公开(公告)号：US07355223B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11071437

申请日：2005-03-04

申请人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Cem Basceri

发明人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Cem Basceri

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L29/66909 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/8083

摘要： A vertical junction field effect transistor includes a trench formed in an epitaxial layer. The trench surrounds a channel region of the epitaxial layer. The channel region may have a graded or uniform dopant concentration profile. An epitaxial gate structure is formed within the trench by epitaxial regrowth. The epitaxial gate structure may include separate first and second epitaxial gate layers, and may have either a graded or uniform dopant concentration profile.

摘要翻译： 垂直结场效应晶体管包括形成在外延层中的沟槽。 沟槽围绕外延层的沟道区。 沟道区可以具有渐变或均匀的掺杂浓度分布。 通过外延再生长在沟槽内形成外延栅极结构。 外延栅结构可以包括单独的第一和第二外延栅层，并且可以具有渐变的或均匀的掺杂剂浓度分布。

公开(公告)号：US20070278609A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11444106

申请日：2006-05-31

申请人： Christopher Harris ,  Cem Basceri ,  Kent Bertilsson

发明人： Christopher Harris ,  Cem Basceri ,  Kent Bertilsson

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L27/095

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor device of unipolar type has Schottky-contacts (6) laterally separated by regions in the form of additional layers (7, 7″) of semiconductor material on top of a drift layer (3). Said additional layers being doped according to a conductivity type being opposite to the one of the drift layer. At least one (7″) of the additional layers has a substantially larger lateral extension and thereby larger area of the interface to the drift layer than adjacent such layers (7) for facilitating the building-up of a sufficient voltage between that layer and the drift layer for injecting minority charge carriers into the drift layer upon surge for surge protection.

摘要翻译： 单极型的半导体器件具有由漂移层（3）顶部上的半导体材料的附加层（7,7“）形式的区域横向分开的肖特基触点（6）。 所述附加层根据与漂移层中的一个相反的导电类型被掺杂。 附加层的至少一个（7“）具有基本上更大的横向延伸，从而与相邻的这些层（7）相比，漂移层的界面的面积更大，以便于在该层与层之间建立足够的电压 用于在浪涌保护的浪涌时将少数电荷载流子注入到漂移层中的漂移层。

公开(公告)号：US20060281284A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11147342

申请日：2005-06-08

申请人： Christopher Harris ,  Thomas Gehrke ,  T. Weeks ,  Cem Basceri

发明人： Christopher Harris ,  Thomas Gehrke ,  T. Weeks ,  Cem Basceri

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003

摘要： A method of manufacturing a heterojunction device includes forming a first layer of p-type aluminum gallium nitride; forming a second layer of undoped gallium nitride on the first layer; and forming a third layer of aluminum gallium nitride on the second layer, to provide an electron gas between the second and third layers. A heterojunction between the first and second layers injects positive charge into the second layer to compensate and/or neutralize negative charge within the electron gas.

摘要翻译： 异质结装置的制造方法包括：形成第一层p型氮化镓铝; 在第一层上形成第二层未掺杂的氮化镓层; 以及在所述第二层上形成第三氮化镓层，以在所述第二层和所述第三层之间提供电子气。 第一和第二层之间的异质结将正电荷注入第二层以补偿和/或中和电子气中的负电荷。

公开(公告)号：US20060252212A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US10570852

申请日：2003-09-05

申请人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov

发明人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66924 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863

摘要： Method for producing a field effect transistor having a source region (9), a drain region and a channel layer (11) interconnecting the source and drain regions, and including the step of providing a sacrificial layer (4) on part of a semiconductor material (1) whose edge is used to define the edge of an implant, such as the source region (9), in the semiconductor material (1), where the edge (4c) of the sacrificial layer (4) is subsequently used to define the edge of a gate (16).

摘要翻译： 一种具有源极区域（9），漏极区域和互连源极区域的沟道层（11）的场效应晶体管的方法，包括在半导体材料的一部分上提供牺牲层（4）的步骤 （1），其边缘用于限定半导体材料（1）中的诸如源极区域（9）的植入物的边缘，其中牺牲层（4）的边缘（4c）随后用于 限定门（16）的边缘。

公开(公告)号：US20060220072A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11071437

申请日：2005-03-04

申请人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Cem Basceri

发明人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Cem Basceri

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/66909 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/8083

摘要： A vertical junction field effect transistor includes a trench formed in an epitaxial layer. The trench surrounds a channel region of the epitaxial layer. The channel region may have a graded or uniform dopant concentration profile. An epitaxial gate structure is formed within the trench by epitaxial regrowth. The epitaxial gate structure may include separate first and second epitaxial gate layers, and may have either a graded or uniform dopant concentration profile.

摘要翻译： 垂直结场效应晶体管包括形成在外延层中的沟槽。 沟槽围绕外延层的沟道区。 沟道区可以具有渐变或均匀的掺杂浓度分布。 通过外延再生长在沟槽内形成外延栅极结构。 外延栅结构可以包括单独的第一和第二外延栅层，并且可以具有渐变的或均匀的掺杂剂浓度分布。

公开(公告)号：US07069193B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US09776260

申请日：2001-02-05

申请人： Richard David Brunt ,  Andrew Godfrey Ratcliff ,  Christopher Harris

发明人： Richard David Brunt ,  Andrew Godfrey Ratcliff ,  Christopher Harris

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06T19/20 ,  G06T2219/2012

摘要： A method for producing a color recommendation for a structure or part of a structure to be painted which comprises selecting from a database containing images of structural archetypes stored on storage means of an archetype image that closely matches the structure to be painted, selecting a color or colors from a database comprising colors stored on storage means and applying the color or colors to the archetype to produce a color scheme and displaying the structure or part of the structure with the color applied.

摘要翻译： 一种用于为要绘制的结构或结构的一部分生成颜色推荐的方法，包括从包含存储在与要绘制的结构紧密匹配的原型图像的存储装置上的结构原型的图像的数据库中进行选择，选择颜色或 来自数据库的颜色包括存储在存储装置上的颜色并将颜色或颜色应用于原型以产生颜色方案，并且显示所施加的颜色的结构或结构的一部分。

公开(公告)号：US20050269090A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11112714

申请日：2005-04-22

申请人： Harold Vinegar ,  Christopher Harris

发明人： Harold Vinegar ,  Christopher Harris

IPC分类号： E21B29/00 ,  E21B36/04 ,  E21B43/00 ,  E21B43/12 ,  E21B43/24 ,  E21B43/30 ,  E21B43/38 ,  H05B3/10 ,  H05B3/14 ,  H05B6/10

CPC分类号： E21B36/04 ,  E21B43/12 ,  E21B43/122 ,  E21B43/24 ,  E21B43/2401 ,  E21B43/2405 ,  E21B43/38 ,  H05B3/141

摘要： Certain embodiments provide a system including a heater. The heater includes one or more electrical conductors. The heater is configured to generate a heat output during application of electrical current to the heater. The heater includes a ferromagnetic material. A conduit at least partially surrounds the heater. A fluid is located in a space between the heater and the conduit. The fluid has a higher thermal conductivity than air at standard temperature and pressure (STP) (0° C. and 101.325 kPa). The system is configured to provide (a) a first heat output below a selected temperature when time-varying electrical current is applied to the heater, and (b) a second heat output near or above the selected temperature when time-varying electrical current is applied to the heater.

摘要翻译： 某些实施例提供包括加热器的系统。 加热器包括一个或多个电导体。 加热器被配置为在向加热器施加电流期间产生热量输出。 加热器包括铁磁材料。 导管至少部分地围绕加热器。 流体位于加热器和导管之间的空间中。 在标准温度和压力（STP）（0°C和101.325 kPa）下，流体的导热系数高于空气。 该系统被配置为当时变电流施加到加热器时，（a）在选定温度以下的第一热输出，以及（b）当时变电流为 应用于加热器。

公开(公告)号：USD490699S1

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：US29181101

申请日：2003-05-05

申请人： Naomi Ruth Nelson ,  Michael James Rodber ,  Christopher Harris

设计人： Naomi Ruth Nelson ,  Michael James Rodber ,  Christopher Harris

公开(公告)号：US06278133B1

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：US09298116

申请日：1999-04-23

申请人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Susan Savage

发明人： Christopher Harris ,  Andrei Konstantinov ,  Susan Savage

IPC分类号： H01L310312

CPC分类号： H01L29/0847 ,  G01N27/4143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

摘要： A field effect transistor of SiC for high temperature application has the source region layer (4), the drain region layer (5) and the channel region layer (6, 7) vertically separated from a front surface (14), where a gate electrode (12) is arranged, for reducing the electric field at said surface in operation of the transistor and in the case of operation as a gas sensor permitting all electrodes except for the gate electrode to be protected from the atmosphere.

摘要翻译： 用于高温施加的SiC的场效应晶体管具有源区域层（4），漏极区域层（5）和沟道区域层（6,7）与前表面（14）垂直分离，其中栅电极 （12）被布置为用于在晶体管的操作中减小所述表面处的电场，并且在作为气体传感器的操作的情况下，允许除了栅电极之外的所有电极被保护免受大气。

公开(公告)号：US5967795A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US520689

申请日：1995-08-30

申请人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

发明人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/931

摘要： A semiconductor component comprises a pn junction in which both the p-conducting and the n-conducting layers of the pn junction are doped silicon carbide layers and the edge of at least one of the conducting layers of the pn junction exhibits a stepwise or uniformly decreasing total charge or effective surface charge density from the initial value at the defined working junction to a zero or almost zero total charge at the outermost edge of the junction following a radial direction from the central part of the junction towards its outermost edge.

摘要翻译： 半导体部件包括pn结，其中pn结的p导电层和n导电层都是掺杂的碳化硅层，并且pn结的至少一个导电层的边缘呈逐步或均匀地减小 总电荷或有效表面电荷密度从在限定的工作结点处的初始值到在从结点的中心部分到其最外边缘的径向方向上的结的最外边缘处的零或几乎为零的总电荷。