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    FORMING INDUCTOR AND TRANSFORMER STRUCTURES WITH MAGNETIC MATERIALS USING DAMASCENE PROCESSING FOR INTEGRATED CIRCUITS
    71.
    发明申请
    FORMING INDUCTOR AND TRANSFORMER STRUCTURES WITH MAGNETIC MATERIALS USING DAMASCENE PROCESSING FOR INTEGRATED CIRCUITS 有权
    使用大容量加工的集成电路形成电感器和具有磁性材料的变压器结构

    公开(公告)号：US20110001202A1

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：US12882529

    申请日：2010-09-15

    申请人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    发明人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Methods and associated structures of forming microelectronic devices are described. Those methods may include forming a first layer of magnetic material and at least one via structure disposed in a first dielectric layer, forming a second dielectric layer disposed on the first magnetic layer, forming at least one conductive structure disposed in the second dielectric layer, forming a third layer of dielectric material disposed on the conductive structure, forming a second layer of magnetic material disposed in the third layer of dielectric material and in the second layer of dielectric material, wherein the first and second layers of the magnetic material are coupled to one another.

    摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括形成磁性材料的第一层和设置在第一介电层中的至少一个通孔结构，形成设置在第一磁性层上的第二介电层，形成设置在第二介电层中的至少一个导电结构，形成 设置在所述导电结构上的第三层电介质材料，形成设置在所述第三介电材料层中和所述第二介电材料层中的第二层磁性材料，其中所述磁性材料的第一和第二层与一个 另一个。

    MULTIPHASE TRANSFORMER FOR A MULTIPHASE DC-DC CONVERTER
    77.
    发明申请
    MULTIPHASE TRANSFORMER FOR A MULTIPHASE DC-DC CONVERTER 有权
    用于多相DC-DC转换器的多相变压器

    公开(公告)号：US20090174377A1

    公开(公告)日：2009-07-09

    申请号：US12405136

    申请日：2009-03-16

    申请人： Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Jaeseo Lee ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik ,  Vivek De

    发明人： Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Jaeseo Lee ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik ,  Vivek De

    IPC分类号： G05F1/00

    CPC分类号： G05F1/468 ,  H02M1/14 ,  H02M7/068

    摘要： A multiphase DC-DC converter is provided that includes a multiphase transformer, the multiphase transformer including a plurality of input voltage terminals and an transformer output voltage terminal, each input voltage terminal associated with a corresponding phase. Each phase is assigned to an input voltage terminal of the plurality of input voltage terminals to minimize a ripple current at the input voltage terminals of the multiphase transformer.

    摘要翻译： 提供了一种包括多相变压器的多相DC-DC转换器，多相变压器包括多个输入电压端子和变压器输出电压端子，每个输入电压端子与相应的相位相关联。 将各相分配给多个输入电压端子的输入电压端子，以使多相变压器的输入电压端子处的纹波电流最小化。

    FORMING INDUCTOR AND TRANSFORMER STRUCTURES WITH MAGNETIC MATERIALS USING DAMASCENE PROCESSING FOR INTEGRATED CIRCUITS
    78.
    发明申请
    FORMING INDUCTOR AND TRANSFORMER STRUCTURES WITH MAGNETIC MATERIALS USING DAMASCENE PROCESSING FOR INTEGRATED CIRCUITS 有权
    使用大容量加工的集成电路形成电感器和具有磁性材料的变压器结构

    公开(公告)号：US20090166804A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：US11968122

    申请日：2007-12-31

    申请人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    发明人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Methods and associated structures of forming microelectronic devices are described. Those methods may include forming a first layer of magnetic material and at least one via structure disposed in a first dielectric layer, forming a second dielectric layer disposed on the first magnetic layer, forming at least one conductive structure disposed in the second dielectric layer, forming a third layer of dielectric material disposed on the conductive structure, forming a second layer of magnetic material disposed in the third layer of dielectric material and in the second layer of dielectric material, wherein the first and second layers of the magnetic material are coupled to one another.

    摘要翻译： 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括形成磁性材料的第一层和设置在第一介电层中的至少一个通孔结构，形成设置在第一磁性层上的第二介电层，形成设置在第二介电层中的至少一个导电结构，形成 设置在所述导电结构上的第三层电介质材料，形成设置在所述第三介电材料层中和所述第二介电材料层中的第二层磁性材料，其中所述磁性材料的第一和第二层与一个 另一个。