公开(公告)号：US07514202B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11797948

申请日：2007-05-09

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C07C309/06

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A thermal acid generator of generating an acid on heating above 100° C. has formula: CF3CH(OCOR)CF2SO3−(R1)4N+ wherein R is alkyl or aryl, R1 is hydrogen, alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or R1 may bond together to form a ring with N. The sulfonic acid generated possesses an ester site within molecule so that less bulky acyl groups to bulky groups may be incorporated therein. The thermal acid generator provides a sufficient acid strength, is less volatile due to a high molecular weight, and ensures film formation. Upon disposal of used resist liquid, it may be converted into low accumulative compounds.

摘要翻译： 一种在100℃以上加热生成酸的热酸发生剂具有式：CF 3 CH（OCOR）CF 2 SO 3 - （R 1）4 N +，其中R是烷基或芳基，R 1是氢，烷基，链烯基，氧代烷基，芳基，芳烷基或芳氧基烷基 ，或者R1可以键合在一起形成具有N的环。产生的磺酸在分子内具有酯位点，从而可以在其中引入较大体积的大体积基团的酰基。 热酸发生器提供足够的酸强度，由于高分子量而挥发性较低，并且确保成膜。 在处理使用过的抗蚀剂液体时，可以将其转化为低浓度的化合物。

公开(公告)号：US06916593B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10615683

申请日：2003-07-09

申请人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： Although use of a nitrogen-containing compound as a basic compound component of a resist composition makes it possible to ease the T-top problem at an acid dissociation constant pKa falling within a range of 2 to 6, it is accompanied with the problem that the reaction, that is, acid diffusion upon use of a highly-reactive acid-labile group cannot be controlled. In order to overcome this problem, one or more basic compounds selected from those represented by the following formulas (I) to (III) and (1) to (4) are employed.

摘要翻译： 尽管使用含氮化合物作为抗蚀剂组合物的碱性化合物组分可以使酸解离常数pKa在2至6的范围内缓解T顶部问题，但是伴随着如下问题： 反应，即使用高反应性酸不稳定基团时的酸扩散是不能控制的。 为了克服这个问题，使用一种或多种选自由下式（I）至（III）和（1）至（4）表示的化合物的碱性化合物。

公开(公告)号：US20070264596A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11797948

申请日：2007-05-09

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A thermal acid generator of generating an acid on heating above 100° C. has formula: CF3CH(OCOR)CF2SO3−(R1)4N+ wherein R is alkyl or aryl, R1 is hydrogen, alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or R1 may bond together to form a ring with N. The sulfonic acid generated possesses an ester site within molecule so that less bulky acyl groups to bulky groups may be incorporated therein. The thermal acid generator provides a sufficient acid strength, is less volatile due to a high molecular weight, and ensures film formation. Upon disposal of used resist liquid, it may be converted into low accumulative compounds.

摘要翻译： 在100℃以上加热产生酸的热酸发生剂具有下式：CF 3 CH（OCOR）CF 2 SO 3， 其中R是烷基或芳基，R 1或O 2，其中R是烷基或芳基，R 1， >是氢，烷基，烯基，氧代烷基，芳基，芳烷基或芳氧基烷基，或者R 1可以键合在一起以形成与N的环。所产生的磺酸在分子内具有酯位点，使得较小体积 酰基可以加入到大体积基团中。 热酸发生器提供足够的酸强度，由于高分子量而挥发性较低，并且确保成膜。 在处理使用过的抗蚀剂液体时，可以将其转化为低浓度的化合物。

公开(公告)号：US06673511B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09697921

申请日：2000-10-27

申请人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： Although use of a nitrogen-containing compound as a basic compound component of a resist composition makes it possible to ease the T-top problem at an acid dissociation constant pKa falling within a range of 2 to 6, it is accompanied with the problem that the reaction, that is, acid diffusion upon use of a highly-reactive acid-labile group cannot be controlled. In order to overcome this problem, one or more basic compounds selected from those represented by the following formulas (I) to (III) and (1) to (4) are employed.

公开(公告)号：US20100104977A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12581625

申请日：2009-10-19

申请人： Jun Hatakeyama ,  Toshihiko Fujii ,  Takeru Watanabe ,  Youichi Ohsawa

发明人： Jun Hatakeyama ,  Toshihiko Fujii ,  Takeru Watanabe ,  Youichi Ohsawa

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08G75/18 ,  C08L81/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C09D161/04 ,  G03F7/40

摘要： A material comprising a novolac resin having a C6-C30 aromatic hydrocarbon group substituted with a sulfo group or an amine salt thereof is useful in forming a photoresist undercoat. The undercoat-forming material has an extinction coefficient sufficient to provide an antireflective effect at a thickness of at least 200 nm, and a high etching resistance as demonstrated by slow etching rates with CF4/CHF3 gas for substrate processing.

摘要翻译： 包含具有被磺基取代的C6-C30芳族烃基的酚醛清漆树脂或其胺盐的材料可用于形成光致抗蚀剂底涂层。 底涂层材料的消光系数足以在至少200nm的厚度下提供抗反射效果，并且具有高的耐蚀刻性，如通过用于基板处理的CF 4 / CHF 3气体的缓慢蚀刻速率所证明的。

公开(公告)号：US08741554B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12787823

申请日：2010-05-26

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A pattern is formed by coating a first positive resist composition comprising a base resin, a photoacid generator, and a base generator onto a substrate to form a first resist film, patternwise exposure, PEB, and development to form a first resist pattern, heating the first resist pattern for causing the base generator to generate a base for inactivating the pattern to acid, coating a second positive resist composition comprising a C3-C8 alcohol and an optional C6-C12 ether onto the first resist pattern-bearing substrate to form a second resist film, patternwise exposure, PEB, and development to form a second resist pattern.

摘要翻译： 通过将包含基础树脂，光致酸发生剂和基底发生器的第一正型抗蚀剂组合物涂覆在基材上以形成第一抗蚀剂膜，图案曝光，PEB和显影以形成第一抗蚀剂图案，形成图案，加热 第一抗蚀剂图案，用于使基底发生器产生用于使图案失去酸的碱，将包含C 3 -C 8醇和任选的C 6 -C 12醚的第二正性抗蚀剂组合物涂覆到第一抗蚀剂图案衬底上以形成第二抗蚀剂图案 抗蚀剂膜，图案曝光，PEB和显影以形成第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US08039198B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12404245

申请日：2009-03-13

申请人： Seiichiro Tachibana ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

发明人： Seiichiro Tachibana ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of a sulfonium salt represented by formula (1) is provided as well as a chemically amplified resist composition comprising the same. R1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R2 to R4 are C1-C10 alkyl or alkoxy, R5 is C1-C30 alkyl or C6-C14 aryl, k, m and n are 0 to 3. The recurring units generate a sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation so as to facilitate effective scission of acid labile groups in the resist composition. The resist composition exhibits excellent resolution and a pattern finish with minimal LER.

摘要翻译： 提供了包含由式（1）表示的锍盐的重复单元的聚合物以及包含该聚合物的化学放大抗蚀剂组合物。 R 1是H，F，甲基或三氟甲基，R 2至R 4是C 1 -C 10烷基或烷氧基，R 5是C 1 -C 30烷基或C 6 -C 14芳基，k，m和n是0至3.重复单元产生磺酸 暴露于高能量辐射下，以促进抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的有效断裂。 抗蚀剂组合物以最小的LER显示出优异的分辨率和图案光洁度。

公开(公告)号：US20100316955A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12815787

申请日：2010-06-15

申请人： Keiichi Masunaga ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

发明人： Keiichi Masunaga ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045

摘要： A polymer comprising a high proportion of aromatic ring structure-containing units and containing an aromatic sulfonic acid sulfonium salt on a side chain is used to form a chemically amplified positive photoresist composition which is effective in forming a resist pattern having high etch resistance. The polymer overcomes the problems of dissolution in solvents for polymerization and purification and in resist solvents.

摘要翻译： 使用包含高比例的含芳环结构的单元并在侧链上含有芳族磺酸锍盐的聚合物形成化学放大的正性光致抗蚀剂组合物，该组合物有效地形成具有高耐蚀刻性的抗蚀剂图案。 该聚合物克服了用于聚合和纯化的溶剂溶解和抗蚀剂溶剂中的问题。

公开(公告)号：US20090233223A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12404245

申请日：2009-03-13

申请人： Seiichiro TACHIBANA ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

发明人： Seiichiro TACHIBANA ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08F214/18 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of a sulfonium salt represented by formula (1) is provided as well as a chemically amplified resist composition comprising the same. R1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R2 to R4 are C1-C10 alkyl or alkoxy, R5 is C1-C30 alkyl or C6-C14 aryl, k, m and n are 0 to 3. The recurring units generate a sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation so as to facilitate effective scission of acid labile groups in the resist composition. The resist composition exhibits excellent resolution and a pattern finish with minimal LER.

摘要翻译： 提供了包含由式（1）表示的锍盐的重复单元的聚合物以及包含该聚合物的化学放大抗蚀剂组合物。 R 1是H，F，甲基或三氟甲基，R 2至R 4是C 1 -C 10烷基或烷氧基，R 5是C 1 -C 30烷基或C 6 -C 14芳基，k，m和n是0至3.重复单元产生磺酸 暴露于高能量辐射下，以促进抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的有效断裂。 抗蚀剂组合物以最小的LER显示出优异的分辨率和图案光洁度。

公开(公告)号：US08507175B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12905426

申请日：2010-10-15

申请人： Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Youichi Ohsawa ,  Kazuhiro Katayama

发明人： Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Youichi Ohsawa ,  Kazuhiro Katayama

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/095

摘要： The process forms a pattern by applying a resist composition onto a substrate to form a resist film, baking, exposure, post-exposure baking, and development. The resist composition comprises a polymer comprising recurring units having an acid labile group and substantially insoluble in alkaline developer, a PAG, a PBG capable of generating an amino group, a quencher for neutralizing the acid from PAG for inactivation, and an organic solvent. A total amount of amino groups from the quencher and PBG is greater than an amount of acid from PAG. An unexposed region and an over-exposed region are not dissolved in developer whereas only an intermediate exposure dose region is dissolved in developer. Resolution is doubled by splitting a single line into two through single exposure and development.

摘要翻译： 该方法通过将抗蚀剂组合物施加到基底上以形成抗蚀剂膜，烘烤，曝光，曝光后烘烤和显影来形成图案。 抗蚀剂组合物包含聚合物，其包含具有酸不稳定基团并且基本上不溶于碱性显影剂的重复单元，PAG，能够产生氨基的PBG，用于中和PAG酸失活的猝灭剂和有机溶剂。 来自猝灭剂和PBG的氨基的总量大于来自PAG的酸的量。 未曝光区域和过度曝光区域不溶解在显影剂中，而只有中间曝光剂量区域溶解在显影剂中。 通过单次曝光和开发将单线分成两组，分辨率翻了一番。