公开(公告)号：US5788777A

公开(公告)日：1998-08-04

申请号：US811791

申请日：1997-03-06

申请人： Albert A. Burk, Jr.

发明人： Albert A. Burk, Jr.

IPC分类号： C23C16/458 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C23C16/00

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36

摘要： A susceptor assembly for use in an epitaxial growth reactor for growing silicon carbide epitaxial layers. The susceptor assembly is rotatable about a central axis and includes a plurality of cavities each for receiving a wafer holder. A plurality of gas passageways leading to respective cavities, carries gas for levitating and rotating the wafer holders in their respective cavities. All of the gas passageways in the susceptor assembly are non-radially oriented.

摘要翻译： 用于生长碳化硅外延层的外延生长反应器中的基座组件。 基座组件可围绕中心轴线旋转并且包括多个用于接收晶片保持器的空腔。 通向相应空腔的多个气体通道携带气体，用于将晶片保持器悬浮在其各自的空腔中并使其旋转。 基座组件中的所有气体通道都是非径向定向的。

公开(公告)号：US5351163A

公开(公告)日：1994-09-27

申请号：US998219

申请日：1992-12-30

申请人： Dale E. Dawson ,  Albert A. Burk, Jr. ,  Harlan C. Cramer ,  Ronald C. Brooks ,  Howell G. Henry

发明人： Dale E. Dawson ,  Albert A. Burk, Jr. ,  Harlan C. Cramer ,  Ronald C. Brooks ,  Howell G. Henry

IPC分类号： H01G4/08 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92 ,  H01G4/10

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/08

摘要： A high Q monolithic metal-insulator-metal (MIM) capacitor utilizing a single crystal dielectric material. A dielectric membrane is epitaxially grown on a substrate. The membrane acts as an etch-stop when a backside etch is used to form a cavity in the substrate, resulting in a single crystal dielectric membrane spanning the cavity. Electrodes are formed on opposite surfaces of the membrane at the cavity location. For a shunt capacitor application, the bottom electrode is connected to the backside substrate metallization. For a series capacitor application, the bottom electrode is isolated from the backside metallization, but is connected to the topside circuitry through a via formed in the membrane. The membrane may consist of two dielectric layers, where the first layer is an etchstop material. In one embodiment the substrate and second dielectric layer are gallium arsenide and the first dielectric layer is aluminum gallium arsenide.

摘要翻译： 使用单晶介质材料的高Q单片金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器。 电介质膜在衬底上外延生长。 当使用背面蚀刻在基板中形成空腔时，膜用作蚀刻停止，导致跨越空腔的单晶介质膜。 在腔的位置处的膜的相对表面上形成电极。 对于并联电容器应用，底部电极连接到背面基板金属化。 对于串联电容器应用，底部电极与背面金属化隔离，但是通过形成在膜中的通孔连接到顶部电路。 膜可以由两个介电层组成，其中第一层是蚀刻阻挡材料。 在一个实施例中，衬底和第二电介质层是砷化镓，第一电介质层是砷化铝镓。

公开(公告)号：US5501173A

公开(公告)日：1996-03-26

申请号：US138564

申请日：1993-10-18

申请人： Albert A. Burk, Jr. ,  Donovan L. Barrett ,  Hudson M. Hobgood ,  Rowland C. Clarke ,  Graeme W. Eldridge ,  Charles D. Brandt

发明人： Albert A. Burk, Jr. ,  Donovan L. Barrett ,  Hudson M. Hobgood ,  Rowland C. Clarke ,  Graeme W. Eldridge ,  Charles D. Brandt

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/148 ,  Y10S438/931

摘要： A method for epitaxially growing a-axis .alpha.-SiC on an a-axis substrate is provided. A section is formed from the SiC crystal by making a pair of parallel cuts in the crystal. Each of these cuts is parallel to the c-axis of the crystal. The resulting section formed from the crystal has opposing a-face surfaces parallel to the c-axis of the crystal. A gas mixture having hydrocarbon and silane is passed over one of the a-face surfaces of the section. The hydrocarbon and silane react on this a-face surface to form an epitaxial layer of SiC. Preferably, the SiC is grown at a temperature of approximately 1450.degree. C.

摘要翻译： 提供了在a轴基板上外延生长a轴α-SiC的方法。 通过在晶体中形成一对平行切口，从SiC晶体形成截面。 这些切口中的每一个平行于晶体的c轴。 由晶体形成的部分具有与晶体的c轴平行的相对的a面表面。 具有烃和硅烷的气体混合物通过该部分的一个面表面。 烃和硅烷在该表面上反应形成SiC的外延层。 优选地，SiC在大约1450℃的温度下生长。

公开(公告)号：US5954881A

公开(公告)日：1999-09-21

申请号：US789769

申请日：1997-01-28

申请人： Albert A. Burk, Jr. ,  Linard M. Thomas

发明人： Albert A. Burk, Jr. ,  Linard M. Thomas

IPC分类号： C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4409 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36

摘要： A ceiling arrangement for a high temperature epitaxial growth reactor in which silicon carbide epitaxial layers may be grown. The ceiling includes an upper layer of carbon foam and a lower layer of graphite bonded thereto. A support structure for the ceiling is coupled to a nozzle assembly, holding a gas delivering nozzle. The support structure has a lower flange portion which includes an upwardly extending projection defining a knife edge upon which the ceiling rests. The arrangement minimizes unwanted heat transfer from the ceiling to the nozzle assembly and nozzle.

摘要翻译： 用于生长碳化硅外延层的高温外延生长反应器的天花板布置。 天花板包括上层的碳泡沫和与其结合的下层石墨。 天花板的支撑结构联接到喷嘴组件，保持气体输送喷嘴。 支撑结构具有下凸缘部分，该下凸缘部分包括限定刀片边缘的向上延伸的突出部，顶部支撑在该刀刃上。 该装置最小化从天花板到喷嘴组件和喷嘴的不期望的热传递。