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    Method of Etching and Singulating a Cap Wafer
    64.
    发明申请
    Method of Etching and Singulating a Cap Wafer 有权
    刻蚀和切割盖片的方法

    公开(公告)号：US20110309486A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US13165934

    申请日：2011-06-22

    申请人： Mitul Dalal ,  Li Chen

    发明人： Mitul Dalal ,  Li Chen

    IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/311 ,  H01L21/52 ,  H01L23/04

    CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00523 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of forming a capped die forms a cap wafer having a top side and a bottom side. The bottom side is formed with 1) a plurality of device cavities having a first depth, and 2) a plurality of second cavities that each have a greater depth than the first depth. At least some of the plurality of second cavities each generally circumscribe at least one of the device cavities. The method then secures the cap wafer to a device wafer in a manner that causes a plurality of the device cavities each to circumscribe at least one of circuitry and structure on the device wafer. Next, the method removes at least a portion of the top side of the cap wafer to expose the second cavities. This forms a plurality of caps that each protect the noted circuitry and structure.

    摘要翻译： 形成封盖模的方法形成具有顶侧和底侧的盖晶片。 底侧形成有1）具有第一深度的多个装置空腔，以及2）多个第二空腔，每个具有比第一深度更大的深度。 所述多个第二腔中的至少一些通常围绕所述装置腔中的至少一个。 该方法然后将盖晶片固定到器件晶片，使得多个器件空腔各自包围器件晶片上的电路和结构中的至少一个。 接下来，该方法去除盖晶片的顶侧的至少一部分以暴露第二腔。 这形成多个盖，每个盖保护所述的电路和结构。

    THREE-DIMENSIONAL DISPLAY AND DISPLAYING METHOD THEREOF
    65.
    发明申请
    THREE-DIMENSIONAL DISPLAY AND DISPLAYING METHOD THEREOF 有权
    三维显示及其显示方法

    公开(公告)号：US20110216253A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US13108003

    申请日：2011-05-16

    申请人： Li Chen ,  Chia-Chih Kao ,  Chao-Yuan Chen ,  Ken-Yu Liu ,  Wen-Hao Hsu ,  Jenn-Jia Su

    发明人： Li Chen ,  Chia-Chih Kao ,  Chao-Yuan Chen ,  Ken-Yu Liu ,  Wen-Hao Hsu ,  Jenn-Jia Su

    IPC分类号： G02B27/26 ,  G02F1/1335

    CPC分类号： G02B27/26 ,  G02F1/1335

    摘要： A three-dimensional display including a display panel and a phase retardation film is provided. The display panel has a plurality of first pixel regions and a plurality of second pixel regions arranged in arrays. The phase retardation film is configured on a surface of the display panel. Here, the phase retardation film has a plurality of first retardation regions and a plurality of second retardation regions that are arranged alternately. The first retardation regions have the same phase retardation, the second retardation regions have the same phase retardation, and the phase retardation of the first retardation regions is different from that of the second retardation regions. All the regions of the phase retardation film have the same optical transmittance. A displaying method adaptable to the three-dimensional display is also provided.

    摘要翻译： 提供了包括显示面板和相位延迟薄膜的三维显示器。 显示面板具有排列成阵列的多个第一像素区域和多个第二像素区域。 相位延迟膜配置在显示面板的表面上。 这里，相位延迟膜具有多个第一延迟区域和交替布置的多个第二延迟区域。 第一延迟区域具有相同的相位延迟，第二延迟区域具有相同的相位延迟，并且第一延迟区域的相位延迟与第二延迟区域的相位延迟不同。 相位延迟膜的所有区域具有相同的光学透射率。 还提供了适用于三维显示的显示方法。

    APPARATUS AND METHOD OF FORMING A MEMS ACOUSTIC TRANSDUCER WITH LAYER TRANSFER PROCESSES
    68.
    发明申请
    APPARATUS AND METHOD OF FORMING A MEMS ACOUSTIC TRANSDUCER WITH LAYER TRANSFER PROCESSES 审中-公开
    使用层传输方法形成MEMS声学传感器的装置和方法

    公开(公告)号：US20110073967A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：US12870266

    申请日：2010-08-27

    申请人： Li Chen ,  Kuang Yang

    发明人： Li Chen ,  Kuang Yang

    IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L29/84 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/10 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

    摘要： A method of forming a MEMS microphone forms circuitry and first MEMS microstructure on a first wafer in a first process, and second MEMS microstructure on a second wafer in a second process. The first process is thermally isolated from the second process. The method also layer transfers the second MEMS microstructure onto the first wafer. The first MEMS microstructure and second MEMS microstructure thus form a variable capacitor that communicates with the circuitry on the first wafer.

    摘要翻译： 形成MEMS麦克风的方法在第一工艺中在第一晶片上形成电路和第一MEMS微结构，并且在第二工艺中在第二晶片上形成第二MEMS微结构。 第一个过程与第二个过程热隔离。 该方法还将第二MEMS微结构转移到第一晶片上。 因此，第一MEMS微结构和第二MEMS微结构形成与第一晶片上的电路通信的可变电容器。

    3,3'-Spiroindolinone Derivatives
    70.
    发明申请
    3,3'-Spiroindolinone Derivatives 失效
    3,3'-螺吲哚啉酮衍生物

    公开(公告)号：US20100273819A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12748687

    申请日：2010-03-29

    申请人： Li Chen ,  Xingchun Han ,  Song Yang ,  Zhuming Zhang

    发明人： Li Chen ,  Xingchun Han ,  Song Yang ,  Zhuming Zhang

    IPC分类号： A61K31/438 ,  C07D215/36 ,  A61P35/00

    CPC分类号： C07D471/10

    摘要： There are provided compounds of the formula or a pharmaceutically acceptable salt or ester thereof wherein X, Y, W, W′, V, V′, V″, R1, R2 and R3 are as herein described.The compounds have utility as antiproliferative agents, especially, as anticancer agents.

    摘要翻译： 提供下式的化合物或其药学上可接受的盐或酯，其中X，Y，W，W'，V，V'，V“，R 1，R 2和R 3如本文所述。 这些化合物具有抗增生剂的作用，特别是作为抗癌剂。