公开(公告)号：US20090266712A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12349428

申请日：2009-01-06

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Hsiao-Fang Sung ,  Wei-Lun Hsia ,  Ya-Ping Huang

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Hsiao-Fang Sung ,  Wei-Lun Hsia ,  Ya-Ping Huang

IPC分类号： G01N27/416

CPC分类号： G01N27/414

摘要： A calcium ion sensor is provided. The calcium ion sensor includes a metal oxide semiconductor field effect transistor, a sensing unit including a substrate, a ruthenium dioxide membrane formed thereon and a calcium ion sensing membrane formed on the ruthenium dioxide membrane, and a conductive wire connecting the metal oxide semiconductor field effect transistor and the sensing unit. The invention also provides a method for fabricating a calcium ion sensor, and a sensing system including the sensor.

摘要翻译： 提供钙离子传感器。 钙离子传感器包括金属氧化物半导体场效应晶体管，包括基板的感测单元，形成在其上的二氧化钌膜和形成在二氧化钌膜上的钙离子感测膜，以及将金属氧化物半导体场效应 晶体管和感测单元。 本发明还提供了一种用于制造钙离子传感器的方法，以及包括该传感器的感测系统。

公开(公告)号：US07598546B1

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US12344427

申请日：2008-12-26

申请人： Jung-Chuan Chou ,  E-Ling Huang ,  Chang-Chi Lee ,  Chien-Cheng Chen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  E-Ling Huang ,  Chang-Chi Lee ,  Chien-Cheng Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： G01N27/4145

摘要： A separative extended gate field effect transistor based vitamin C sensor includes: a substrate; a patterned conductive layer on the substrate, including a first electrode region array, at least two first contact regions, a second electrode region and a second contact region; a graphite-based paste layer on the first electrode region array; a ruthenium dioxide sensing layer on the graphite-based paste layer and electrically connected to the first contact region; a vitamin C enzyme layer on the ruthenium dioxide sensing layer; and a reference electrode on the second electrode region electrically connected to the second contact region.

摘要翻译： 基于分离扩展栅极场效应晶体管的维生素C传感器包括：基板; 在衬底上的图案化导电层，包括第一电极区阵列，至少两个第一接触区，第二电极区和第二接触区; 在第一电极区域阵列上的石墨基膏层; 在所述石墨基膏层上的二氧化二氮感测层，并且电连接到所述第一接触区域; 二氧化钛感测层上的维生素C酶层; 以及与所述第二接触区域电连接的所述第二电极区域上的参考电极。

公开(公告)号：US07435610B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11342185

申请日：2006-01-26

申请人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Chung-We Pan ,  Jing-Sheng Chiang

发明人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Chung-We Pan ,  Jing-Sheng Chiang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01N27/4148

摘要： A method for fabricating an array pH sensor and a readout circuit device of such array pH sensor are implemented by utilizing an extended ion sensitive field effect transistor to construct the array pH sensor and related readout circuit. The structure of the array sensor having this extended ion sensitive field effect transistor comprises a tin dioxide/metal/silicon dioxide multi-layer structure sensor and a tin dioxide/indium tin oxide/glass multi-layer structure sensor and has excellent properties. Furthermore, the readout circuit and the sensor utilize two signal generators for controlling and reading signals. In particular, the sensor can be effective for increasing the accuracy of measurement and reducing the interference of noise.

摘要翻译： 通过利用扩展的离子敏感场效应晶体管构成阵列pH传感器和相关读出电路来实现阵列pH传感器的制造方法和这种阵列pH传感器的读出电路装置。 具有该扩展离子敏感场效应晶体管的阵列传感器的结构包括二氧化锡/金属/二氧化硅多层结构传感器和二氧化锡/铟锡氧化物/玻璃多层结构传感器，并且具有优异的性能。 此外，读出电路和传感器利用两个信号发生器来控制和读取信号。 特别地，传感器可以有效地提高测量的精度并降低噪声的干扰。

公开(公告)号：US07431811B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11563132

申请日：2006-11-24

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Sheng-Hung Chen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Sheng-Hung Chen

IPC分类号： C25B11/04

CPC分类号： C23C14/085 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/584 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01G9/058 ,  H01G11/46 ,  H01L28/65 ,  Y02E60/13

摘要： A ruthenium oxide electrode. The ruthenium oxide electrode includes a substrate, a ruthenium oxide film formed thereon, and a conductive wire connecting to the ruthenium oxide film. The invention also provides a method of fabricating the ruthenium oxide electrode.

摘要翻译： 氧化钌电极。 氧化钌电极包括基板，形成在其上的氧化钌膜和连接到氧化钌膜的导线。 本发明还提供一种制造氧化钌电极的方法。

公开(公告)号：US07348783B1

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US11465776

申请日：2006-08-18

申请人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Nien-Hsuan Chou ,  Gin-Chou Yang

发明人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Nien-Hsuan Chou ,  Gin-Chou Yang

IPC分类号： G01N27/00

CPC分类号： G01N27/4167

摘要： A multi-functional PH meter and the fabrication thereof are disclosed. The multi-functional pH meter immediately displays the measurement result on a liquid crystal display and saves in a compact flash card so as to provide portable functionality. In addition, the multi-functional pH meter has data communication functionality with a computer. Finally, the drift and hysteresis software calibration technique is applied. Thus, this method can increase ion detection accuracy and system reliability. The multi-functional pH meter includes a sensor unit, an analog signal processing unit, a microprocessor unit, the liquid crystal display unit, the compact flash card unit and a data transmission unit.

摘要翻译： 公开了一种多功能PH计及其制造方法。 多功能pH计立即将测量结果显示在液晶显示器上，并保存在紧凑型闪存卡中，从而提供便携式功能。 此外，多功能pH计与计算机具有数据通信功能。 最后，应用了漂移和滞后软件校准技术。 因此，该方法可以提高离子检测精度和系统可靠性。 多功能pH计包括传感器单元，模拟信号处理单元，微处理器单元，液晶显示单元，紧凑型闪存卡单元和数据传输单元。

公开(公告)号：US20070227884A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11448477

申请日：2006-06-07

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Wei-Li Liao ,  Yu-Sheng Chen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Wei-Li Liao ,  Yu-Sheng Chen

IPC分类号： G01N33/487

CPC分类号： C12Q1/001 ,  C12Q1/005

摘要： A uricase enzyme biosensor and fabrication method thereof. The uricase enzyme biosensor includes a metal oxide semiconductor field effect transistor, a sensing unit including a substrate, a titanium dioxide film formed thereon and a uricase enzyme sensing film formed on the titanium dioxide film, and a conductive wire connecting with the metal oxide semiconductor field effect transistor and the sensing unit. The invention also provides a sensing system and a sensing circuit including the biosensor.

摘要翻译： 尿酶酶生物传感器及其制造方法。 尿酸酶生物传感器包括金属氧化物半导体场效应晶体管，包括基板的感测单元，形成在其上的二氧化钛膜和形成在二氧化钛膜上的尿酸酶感测膜，以及与金属氧化物半导体场 效应晶体管和感测单元。 本发明还提供一种感测系统和包括生物传感器的感测电路。

公开(公告)号：US07190013B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US10778285

申请日：2004-02-13

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Wen Yuan Liu ,  Wen Bin Hong

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Wen Yuan Liu ,  Wen Bin Hong

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/66545 ,  G01N27/414 ,  H01L29/49 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A PbTiO3/SiO2-gated ISFET device comprising a PbTiO3 thin film as H+-sensing film, and a method of forming the same. The PbTiO3 thin film is formed through a sol-gel process which offers many advantages, such as, low processing temperature, easy control of the composition of the film and easy coating over a large substrate. The PbTiO3/SiO2 gated ISFET device of the present invention is highly sensitive in aqueous solution, and particularly in acidic aqueous solution. The sensitivity of the present ISFET ranges from 50 to 58 mV/pH. In addition, the disclosed ISFET has high linearity. Accordingly, the disclosed ISFET can be used to detect effluent.

摘要翻译： 包含PbTiO 3 N 3薄膜作为H +传感膜的PbTiO 3 / SiO 2取向的ISFET器件 ，及其形成方法。 通过溶胶 - 凝胶法形成PbTiO 3 N 3薄膜，其具有诸如处理温度低，易于控制膜组成并容易地涂覆在大基材上的许多优点。 本发明的PbTiO 3 / SiO 2门控ISFET器件在水溶液中特别是在酸性水溶液中是高度敏感的。 本ISFET的灵敏度范围为50至58mV / pH。 此外，所公开的ISFET具有高线性度。 因此，所公开的ISFET可用于检测流出物。

公开(公告)号：US20070023286A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11533358

申请日：2006-09-19

申请人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Li-Te Yin ,  Chung-We Pan

发明人： Shen-Kan Hsiung ,  Jung-Chuan Chou ,  Tai-Ping Sun ,  Wen-Yaw Chung ,  Li-Te Yin ,  Chung-We Pan

IPC分类号： C12Q1/00 ,  C12M1/00 ,  C12N11/00 ,  C12N9/00 ,  C25B11/00 ,  C25B13/00 ,  C25B9/00 ,  G01N1/00 ,  G01N27/26 ,  G01N31/00 ,  G01N33/50

CPC分类号： C12Q1/006 ,  C12N9/0006 ,  C12N11/08

摘要： A method of fabricating an electrode assembly of a sensor is described. The sensor has a field effect transistor. The electrode assembly is separated from the field effect transistor by only a conductive line. The sensor is functioned to detect different glucose concentrations. A solid layer of tin oxide is deposited on a substrate board. A β-D-glucose oxidase and polyvinylalchol bearing styrylpyridinium groups are placed in 100 μl of sulfuric acid, to form an enzyme mixture. The enzyme mixture is dropped on the solid layer of tin oxide. The enzyme mixture is dried. The enzyme mixture is exposed to a UV ray. The enzyme mixture is dried and stabilized. The enzyme mixture is immersed in a sulfuric buffer.

摘要翻译： 描述了制造传感器的电极组件的方法。 传感器具有场效应晶体管。 电极组件仅通过导线与场效应晶体管分离。 该传感器用于检测不同的葡萄糖浓度。 在基板上沉积固体氧化锡层。 将含有苯乙烯基吡啶鎓基团的β-D-葡萄糖氧化酶和聚乙烯基基团置于100毫升硫酸中以形成酶混合物。 将酶混合物滴在氧化锡的固体层上。 将酶混合物干燥。 将酶混合物暴露于紫外线。 将酶混合物干燥并稳定。 将酶混合物浸入硫酸缓冲液中。

公开(公告)号：US07067343B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US11006094

申请日：2004-12-07

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Zhi Jie Chen ,  Shih I Liu

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Zhi Jie Chen ,  Shih I Liu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01N27/414

摘要： Methods for fabricating ion sensitive field effect transistors (ISFETs) with SnO2 extended gates. A SnO2 detection film is formed on a substrate by sol-gel technology to serve as an extended gate. The SnO2 detection film is electrically connected to a conductive wire, and an insulating layer is formed on the surface of the ISFET but part of the SnO2 detection film and the conductive wire are left exposed. The exposed conductive wire is electrically connected to a gate terminal of a MOS transistor.

摘要翻译： 用于制造具有SnO 2扩展栅极的离子敏感场效应晶体管（ISFET）的方法。 通过溶胶 - 凝胶技术在衬底上形成SnO 2检测膜以用作扩展栅极。 SnO 2检测膜电连接到导线，并且在ISFET的表面上形成绝缘层，但是SnO 2 N 2检测膜的一部分和导电 电线被暴露。 裸露的导线电连接到MOS晶体管的栅极端子。

公开(公告)号：US07019343B2

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10737836

申请日：2003-12-18

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Yii Fang Wang

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Yii Fang Wang

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L29/00

CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A SnO2 ISFET device and manufacturing method thereof. The present invention prepares SnO2 as the detection membrane of an ISFET by sol-gel technology to obtain a SnO2 ISFET. The present invention also measures the current-voltage curve for different pH and temperatures by a current measuring system. The temperature parameter of the SnO2 ISFET is calculated according to the relationship between the current-voltage curve and temperature. In addition, the drift rate of the SnO2 ISFET for different pH and hysteresis width of the SnO2 ISFET for different pH loop are calculated by a constant voltage/current circuit and a voltage-time recorder to measure the gate voltage of the SnO2 ISFET.

摘要翻译： 一种SnO 2·ISFET器件及其制造方法。 本发明通过溶胶 - 凝胶技术制备SnO 2 N 2作为ISFET的检测膜，以获得SnO 2 ISFET。 本发明还通过电流测量系统测量不同pH和温度的电流 - 电压曲线。 根据电流 - 电压曲线和温度之间的关系计算SnO 2 ISFET的温度参数。 此外，针对不同pH环路的SnO 2 ISFET的不同pH和滞后宽度的SnO 2 ISFET的漂移速率由恒定的电压/电流电路计算，并且 用于测量SnO 2 ISFET的栅极电压的电压 - 时间记录器。