公开(公告)号：US20070066002A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11601485

申请日：2006-11-17

申请人： Peter Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Yuri Mirgorodski

发明人： Peter Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Yuri Mirgorodski

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78

摘要： An implant is added at the interface between the source region of an MOS transistor and the well material to improve dynamic IR drop performance. The additional implant raises the underlying capacitance of the source region. This, in turn, provides for an increase in charge storage which, in turn, provides for an improved level of protection against dynamic IR drop.

摘要翻译： 在MOS晶体管的源极区域和阱材料之间的界面处添加植入物，以改善动态IR滴落性能。 额外的植入物提高了源区域的底层电容。 这又反过来提供了电荷存储的增加，这进而提供了防止动态IR降低的改进的防护等级。

公开(公告)号：US06639784B1

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：US10283810

申请日：2002-10-30

申请人： Peter Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Kyuwoon Hwang ,  Andy Strachan ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Kyuwoon Hwang ,  Andy Strachan ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01J4228

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/0805

摘要： A capacitor structure is formed in a wedge-shaped trench by forming alternating layers of insulating material and conductive material in the trench such that each layer of conductive material formed in the trench is electrically isolated from adjacent layers of conductive material formed in the trench. A first electrical contact is formed to electrically link in parallel a first set of alternating layers of conductive material. A second electrical contact is formed to electrically link in parallel a second set of alternating layers of conductive material. The two electrically isolated sets of inter-linked layers of conductive material define the interdigitated capacitor structure.

摘要翻译： 电容器结构通过在沟槽中形成绝缘材料和导电材料的交替层而形成在楔形沟槽中，使得形成在沟槽中的每个导电材料层与在沟槽中形成的导电材料的相邻层电隔离。 形成第一电接触以平行地电连接导电材料的第一组交替层。 形成第二电接触以平行地电连接第二组交替的导电材料层。 导电材料的两个电隔离的相互连接的层限定了交叉指向的电容器结构。

公开(公告)号：US07676922B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11820464

申请日：2007-06-19

申请人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Philipp Lindorfer

发明人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01K3/10

CPC分类号： H01F17/0033 ,  H01F41/046 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49069 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： A micro-electromechanical system (MEMS) inductor is formed in a saucer shape that completely surrounds a magnetic core structure which is formed from a ferromagnetic material. In addition, an array of MEMS inductors can be formed by dividing up the saucer-shaped MEMS inductor into a number of electrically-isolated MEMS inductor wedges.

摘要翻译： 微机电系统（MEMS）电感器形成为完全围绕由铁磁材料形成的磁芯结构的碟形形状。 此外，可以通过将碟形MEMS电感器分成多个电隔离的MEMS电感器楔形物来形成MEMS电感器阵列。

公开(公告)号：US07262401B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11496951

申请日：2006-08-01

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Mark W. Poulter ,  Yuri Mirgorodski

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Mark W. Poulter ,  Yuri Mirgorodski

IPC分类号： H01L27/00 ,  H04N3/14

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H04N5/35572 ,  H04N5/361 ,  H04N5/37452

摘要： An active pixel sensor cell including at least one photodiode and reset circuitry and an integrating varactor coupled to the photodiode, a method for reading out such a cell, and an image sensor including an array of such cells. The photodiode can be exposed to photons during an exposure interval to accumulate a sequence of subexposure charges at a first node of the photodiode. Each of the subexposure charges accumulates at the first node during a different subexposure interval of the exposure interval. The photodiode is reset during each of a sequence of reset intervals, each reset interval occurring before a different one of the subexposure intervals. An output signal indicative of an exposure charge accumulated at the storage node during the exposure interval can be asserted from the cell, where the exposure charge is indicative of a sum of all the subexposure charges.

摘要翻译： 包括至少一个光电二极管和复位电路的有源像素传感器单元和耦合到光电二极管的积分变容二极管，用于读出这样的单元的方法以及包括这种单元阵列的图像传感器。 在曝光间隔期间，可以将光电二极管暴露于​​光子，以在光电二极管的第一节点处累积次曝光电荷序列。 在曝光间隔的不同子曝光间隔期间，每个次曝光电荷在第一节点处累积。 在每个复位间隔的每一个期间复位光电二极管，每个复位间隔发生在不同的次曝光间隔之前。 指示在曝光间隔期间在存储节点处累积的曝光电荷的输出信号可以从单元断言，其中曝光电荷指示所有次曝光电荷的总和。

公开(公告)号：US07023068B1

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：US10716277

申请日：2003-11-17

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenho ,  Peter Johnson

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenho ,  Peter Johnson

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/78

摘要： In a MOS transistor, the drain capacitance is reduced by forming a lateral trench underneath the drain. This is typically done by using an anisotropic wet etch process in a direction of a orientation wafer.

摘要翻译： 在MOS晶体管中，通过在漏极下方形成横向沟槽来减小漏极电容。 这通常通过使用<100>取向晶片的<110>方向的各向异性湿蚀刻工艺来完成。

公开(公告)号：US06660537B1

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10219211

申请日：2002-08-15

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Kyuwoon Hwang

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Kyuwoon Hwang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/102

摘要： A conductive trace is formed over and insulated from a region of semiconductor material, such as a region adjacent to the n+ region of an n+/p− photodiode, and a sawtooth current is made to flow through the conductive trace. The sawtooth current induces charge carriers to move through the semiconductor material to a collection region in the semiconductor material.

摘要翻译： 导电迹线形成在与半导体材料的区域（例如与n + / p-型光电二极管的n +区域相邻的区域）之上并与之绝缘，并且使锯齿电流流过导电迹线。 锯齿电流引起电荷载流子移动通过半导体材料到半导体材料中的收集区域。

公开(公告)号：US08554529B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US11998478

申请日：2007-11-30

申请人： Yuri Mirgorodski ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Philipp Lindorfer

发明人： Yuri Mirgorodski ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5036

摘要： A method of simulating an integrated circuit device under test (DUT) is provided, wherein the DUT includes a plurality of terminals. For each terminal of the DUT, a probe pulse is applied to the terminal and a reaction is recorded at the terminal and each of the other terminals to obtain values representative of reactive tails for the terminal. For each terminal, the values representative of the reactive tails obtained for the terminal are stored as an entry of a look-up table. Each entry includes n+x fields, wherein n represents a number of arguments in the entry and x represents a number of functions in the entry. For each terminal, a signal value at a selected time step is calculated.

摘要翻译： 提供了一种模拟被测集成电路器件（DUT）的方法，其中DUT包括多个端子。 对于DUT的每个端子，将探头脉冲施加到端子，并且在端子和每个其他端子处记录反应以获得表示端子的反应尾部的值。 对于每个终端，代表为终端获得的反应式尾部的值被存储为查找表的条目。 每个条目包括n + x个字段，其中n表示条目中的参数数，x表示条目中的一些函数。 对于每个终端，计算所选时间步长处的信号值。

公开(公告)号：US20130015850A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13182510

申请日：2011-07-14

申请人： Philipp Lindorfer ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Paul Mawson ,  Steven Hunt ,  Roozbeh Parsa

发明人： Philipp Lindorfer ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Paul Mawson ,  Steven Hunt ,  Roozbeh Parsa

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L43/12 ,  H01L31/02 ,  G01N21/59 ,  H01L29/02 ,  H01L21/50 ,  H01S3/02 ,  G01J1/42 ,  H01L29/82 ,  H01L31/18

CPC分类号： G01R33/0052 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44 ,  G01J5/20 ,  G01R33/032 ,  H01L31/18 ,  H01L43/12 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/183

摘要： The cost and size of an atomic magnetometer are reduced by attaching together a first die which integrates together a vapor cell, top and side photo detectors, and processing electronics, a second die which integrates together an optics package and a heater for the vapor cell, and a third die which integrates together a VCSEL, a heater for the VCSEL, and control electronics.

摘要翻译： 原子磁强计的成本和尺寸通过将集成在一起的蒸气单元，顶部和侧面光电检测器以及处理电子器件的第一模具连接在一起来降低，第二模具将光学组件和用于蒸气室的加热器集成在一起， 以及将VCSEL，VCSEL的加热器和控制电子器件集成在一起的第三管芯。

公开(公告)号：US20090144035A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11998478

申请日：2007-11-30

申请人： Yuri Mirgorodski ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Philipp Lindorfer

发明人： Yuri Mirgorodski ,  Peter J. Hopper ,  William French ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： G06G7/48

CPC分类号： G06F17/5036

摘要： A modified “black box” integrated circuit simulation model is provided that is based only upon on the external steady-state and transient characteristics of a device under test (DUT). The method utilizes probe pulses as well as steady-state I-V and C-V look-up tables. In contrast to conventional black box simulation models, which support only steady-state and small signal frequency analysis, the disclosed method also supports large signal transient analysis.

摘要翻译： 提供了一种基于被测器件（DUT）的外部稳态和瞬态特性的改进的“黑匣子”集成电路仿真模型。 该方法利用探头脉冲以及稳态I-V和C-V查找表。 与仅支持稳态和小信号频率分析的常规黑盒仿真模型相反，所公开的方法还支持大信号瞬态分析。

公开(公告)号：US06646318B1

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10219836

申请日：2002-08-15

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01L31028

CPC分类号： H04N9/045 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/3696

摘要： A combination of materials is used to form the photodiodes of a vertical color imager cell. The materials used to form the photodiodes have different band gaps that allow the photon absorption rates of the photodiodes to be adjusted. By adjusting the photon absorption rates, the sensitivities of the photodiodes and thereby the characteristics of the imager can be adjusted.

摘要翻译： 使用材料的组合来形成垂直彩色成像器单元的光电二极管。 用于形成光电二极管的材料具有不同的带隙，允许调整光电二极管的光子吸收速率。 通过调整光子吸收率，可以调节光电二极管的灵敏度，从而调整成像器的特性。