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    Transistors and electronic apparatuses including same
    1.
    发明授权
    Transistors and electronic apparatuses including same 有权
    晶体管及其电子设备

    公开(公告)号：US08426852B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12923089

    申请日：2010-09-01

    申请人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

    发明人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： Transistors and electronic apparatuses including the same are provided, the transistors include a channel layer on a substrate. The channel layer includes a zinc (Zn)-containing oxide. The transistors include a source and a drain, respectively, contacting opposing ends of the channel layer, a gate corresponding to the channel layer, and a gate insulating layer insulating the channel layer from the gate. The channel layer has a first surface adjacent to the substrate, a second surface facing the first surface, and a channel layer-protection portion on the second surface. The channel layer-protection portion includes a fluoride material.

    摘要翻译： 提供了包括它们的晶体管和电子设备，晶体管包括在衬底上的沟道层。 沟道层包括含锌（Zn）的氧化物。 晶体管分别包括与沟道层的相对端接触的源极和漏极，对应于沟道层的栅极以及将沟道层与栅极绝缘的栅极绝缘层。 沟道层具有与基板相邻的第一表面，与第一表面相对的第二表面和在第二表面上的沟道层保护部分。 沟道层保护部分包括氟化物材料。

    Nanostructured thin film and method for controlling surface properties thereof
    4.
    发明授权
    Nanostructured thin film and method for controlling surface properties thereof 有权
    纳米结构薄膜及其表面性质的控制方法

    公开(公告)号：US08974889B2

    公开(公告)日：2015-03-10

    申请号：US12237808

    申请日：2008-09-25

    申请人： Xavier Bulliard ,  Anass Benayad ,  Jong Jin Park ,  Jae Cheol Lee ,  Yun Hyuk Choi

    发明人： Xavier Bulliard ,  Anass Benayad ,  Jong Jin Park ,  Jae Cheol Lee ,  Yun Hyuk Choi

    IPC分类号： B32B5/12 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/40

    CPC分类号： B82Y30/00 ,  C23C16/401 ,  Y10S977/707 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24372

    摘要： Disclosed herein is a nanostructured thin film. The nanostructured thin film comprises a nanoparticle layer and a number of micro-undulated surfaces formed on the nanoparticle layer. The two micro-undulated structures of the nanostructured thin film are uniformly introduced over a large area. This configuration makes it easy to control the surface properties of the nanostructured thin film. Therefore, the nanostructured thin film can be widely applied to a variety of devices. Also disclosed herein is a method for controlling the surface properties of the nanostructured thin film.

    摘要翻译： 本文公开了纳米结构薄膜。 纳米结构薄膜包括纳米颗粒层和形成在纳米颗粒层上的多个微波浪表面。 在大面积上均匀地引入纳米结构薄膜的两个微波浪结构。 这种构造使得容易控制纳米结构薄膜的表面性质。 因此，纳米结构薄膜可广泛应用于各种器件。 本文还公开了一种用于控制纳米结构薄膜的表面性质的方法。

    Transistor and electronic apparatus including same
    5.
    发明申请
    Transistor and electronic apparatus including same 有权
    晶体管和包括它的电子设备

    公开(公告)号：US20110133176A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US12923089

    申请日：2010-09-01

    申请人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

    发明人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： Transistors and electronic apparatuses including the same are provided, the transistors include a channel layer on a substrate. The channel layer includes a zinc (Zn)-containing oxide. The transistors include a source and a drain, respectively, contacting opposing ends of the channel layer, a gate corresponding to the channel layer, and a gate insulating layer insulating the channel layer from the gate. The channel layer has a first surface adjacent to the substrate, a second surface facing the first surface, and a channel layer-protection portion on the second surface. The channel layer-protection portion includes a fluoride material.

    摘要翻译： 提供了包括它们的晶体管和电子设备，晶体管包括在衬底上的沟道层。 沟道层包括含锌（Zn）的氧化物。 晶体管分别包括与沟道层的相对端接触的源极和漏极，对应于沟道层的栅极以及将沟道层与栅极绝缘的栅极绝缘层。 沟道层具有与基板相邻的第一表面，与第一表面相对的第二表面和在第二表面上的沟道层保护部分。 沟道层保护部分包括氟化物材料。

    NANOSTRUCTURED THIN FILM AND METHOD FOR CONTROLLING SURFACE PROPERTIES THEREOF
    6.
    发明申请
    NANOSTRUCTURED THIN FILM AND METHOD FOR CONTROLLING SURFACE PROPERTIES THEREOF 有权
    纳米薄膜及其表面性质的控制方法

    公开(公告)号：US20100279066A1

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：US12237808

    申请日：2008-09-25

    申请人： Xavier BULLIARD ,  Anass BENAYAD ,  Jong Jin PARK ,  Jae Cheol LEE ,  Yun Hyuk CHOI

    发明人： Xavier BULLIARD ,  Anass BENAYAD ,  Jong Jin PARK ,  Jae Cheol LEE ,  Yun Hyuk CHOI

    IPC分类号： B32B3/10 ,  B32B3/30 ,  C23C14/35

    CPC分类号： B82Y30/00 ,  C23C16/401 ,  Y10S977/707 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24372

    摘要： Disclosed herein is a nanostructured thin film. The nanostructured thin film comprises a nanoparticle layer and a number of micro-undulated surfaces formed on the nanoparticle layer. The two micro-undulated structures of the nanostructured thin film are uniformly introduced over a large area. This configuration makes it easy to control the surface properties of the nanostructured thin film. Therefore, the nanostructured thin film can be widely applied to a variety of devices. Also disclosed herein is a method for controlling the surface properties of the nanostructured thin film.

    摘要翻译： 本文公开了纳米结构薄膜。 纳米结构薄膜包括纳米颗粒层和形成在纳米颗粒层上的多个微波浪表面。 在大面积上均匀地引入纳米结构薄膜的两个微波浪结构。 这种构造使得容易控制纳米结构薄膜的表面性质。 因此，纳米结构薄膜可广泛应用于各种器件。 本文还公开了一种用于控制纳米结构薄膜的表面性质的方法。