公开(公告)号：US09412810B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14592223

申请日：2015-01-08

申请人： Force Mos Technology Co., Ltd.

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26586 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A super-junction trench MOSFET with closed cell layout having shielded gate is disclosed, wherein closed gate trenches surrounding a deep trench in each unit cell and the shielded gate disposed in the deep trench. Trenched source-body contacts are at least formed between the closed gate trenches and the deep trench. The deep trench has square, rectangular, circle or hexagon shape.

摘要翻译： 公开了具有屏蔽栅极的具有闭孔布局的超结沟槽MOSFET，其中围绕每个单元电池中的深沟槽的封闭栅极沟槽和设置在深沟槽中的屏蔽栅极。 至少在闭合栅极沟槽和深沟槽之间形成有沟槽的源体接触。 深沟有方形，矩形，圆形或六边形。

公开(公告)号：US09099320B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US14031089

申请日：2013-09-19

申请人： Force Mos Technology Co., Ltd.

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A super junction structure having implanted column regions surrounding an N epitaxial layer in a deep trench is disclosed to overcome charge imbalance problem and to further reduce Rds. The inventive super junction can be used for MOSFET and Schottky rectifier.

摘要翻译： 公开了具有围绕深沟槽中的N外延层的注入的列区域的超结结构，以克服电荷不平衡问题并进一步减少Rds。 本发明的超结可用于MOSFET和肖特基整流器。

公开(公告)号：US08889514B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US14149172

申请日：2014-01-07

申请人： Force Mos Technology Co., Ltd.

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention discloses a trench MOSFET comprising a top side drain region in a wide trench in a termination area besides a BV sustaining area, wherein said top side drain comprises a top drain metal connected to an epitaxial layer and a substrate through a plurality of trenched drain contacts, wherein the wide trench is formed simultaneously when a plurality of gate trenches are formed in an active area, and the trenched drain contacts are formed simultaneously when a trenched source-body contact is formed in the active area.

公开(公告)号：US20130330892A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13953026

申请日：2013-07-29

申请人： Fu-Yuan HSIEH

发明人： Fu-Yuan HSIEH

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： A power semiconductor power device having composite trench bottom oxide and multiple trench floating gates is disclosed. The gate charge is reduced by forming a pad oxide surrounding a HDP oxide on trench bottom. The multiple trenched floating gates are applied in termination for saving body mask.

摘要翻译： 公开了具有复合沟槽底部氧化物和多个沟槽浮动栅极的功率半导体功率器件。 通过在沟槽底部形成围绕HDP氧化物的衬垫氧化物来减小栅极电荷。 多个沟槽浮动栅极被应用于终端以保存身体掩模。

公开(公告)号：US08598624B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13590555

申请日：2012-08-21

申请人： Fu-Yuan Hsieh

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/43

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4232

摘要： A hybrid IGBT device having a VIGBT and LDMOS structures comprises at least a drain trenched contact filled with a conductive plug penetrating through an epitaxial layer, and extending into a substrate; a vertical drain region surrounding at least sidewalls of the drain trenched contact, extending from top surface of the epitaxial layer to the substrate, wherein the vertical drain region having a higher doping concentration than the epitaxial layer.

摘要翻译： 具有VIGBT和LDMOS结构的混合IGBT器件至少包括填充有穿透外延层的导电插塞并延伸到衬底中的漏极沟槽接触; 至少围绕所述漏极沟槽接触的侧壁的垂直漏极区域，所述垂直漏极区域从所述外延层的顶表面延伸到所述衬底，其中所述垂直漏极区域具有比所述外延层更高的掺杂浓度。

公开(公告)号：US08569780B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13246357

申请日：2011-09-27

申请人： Fu-Yuan Hsieh

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： A trench semiconductor power device integrated with a Gate-Source and a Gate-Drain clamp diodes without using source mask is disclosed, wherein a plurality source regions of a first conductivity type of the trench semiconductor device and multiple doped regions of the first conductivity type of the clamp diodes are formed simultaneously through contact open areas defined by a contact mask.

摘要翻译： 公开了一种与栅极源​​和栅极 - 漏极钳位二极管集成而不使用源极掩模的沟槽半导体功率器件，其中第一导电类型的沟槽半导体器件的多个源极区域和第一导电类型的多个掺杂区域 钳位二极管通过由接触掩模限定的接触开放区域同时形成。

公开(公告)号：US08564047B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13246367

申请日：2011-09-27

申请人： Fu-Yuan Hsieh

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L27/0255 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/866

摘要： A semiconductor power device having shielded gate structure integrated with a trenched clamp diode formed in a semiconductor silicon layer, wherein the shielded gate structure comprises a shielded electrode formed by a first poly-silicon layer and a gate electrode formed by a second poly-silicon layer. The trenched clamp diode is formed by the first poly-silicon layer. A shielded gate mask used to define the shielded gate is also used to define the trenched clamp diode. Therefore, one poly-silicon layer and a mask for the trenched clamp diode are saved.

摘要翻译： 一种半导体功率器件，其具有与形成在半导体硅层中的沟槽钳位二极管集成的屏蔽栅极结构，其中所述屏蔽栅极结构包括由第一多晶硅层形成的屏蔽电极和由第二多晶硅层 。 沟槽钳位二极管由第一多晶硅层形成。 用于限定屏蔽栅极的屏蔽栅极掩模也用于限定沟槽钳位二极管。 因此，可以节省一个多晶硅层和用于沟槽钳位二极管的掩模。

公开(公告)号：US08525255B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13171965

申请日：2011-06-29

申请人： Fu-Yuan Hsieh

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： A power semiconductor power device having composite trench bottom oxide and multiple trench floating gates is disclosed. The gate charge is reduced by forming a pad oxide surrounding a HDP oxide on trench bottom. The multiple trenched floating gates are applied in termination for saving body mask.

摘要翻译： 公开了具有复合沟槽底部氧化物和多个沟槽浮动栅极的功率半导体功率器件。 通过在沟槽底部形成围绕HDP氧化物的衬垫氧化物来减小栅极电荷。 多个沟槽浮动栅极被应用于终端以保存身体掩模。

公开(公告)号：US08487372B1

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13650346

申请日：2012-10-12

申请人： Force Mos Technology Co., Ltd.

发明人： Fu-Yuan Hsieh

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

摘要： A trench MOSFET layout with multiple trenched floating gates and at least one trenched channel stop gate in termination area shorted with drain region is disclosed to make it feasibly achieved after die sawing. The layout consisted of dual trench MOSFETs connected together with multiple sawing trenched gates across a space between the two trench MOSFETs having a width same as scribe line.

摘要翻译： 公开了具有多个沟槽浮动栅极的沟槽MOSFET布局和在漏极区域短接的端接区域中的至少一个沟槽沟道停止栅极，使得在切割后可行地实现。 布局由双沟槽MOSFET组成，两沟槽MOSFET与跨越沟槽宽度与划线相同的两个沟槽MOSFET之间的空间的多个锯切沟槽栅极连接在一起。

公开(公告)号：US20130168760A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13341349

申请日：2011-12-30

申请人： Fu-Yuan HSIEH

发明人： Fu-Yuan HSIEH

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A trench MOSFET with split gates and diffused drift region for on-resistance reduction is disclosed. Each of the split gates is symmetrically disposed in the middle of the source electrode and adjacent trench sidewall of a deep trench. The inventive structure can save a mask for definition of the location of the split gate electrodes. Furthermore, the fabrication method can be implemented more reliably with lower cost.

摘要翻译： 公开了一种具有分裂栅极的沟槽MOSFET和用于导通电阻降低的扩散漂移区域。 每个分裂门对称地设置在源极电极的中间和深沟槽的相邻沟槽侧壁。 本发明的结构可以节省用于定义分离栅电极的位置的掩模。 此外，可以以更低的成本更可靠地实现制造方法。