公开(公告)号：US08625648B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13393167

申请日：2010-08-19

申请人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

发明人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

摘要： An edge emitting semiconductor laser (1) is specified, comprising an n-side waveguide region (21) and a p-side waveguide region (22); an active zone (20) for generating electromagnetic radiation; at least one reflection layer (24) in the n-side waveguide region (21), wherein the active zone (20) is arranged between the two waveguide regions (21, 22), the thickness of the n-side waveguide region (21) is greater than that of the p-side waveguide region (22), the refractive index of the reflection layer (24) is less than the refractive index of the n-side waveguide region (21) adjoining the reflection layer (24).

摘要翻译： 指定边缘发射半导体激光器（1），其包括n侧波导区域（21）和p侧波导区域（22）; 用于产生电磁辐射的活动区域（20）; 所述n侧波导区域（21）中的至少一个反射层（24），其中所述有源区域（20）布置在所述两个波导区域（21,22）之间，所述n侧波导区域（21）的厚度 ）大于p侧波导区域（22）的折射率，反射层（24）的折射率小于与反射层（24）相邻的n侧波导区域（21）的折射率。

公开(公告)号：US08565278B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12863673

申请日：2009-03-09

申请人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

发明人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/173

摘要： A semiconductor component includes a semiconductor body with a semiconductor layer sequence having an active region, provided for generating coherent radiation, and an indicator layer. With respect to an interface which delimits the semiconductor body in regions in a vertical direction, on that side of said interface which is remote from the active region, the semiconductor body has a web-like region extending in a vertical direction between the interface and a surface of the semiconductor body. The indicator layer has a material composition that differs from that of the material of the web-like region which adjoins the indicator layer. A distance between the indicator layer and the surface is at most of the same magnitude as a distance between the interface and the surface.

摘要翻译： 半导体部件包括具有半导体层序列的半导体本体，其具有用于产生相干辐射的有源区域和指示层。 关于在垂直方向的区域中限定半导体本体的界面，在远离有源区的所述界面的该侧，半导体本体具有在界面和a之间沿垂直方向延伸的网状区域 半导体体的表面。 指示剂层具有与邻接指示剂层的网状区域的材料组成不同的材料组成。 指示剂层和表面之间的距离与界面和表面之间的距离最大相同的大小。

公开(公告)号：US08502264B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12298723

申请日：2007-04-20

申请人： Volker Hârle ,  Uwe Strauss ,  Georg Brüderl ,  Christoph Eichler ,  Adrian Avramescu

发明人： Volker Hârle ,  Uwe Strauss ,  Georg Brüderl ,  Christoph Eichler ,  Adrian Avramescu

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L31/184 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/544

摘要： A composite substrate (1) comprising a substrate body (2) and a utility layer (31) fixed on the substrate body (2). A planarization layer (4) is arranged between the utility layer (31) and the substrate body (2). A method for producing a composite substrate (1) applies a planarization layer (4) on a provided utility substrate (3). The utility substrate (3) is fixed on a substrate body (2) for the composite substrate (1). The utility substrate (3) is subsequently separated, wherein a utility layer (31) of the utility substrate (3) remains for the composite substrate (1) on the substrate body (2).

摘要翻译： 一种复合基板（1），其包括固定在所述基板主体（2）上的基板主体（2）和有效层（31）。 在实用层（31）和基板主体（2）之间布置有平坦化层（4）。 复合基板（1）的制造方法在设置的实用基板（3）上涂敷平坦化层（4）。 该实用基板（3）固定在复合基板（1）的基板主体（2）上。 随后分离实用基板（3），其中保留用于基板主体（2）上的复合基板（1）的效用基板（3）的有用层（31）。

公开(公告)号：US20120201262A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13393167

申请日：2010-08-19

申请人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

发明人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

摘要： An edge emitting semiconductor laser (1) is specified, comprising an n-side waveguide region (21) and a p-side waveguide region (22); an active zone (20) for generating electromagnetic radiation; at least one reflection layer (24) in the n-side waveguide region (21), wherein the active zone (20) is arranged between the two waveguide regions (21, 22), the thickness of the n-side waveguide region (21) is greater than that of the p-side waveguide region (22), the refractive index of the reflection layer (24) is less than the refractive index of the n-side waveguide region (21) adjoining the reflection layer (24).

摘要翻译： 指定边缘发射半导体激光器（1），其包括n侧波导区域（21）和p侧波导区域（22）; 用于产生电磁辐射的活动区域（20）; 所述n侧波导区域（21）中的至少一个反射层（24），其中所述有源区域（20）布置在所述两个波导区域（21,22）之间，所述n侧波导区域（21）的厚度 ）大于p侧波导区域（22）的折射率，反射层（24）的折射率小于与反射层（24）相邻的n侧波导区域（21）的折射率。

公开(公告)号：US08012256B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11668718

申请日：2007-01-30

申请人： Georg Brüderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

发明人： Georg Brüderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

IPC分类号： C30B29/06

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： Disclosed are a method of fabricating a quasi-substrate wafer with a subcarrier wafer and a growth layer, and a semiconductor body fabricated using such a quasi-substrate wafer. In the method of fabricating a quasi-substrate wafer, a growth substrate water is fabricated that is provided with a separation zone and comprises the desired material of the growth layer. The growth substrate wafer is provided with a stress that counteracts a stress generated by the formation of the separation zone, and/or the stress generated by the formation of the separation zone is distributed, by structuring a first main race of the growth substrate water and/or the separation zone, to a plurality of subregions along the first main face. The growth substrate wafer with separation zone exhibits no or only slight bowing.

摘要翻译： 公开了一种制造具有子载波晶片和生长层的准衬底晶片的方法，以及使用这种准衬底晶片制造的半导体本体。 在制造准衬底晶片的方法中，制造生长衬底晶片，其生长具有分离区并且包含生长层的所需材料。 生长衬底晶片具有抵消由形成分离区产生的应力的应力和/或分离区形成所产生的应力，通过构建生长衬底晶片的第一主面和 /或分离区，沿着第一主面向多个子区域。 具有分离区的生长衬底晶片没有显示或仅显示轻微的弯曲。

公开(公告)号：US07943484B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11991488

申请日：2006-08-07

申请人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

发明人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for laterally dividing a semiconductor wafer (1) comprises the method steps of: providing a growth substrate (2); epitaxially growing a semiconductor layer sequence (3), which comprises a functional semiconductor layer (5), onto the growth substrate (2); applying a mask layer (10) to partial regions of the semiconductor layer sequence (3) in order to produce masked regions (11) and unmasked regions (12); implanting ions through the unmasked regions (12) in order to produce implantation regions (13) in the semiconductor wafer (1); and dividing the semiconductor wafer (1) along the implantation regions (13), wherein the growth substrate (2) or at least one part of the growth substrate (2) is separated from the semiconductor wafer.

摘要翻译： 一种用于横向分割半导体晶片（1）的方法包括以下方法步骤：提供生长衬底（2）; 在生长衬底（2）上外延生长包括功能半导体层（5）的半导体层序列（3）; 将掩模层（10）施加到所述半导体层序列（3）的部分区域以产生掩蔽区域（11）和未屏蔽区域（12）; 通过未掩模区域（12）注入离子，以便在半导体晶片（1）中产生注入区域（13）; 以及沿着所述注入区域（13）划分所述半导体晶片（1），其中所述生长衬底（2）或所述生长衬底（2）的至少一部分与所述半导体晶片分离。

公开(公告)号：US20110013660A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12866589

申请日：2009-02-11

申请人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

发明人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a substrate (10), which has on a first main area (12) an epitaxial semiconductor layer sequence (20), suitable for generating electromagnetic radiation, in a first region (14) and a first trench (24) in a second region (22) adjacent to the first region (14), and at least one second trench (30) arranged outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and a method for producing an optoelectronic semiconductor body.

摘要翻译： 一种光电子半导体本体包括在第一区域（14）和第一沟槽（24）中在第一主区域（12）上具有适于产生电磁辐射的外延半导体层序列（20）的衬底（10） 在与所述第一区域（14）相邻的第二区域（22）中，以及布置在所述第一区域（14）的外部的至少一个第二沟槽（30）。 本发明还涉及一种光电子半导体体及其制造方法。

公开(公告)号：US20110007767A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12863673

申请日：2009-03-09

申请人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

发明人： Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/173

摘要： A semiconductor component includes a semiconductor body with a semiconductor layer sequence having an active region, provided for generating coherent radiation, and an indicator layer. With respect to an interface which delimits the semiconductor body in regions in a vertical direction, on that side of said interface which is remote from the active region, the semiconductor body has a web-like region extending in a vertical direction between the interface and a surface of the semiconductor body. The indicator layer has a material composition that differs from that of the material of the web-like region which adjoins the indicator layer. A distance between the indicator layer and the surface is at most of the same magnitude as a distance between the interface and the surface.

摘要翻译： 半导体部件包括具有半导体层序列的半导体本体，其具有用于产生相干辐射的有源区域和指示层。 关于在垂直方向的区域中限定半导体本体的界面，在远离有源区的所述界面的该侧，半导体本体具有在界面和a之间沿垂直方向延伸的网状区域 半导体体的表面。 指示剂层具有与邻接指示剂层的网状区域的材料组成不同的材料组成。 指示剂层和表面之间的距离与界面和表面之间的距离最大相同的大小。

公开(公告)号：US20100208763A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12598747

申请日：2008-04-24

申请人： Karl Engl ,  Lutz Hoeppel ,  Christoph Eichler ,  Matthias Sabathil ,  Andreas Weimar

发明人： Karl Engl ,  Lutz Hoeppel ,  Christoph Eichler ,  Matthias Sabathil ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/387 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/3095 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with a semiconductor body has a semiconductor layer sequence with an active region provided for generating radiation. A mirror structure that includes a mirror layer and a dielectric layer that is arranged at least in regions between the mirror layer and semiconductor body is arranged on the semiconductor body.

摘要翻译： 具有半导体本体的半导体芯片具有提供用于产生辐射的有源区的半导体层序列。 至少在镜面层和半导体本体之间的区域中配置有镜面层和电介质层的镜面结构配置在半导体本体上。

公开(公告)号：US07499297B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11639300

申请日：2006-12-15

申请人： Christian Stulz ,  Christoph Eichler ,  Erich Suter ,  Adrian Zuckerberger ,  Pieder Jörg ,  Thomas Berner

发明人： Christian Stulz ,  Christoph Eichler ,  Erich Suter ,  Adrian Zuckerberger ,  Pieder Jörg ,  Thomas Berner

IPC分类号： H02M5/458

CPC分类号： H02M5/458 ,  H02M7/49

摘要： A polyphase converter circuit having p≧3 phases (R, Y, B) and a converter circuit element provided for each phase (R, Y, B) is specified, each converter circuit element having a rectifier unit, a DC voltage circuit which is connected to the rectifier unit and an inverter unit which is connected to the DC voltage circuit. In addition, a first AC voltage output of each inverter unit forms a phase connection, and second AC voltage outputs of the inverter units are star-connected. In order to produce harmonics which are as low as possible with respect to the fundamental of the voltage and the current of an electrical AC voltage system which is connected on the input side to the converter circuit, n transformers are provided, each having a primary winding and m three-phase secondary windings, where n≧2 and m≧3. Furthermore, p sets of secondary windings are provided, each set of secondary windings being formed by in each case m p three-phase secondary windings of each transformer, and each set of secondary windings with the associated secondary windings being connected to the rectifier unit of a respective converter circuit element.

摘要翻译： 规定了具有p = 3相（R，Y，B）和为每相（R，Y，B）提供的转换器电路元件的多相转换器电路，每个转换器电路元件具有整流单元，DC电压电路 连接到整流单元和连接到直流电压电路的逆变器单元。 此外，每个逆变器单元的第一AC电压输出形成相位连接，并且逆变器单元的第二AC电压输出是星形连接的。 为了产生相对于在输入侧连接到转换器电路的电气交流电压系统的电压和电流的基极尽可能低的谐波，提供n个变压器，每个变压器具有初级绕组 和三相次级绕组，其中n> = 2且m> = 3。 此外，提供p组次级绕组，每组次级绕组在每种情况下都形成 $\frac{}{}$