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    Look-up table based configuration of a DC-DC converter
    41.
    发明授权
    Look-up table based configuration of a DC-DC converter 有权
    DC-DC转换器的基于查找表的配置

    公开(公告)号：US09362825B2

    公开(公告)日：2016-06-07

    申请号：US13287672

    申请日：2011-11-02

    申请人： William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Jean-Christophe Berchtold ,  David E. Jones ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    发明人： William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Jean-Christophe Berchtold ,  David E. Jones ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    IPC分类号： H01Q11/12 ,  H04B1/04 ,  H02M3/157

    CPC分类号： H02M3/157

    摘要： RF PA circuitry and a DC-DC converter, which includes an RF PA envelope power supply and DC-DC control circuitry, are disclosed. The PA envelope power supply provides an envelope power supply signal to the RF PA circuitry. The DC-DC control circuitry has a DC-DC look-up table (LUT) structure, which has at least a first DC-DC LUT. The DC-DC control circuitry uses DC-DC LUT index information as an index to the DC-DC LUT structure to obtain DC-DC converter operational control parameters. The DC-DC control circuitry then configures the PA envelope power supply using the DC-DC converter operational control parameters. Using the DC-DC LUT structure provides flexibility in configuring the DC-DC converter for different applications, for multiple static operating conditions, for multiple dynamic operating conditions, or any combination thereof.

    摘要翻译： 公开了RF PA电路和DC-DC转换器，其包括RF PA包络电源和DC-DC控制电路。 PA封装电源为RF PA电路提供信号电源信号。 DC-DC控制电路具有至少具有第一DC-DC LUT的DC-DC查找表（LUT）结构。 DC-DC控制电路使用DC-DC LUT索引信息作为DC-DC LUT结构的索引，以获得DC-DC转换器的操作控制参数。 DC-DC控制电路然后使用DC-DC转换器的操作控制参数配置PA封装电源。 使用DC-DC LUT结构为多种静态工作条件，多种动态工作条件或其任何组合提供了灵活的配置，适用于不同应用的DC-DC转换器。

    Split current current digital-to-analog converter (IDAC) for dynamic device switching (DDS) of an RF PA stage
    44.
    发明授权
    Split current current digital-to-analog converter (IDAC) for dynamic device switching (DDS) of an RF PA stage 有权
    分流电流数字到模拟转换器（IDAC）用于RF PA级的动态器件切换（DDS）

    公开(公告)号：US08565694B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13289379

    申请日：2011-11-04

    申请人： David E. Jones ,  Chris Levesque ,  William David Southcombe ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    发明人： David E. Jones ,  Chris Levesque ,  William David Southcombe ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    IPC分类号： H01Q11/12 ,  H04B1/04

    CPC分类号： H03F1/0227 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/336 ,  H04B2001/0416

    摘要： A split current current digital-to-analog converter (IDAC) and a radio frequency (RF) power amplifier (PA) stage are disclosed. The split current IDAC operates in a selected one of a group of DDS operating modes and provides a group of array bias signals based on the selected one of the group of DDS operating modes. Each of the group of array bias signals is a current signal. The RF PA stage includes a group of arrays of amplifying transistor elements. The RF PA stage biases at least one of the group of arrays of amplifying transistor elements based on the group of array bias signals. Further, the RF PA stage receives and amplifies an RF stage input signal to provide an RF stage output signal using at least one of the group of arrays of amplifying transistor elements that is biased.

    摘要翻译： 公开了分流电流数模转换器（IDAC）和射频（RF）功率放大器（PA）级。 分流电流IDAC以一组DDS操作模式中的所选择的一个操作，并且基于所选择的一组DDS操作模式提供一组阵列偏置信号。 阵列偏置信号组中的每一个是电流信号。 RF PA级包括一组放大晶体管元件阵列。 RF PA级基于阵列偏置信号组来偏置放大晶体管元件的一组阵列中的至少一个。 此外，RF PA级接收并放大RF级输入信号，以使用被偏置的放大晶体管元件的阵列组中的至少一个来提供RF级输出信号。

    ESD PROTECTION OF AN RF PA SEMICONDUCTOR DIE USING A PA CONTROLLER SEMICONDUCTOR DIE
    48.
    发明申请
    ESD PROTECTION OF AN RF PA SEMICONDUCTOR DIE USING A PA CONTROLLER SEMICONDUCTOR DIE 有权
    使用PA控制器半导体器件的RF PA半导体器件的ESD保护

    公开(公告)号：US20120044606A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US13288373

    申请日：2011-11-03

    申请人： David E. Jones ,  William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    发明人： David E. Jones ,  William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    IPC分类号： H02H9/04 ,  H03F3/68

    CPC分类号： H03F1/52 ,  H02H9/046 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

    摘要： A power amplifier (PA) controller semiconductor die and a first radio frequency (RF) PA semiconductor die are disclosed. The PA controller semiconductor die includes a first electro-static discharge (ESD) protection circuit, which ESD protects and provides a first ESD protected signal. The RF PA semiconductor die receives the first ESD protected signal. In one embodiment of the PA controller semiconductor die, the first ESD protected signal is an envelope power supply signal. The PA controller semiconductor die may be a Silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) semiconductor die and the RF PA semiconductor die may be a Gallium Arsenide semiconductor die.

    摘要翻译： 公开了功率放大器（PA）控制器半导体管芯和第一射频（RF）PA半导体管芯）。 PA控制器半导体管芯包括第一静电放电（ESD）保护电路，其ESD保护并提供第一ESD保护信号。 RF PA半导体管芯接收第一个ESD保护信号。 在PA控制器半导体管芯的一个实施例中，第一ESD保护信号是包络电源信号。 PA控制器半导体管芯可以是硅互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体管芯，并且RF PA半导体管芯可以是砷化镓半导体管芯。