公开(公告)号：US20070066340A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11534178

申请日：2006-09-21

申请人： Young Yoon ,  Li-Hsiang Sun ,  Suk Lee

发明人： Young Yoon ,  Li-Hsiang Sun ,  Suk Lee

IPC分类号： H04B7/00 ,  H04B1/00

CPC分类号： H04W72/0406 ,  H04L27/2601 ,  H04W52/12 ,  H04W52/146 ,  H04W52/241 ,  H04W52/247 ,  H04W52/248 ,  H04W52/267 ,  H04W52/50 ,  H04W52/54 ,  H04W76/15 ,  H04W76/20 ,  H04W76/27 ,  Y02D70/00

摘要： A method and apparatus for reliably and quickly establishing multiple reverse links in multi-carrier wireless networks is provided. Signaling channels are established the on an existing forward link in order to transmit reverse link power control bits and the acknowledgment indications.

摘要翻译： 提供了一种用于在多载波无线网络中可靠且快速地建立多个反向链路的方法和装置。 在现有的前向链路上建立信令信道，以便发送反向链路功率控制位和确认指示。

公开(公告)号：US20050236631A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10517819

申请日：2004-06-21

申请人： Suk Lee

发明人： Suk Lee

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12

摘要： A nitride based 3-5 group compound semiconductor light emitting device comprising: a substrate; a buffer layer formed above the substrate; a first In-doped GaN layer formed above the buffer layer; an InxGa1-xN/InyGa1-yN super lattice structure layer formed above the first In-doped GaN layer; a first electrode contact layer formed above the InxGa1-xN/InyGa1-yN super lattice structure layer; an active layer formed above the first electrode contact layer and functioning to emit light; a second In-doped GaN layer; a GaN layer formed above the second In-doped GaN layer; and a second electrode contact layer formed above the GaN layer. The present invention can reduce crystal defects of the nitride based 3-5 group compound semiconductor light emitting device and improve the crystallinity of a GaN GaN based single crystal layer in order to improve the performance of the light emitting device and ensure the reliability thereof.

摘要翻译： 一种基于氮化物的3-5组化合物半导体发光器件，包括：衬底; 形成在所述衬底上的缓冲层; 在缓冲层上形成的第一In掺杂GaN层; 在一个实施方案中，在一个或多个第二实施方案中， N超晶格结构层，形成在第一In掺杂GaN层之上; 形成在第一电极接触层之上的第一电极接触层，其中，第一电极接触层形成在第一和第二 1-y N超晶格结构层; 形成在所述第一电极接触层之上并用于发光的有源层; 第二In掺杂GaN层; 在第二In掺杂GaN层上形成的GaN层; 以及形成在GaN层上方的第二电极接触层。 本发明可以减少氮化物基3-5族化合物半导体发光器件的晶体缺陷，并提高GaN GaN单晶层的结晶度，以提高发光器件的性能并确保其可靠性。

公开(公告)号：US20050230688A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10517818

申请日：2003-08-19

申请人： Suk Lee

发明人： Suk Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12

摘要： Disclosed a nitride semiconductor LED including: a substrate; a GaN-based buffer layer formed on the substrate; AlyGa1-yN/GaN short period superlattice (SPS) layers formed on the GaN-based buffer layer in a sandwich structure of upper and lower parts having an undoped GaN layer or an indium-doped GaN layer interposed therebetween (Here, 0≦y≦1); a first electrode layer of an n-GaN layer formed on the upper AlyGa1-yN/GaN SPS layer; an active layer formed on the first electrode layer; and a second electrode layer of a p-GaN layer formed on the active layer.

摘要翻译： 公开了一种氮化物半导体LED，包括：基板; 形成在所述基板上的GaN系缓冲层; 在具有未掺杂的上部和下部的夹层结构的GaN基缓冲层上形成的Al x Ga 1-y N / GaN短周期超晶格（SPS）层 GaN层或铟掺杂的GaN层（这里，0 <= y <= 1）; 形成在上部Al y Ga 1-y N / GaN SPS层上的n-GaN层的第一电极层; 形成在所述第一电极层上的有源层; 以及形成在有源层上的p-GaN层的第二电极层。