产物。

公开(公告)号：USD644188S1

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US29367759

申请日：2010-08-12

申请人： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon

设计人： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon

公开(公告)号：US20110089442A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12830059

申请日：2010-07-02

申请人： Chang-Huei Jing ,  Chien-Fu Shen

发明人： Chang-Huei Jing ,  Chien-Fu Shen

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic device comprising: a substrate; a plurality of semiconductor units electrically connected with each other and disposed jointly on the substrate, wherein each semiconductor unit comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active region interposed between thereof; a plurality of first electrodes disposed on each first semiconductor layer respectively; and a plurality of second electrodes disposed on each second semiconductor layer respectively, wherein at least one of the first electrodes comprises a first extension, and at least one of the second electrodes comprises a second extension, wherein at least one of the first extension and the second extension comprises a curve which is not parallel to the edge of the semiconductor units.

摘要翻译： 一种光电器件，包括：基板; 多个半导体单元彼此电连接并且共同设置在所述基板上，其中每个半导体单元包括第一半导体层，第二半导体层和插入其间的有源区; 分别设置在每个第一半导体层上的多个第一电极; 以及分别设置在每个第二半导体层上的多个第二电极，其中所述第一电极中的至少一个包括第一延伸部，并且所述第二电极中的至少一个包括第二延伸部，其中所述第一延伸部和 第二延伸部包括不与半导体单元的边缘平行的曲线。

公开(公告)号：US20050208691A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10960616

申请日：2004-10-06

申请人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

发明人： Shih-Chang Shei ,  Yen-Wei Chen ,  Wei-Shou Chen ,  Chia-Sheng Chang ,  Hsin-Ming Lo ,  Chien-Fu Shen

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42

摘要： A method for manufacturing a light-emitting diode (LED) is described. The method comprises: providing a temporary substrate; forming an illuminant epitaxial structure on the temporary substrate; forming a first transparent conductive layer on the illuminant epitaxial structure; forming a metal substrate on the first transparent conductive layer; forming an adhesion layer on the metal substrate; providing a supporting substrate, wherein the supporting substrate is connected to the metal substrate by the adhesion layer; removing the temporary substrate, so as to expose a surface of the illuminant epitaxial structure; forming a second transparent conductive layer on the exexposed surface of the illuminant epitaxial structure; and forming an electrode on a portion of the second transparent conductive layer.

摘要翻译： 对发光二极管（LED）的制造方法进行说明。 该方法包括：提供临时衬底; 在所述临时衬底上形成发光体外延结构; 在所述发光体外延结构上形成第一透明导电层; 在所述第一透明导电层上形成金属基板; 在所述金属基板上形成粘合层; 提供支撑衬底，其中所述支撑衬底通过所述粘附层连接到所述金属衬底; 去除所述临时衬底，以暴露所述光源外延结构的表面; 在所述光源外延结构的所述外露表面上形成第二透明导电层; 以及在所述第二透明导电层的一部分上形成电极。