公开(公告)号：US08276540B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US13343877

申请日：2012-01-05

申请人： Lee Chen ,  Merritt Funk

发明人： Lee Chen ,  Merritt Funk

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

摘要： A method and system for introducing a process fluid through a chamber component in a processing system is described. The chamber component comprises a chamber element having a first surface on a supply side of the chamber element and a second surface on a process side of the chamber element, wherein the process side is opposite the supply side. Furthermore, the chamber component comprises a conduit extending through the chamber element from the supply side to the process side, wherein the conduit comprises an inlet configured to receive a process fluid and an outlet configured to distribute the process fluid.

摘要翻译： 描述了一种通过处理系统中的腔室部件引入过程流体的方法和系统。 腔室部件包括腔室元件，腔室元件具有在腔室元件的供应侧上的第一表面和腔室元件的过程侧上的第二表面，其中处理侧与供给侧相对。 此外，腔室部件包括从供应侧延伸穿过腔室元件到管道侧的管道，其中管道包括被配置为接收过程流体的入口和被配置为分配过程流体的出口。

公开(公告)号：US08175736B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12964531

申请日：2010-12-09

申请人： Masayuki Tomoyasu ,  Merritt Funk ,  Kevin A. Pinto ,  Masaya Odagiri ,  Lemuel Chen ,  Asao Yamashita ,  Akira Iwami ,  Hiroyuki Takahashi

发明人： Masayuki Tomoyasu ,  Merritt Funk ,  Kevin A. Pinto ,  Masaya Odagiri ,  Lemuel Chen ,  Asao Yamashita ,  Akira Iwami ,  Hiroyuki Takahashi

IPC分类号： G06F19/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

摘要： A processing system and method for chemical oxide removal (COR) is presented, wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.

摘要翻译： 提出了一种用于化学氧化物去除（COR）的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此耦合。 第一处理室包括提供温度控制室的化学处理室和用于支撑用于化学处理的基板的独立温度控制的基板保持器。 在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基底暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 第二处理室包括热处理室，其提供与化学处理室热绝缘的温度控制室。 热处理室提供用于控制基板的温度以热处理基板上化学处理的表面的基板保持器。

公开(公告)号：US20110177694A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12688721

申请日：2010-01-15

申请人： Lee Chen ,  Merritt Funk

发明人： Lee Chen ,  Merritt Funk

IPC分类号： H01L21/467

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

摘要： The invention can provide apparatus and methods of processing a substrate in real-time using a switchable quasi-neutral beam system to improve the etch resistance of photoresist layer. In addition, the improved photoresist layer can be used in an etch procedure to more accurately control gate and/or spacer critical dimensions (CDs), to control gate and/or spacer CD uniformity, and to eliminate line edge roughness (LER) and line width roughness (LWR).

摘要翻译： 本发明可以提供使用可切换的准中性束系统实时地处理衬底以提高光致抗蚀剂层的耐蚀刻性的装置和方法。 此外，改进的光致抗蚀剂层可以用于蚀刻过程中以更准确地控制栅极和/或间隔物临界尺寸（CD），以控制栅极和/或间隔区CD均匀性，并且消除线边缘粗糙度（LER）和线 宽度粗糙度（LWR）。

公开(公告)号：US20110174606A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12688755

申请日：2010-01-15

申请人： Merritt Funk ,  Lee Chen ,  Radha Sundararajan

发明人： Merritt Funk ,  Lee Chen ,  Radha Sundararajan

IPC分类号： B01J19/08

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/338

摘要： The invention can provide apparatus and methods of processing a substrate in real-time using a Quasi-Neutral Beam (Q-NB) curing system to improve the etch resistance of photoresist layer. In addition, the improved photoresist layer can be used to more accurately control gate and/or spacer critical dimensions (CDs), to control gate and/or spacer CD uniformity, and to eliminate line edge roughness (LER) and line width roughness (LWR).

摘要翻译： 本发明可以提供使用准中性束（Q-NB）固化系统实时处理衬底以提高光致抗蚀剂层的耐蚀刻性的设备和方法。 此外，改进的光致抗蚀剂层可用于更精确地控制栅极和/或间隔物临界尺寸（CD），以控制栅极和/或间隔区CD均匀性，并且消除线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR ）。

公开(公告)号：US20110039355A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12853771

申请日：2010-08-10

申请人： Jianping Zhao ,  Lee Chen ,  Merritt Funk ,  Toshihisa Nozawa

发明人： Jianping Zhao ,  Lee Chen ,  Merritt Funk ,  Toshihisa Nozawa

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

摘要： The invention can provide apparatus and methods of processing a substrate using plasma generation by gravity-induced gas-diffusion separation techniques. By adding or using gases including inert and process gases with different gravities (i.e., ratio between the molecular weight of a gaseous constituent and a reference molecular weight), a two-zone or multiple-zone plasma can be formed, in which one kind of gas can be highly constrained near a plasma generation region and another kind of gas can be largely separated from the aforementioned gas due to differential gravity induced diffusion and is constrained more closer to a wafer process region than the aforementioned gas.

摘要翻译： 本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。 通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种 气体可以在等离子体产生区域附近被高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与上述气体大大分离，并且比上述气体更受限于更接近于晶片工艺区域。

公开(公告)号：US20090289179A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12126456

申请日：2008-05-23

申请人： Lee Chen ,  Merritt Funk

发明人： Lee Chen ,  Merritt Funk

IPC分类号： H05H3/02

CPC分类号： H05H3/02 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422

摘要： Method and system for producing a neutral beam source is described. The neutral beam source comprises a plasma generation system for forming a first plasma in a first plasma region, a plasma heating system for heating electrons from the first plasma region in a second plasma region to form a second plasma, and a neutralizer grid for neutralizing ion species from the second plasma in the second plasma region. Furthermore, the neutral beam source comprises an electron acceleration member configured to accelerate the electrons from the first plasma region into the second plasma region. Further yet, the neutral beam source comprises a pumping system that enables use of the neutral beam source for semiconductor processing applications, such as etching processes.

摘要翻译： 描述了用于生产中性束源的方法和系统。 中性束源包括用于在第一等离子体区域中形成第一等离子体的等离子体产生系统，用于在第二等离子体区域中从第一等离子体区域加热电子以形成第二等离子体的等离子体加热系统，以及用于中和离子的中和器栅格 来自第二等离子体区域中的第二等离子体的物质。 此外，中性束源包括被配置为将电子从第一等离子体区域加速到第二等离子体区域中的电子加速构件。 此外，中性束源包括泵送系统，其能够使用中性束源用于诸如蚀刻工艺的半导体处理应用。

公开(公告)号：US07542859B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11394859

申请日：2006-03-31

申请人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

发明人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

IPC分类号： G01R13/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/95615

摘要： A method of creating a virtual profile library includes obtaining a reference signal. The reference signal is compared to a plurality of signals in a first library. The reference signal is compared to a plurality of signals in a second library. A virtual profile data space is created when first and second matching criteria are not met. The virtual profile data space is created using differences between a profile data spaces associated with the first and second libraries. A first virtual profile signal is created in the virtual profile data space. A difference is calculated between the reference signal and the first virtual profile signal. The difference is compared to a virtual profile library creation criteria. If the virtual profile library creation criteria is met, the first virtual profile signal and the virtual profile data, associated with the first virtual profile signal is stored.

摘要翻译： 创建虚拟简档库的方法包括获得参考信号。 将参考信号与第一库中的多个信号进行比较。 将参考信号与第二库中的多个信号进行比较。 当不满足第一和第二匹配条件时，创建虚拟配置文件数据空间。 使用与第一和第二库相关联的简档数据空间之间的差异来创建虚拟简档数据空间。 在虚拟配置文件数据空间中创建第一虚拟配置文件信号。 在参考信号和第一虚拟轮廓信号之间计算差。 将差异与虚拟简档库创建标准进行比较。 如果满足虚拟简档库创建标准，则存储与第一虚拟简档信号相关联的第一虚拟简档信号和虚拟简档数据。

公开(公告)号：US07502709B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11390412

申请日：2006-03-28

申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Daniel Joseph Prager ,  Wesley Natzle

发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Daniel Joseph Prager ,  Wesley Natzle

IPC分类号： G06F3/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/12

摘要： A method of monitoring a dual damascene procedure that includes calculating a pre-processing confidence map for a damascene process, the pre-processing confidence map including confidence data for a first set of dies on the wafer. An expanded pre-processing measurement recipe is established for the damascene process when one or more values in the pre-processing confidence map are not within confidence limits established for the damascene process. A reduced pre-processing measurement recipe for the first damascene process is established when one or more values in the pre-processing confidence map are within confidence limits established for the damascene process.

摘要翻译： 一种监测双镶嵌程序的方法，包括计算镶嵌过程的预处理置信度图，所述预处理置信图包括晶片上的第一组模具的置信度数据。 当预处理置信图中的一个或多个值不在为大马士革过程建立的置信限度内时，为镶嵌过程建立扩展的预处理测量配方。 当预处理置信图中的一个或多个值在为大马士革过程建立的置信限度内时，建立了用于第一镶嵌工艺的减少的预处理测量配方。

公开(公告)号：US07487053B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11394860

申请日：2006-03-31

申请人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

发明人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

IPC分类号： G01F19/00

CPC分类号： G01N21/4788

摘要： A method of refining a virtual profile library includes obtaining a reference signal measured off a reference structure on a semiconductor wafer with a metrology device. A best match is selected of the reference signal in a virtual profile data space. The virtual profile data space has data points with specified accuracy values. The data points represent virtual profile parameters and associated virtual profile signals. The virtual profile parameters characterize the profile of an integrated circuit structure. The best match being a data point of the profile data space with a signal closest to the reference signal. Refined virtual profile parameters are determined corresponding to the reference signal based on the virtual profile parameters of the selected virtual profile signal using a refinement procedure.

摘要翻译： 精细虚拟简档库的方法包括：使用测量装置获得在半导体晶片上的参考结构测量的参考信号。 在虚拟简档数据空间中选择参考信号的最佳匹配。 虚拟配置文件数据空间具有指定精度值的数据点。 数据点表示虚拟轮廓参数和相关联的虚拟轮廓信号。 虚拟轮廓参数表征集成电路结构的轮廓。 最佳匹配是具有最接近参考信号的信号的简档数据空间的数据点。 使用细化过程，基于所选虚拟简档信号的虚拟简档参数，对应于参考信号来确定精细虚拟简档参数。

公开(公告)号：US07479463B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11684154

申请日：2007-03-09

申请人： John Kulp ,  Michael Carcasi ,  Merritt Funk

发明人： John Kulp ,  Michael Carcasi ,  Merritt Funk

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67109

摘要： Embodiments of an apparatus and methods for heating a substrate and a sacrificial layer are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文通常描述用于加热衬底和牺牲层的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。