公开(公告)号：US08546885B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13189732

申请日：2011-07-25

申请人： Cheng-Hao Hou ,  Peng-Soon Lim ,  Da-Yuan Lee ,  Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Fan-Yi Hsu ,  Jian-Hao Chen ,  Kuang-Yuan Hsu

发明人： Cheng-Hao Hou ,  Peng-Soon Lim ,  Da-Yuan Lee ,  Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Fan-Yi Hsu ,  Jian-Hao Chen ,  Kuang-Yuan Hsu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit fabrication is disclosed, and more particularly a field effect transistor with a low resistance metal gate electrode is disclosed. An exemplary structure for a metal gate electrode of a field effect transistor comprises a lower portion formed of a first metal material, wherein the lower portion has a recess, a bottom portion and sidewall portions, wherein each of the sidewall portions has a first width; and an upper portion formed of a second metal material, wherein the upper portion has a protrusion and a bulk portion, wherein the bulk portion has a second width, wherein the protrusion extends into the recess, wherein a ratio of the second width to the first width is from about 5 to 10.

摘要翻译： 公开了集成电路制造，更具体地说，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。 场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中下部具有凹部，底部和侧壁部分，其中每个侧壁部分具有第一宽度; 以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突起和主体部分，其中所述主体部分具有第二宽度，其中所述突起延伸到所述凹部中，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比率 宽度为约5至10。

公开(公告)号：US07838135B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11462400

申请日：2006-08-04

申请人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

发明人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/7325 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851

摘要： A novel heat assisted magnetic recording (HAMR) medium and the fabrication method therefor are provided. The exchange coupling effect occurring at the interface of FePt/CoTb double layers is adopted, and thus the resulting magnetic flux would be sufficient enough to be detected and readout under the room temperature. The provided HAMR medium exhibits a relatively high saturation magnetization and perpendicular coercivity, and thus possesses a great potential for the ultra-high density recording application.

摘要翻译： 提供了一种新型的热辅助磁记录（HAMR）介质及其制造方法。 采用在FePt / CoTb双层界面处发生的交换耦合效应，因此得到的磁通足够足以在室温下检测和读出。 所提供的HAMR介质具有相对高的饱和磁化强度和垂直矫顽力，因此对于超高密度记录应用具有很大的潜力。

公开(公告)号：US20130026637A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13189732

申请日：2011-07-25

申请人： Cheng-Hao HOU ,  Peng-Soon LIM ,  Da-Yuan LEE ,  Xiong-Fei YU ,  Chun-Yuan CHOU ,  Fan-Yi HSU ,  Jian-Hao CHEN ,  Kuang-Yuan HSU

发明人： Cheng-Hao HOU ,  Peng-Soon LIM ,  Da-Yuan LEE ,  Xiong-Fei YU ,  Chun-Yuan CHOU ,  Fan-Yi HSU ,  Jian-Hao CHEN ,  Kuang-Yuan HSU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit fabrication is disclosed, and more particularly a field effect transistor with a low resistance metal gate electrode is disclosed. An exemplary structure for a metal gate electrode of a field effect transistor comprises a lower portion formed of a first metal material, wherein the lower portion has a recess, a bottom portion and sidewall portions, wherein each of the sidewall portions has a first width; and an upper portion formed of a second metal material, wherein the upper portion has a protrusion and a bulk portion, wherein the bulk portion has a second width, wherein the protrusion extends into the recess, wherein a ratio of the second width to the first width is from about 5 to 10.

摘要翻译： 公开了集成电路制造，更具体地说，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。 场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中下部具有凹部，底部和侧壁部分，其中每个侧壁部分具有第一宽度; 以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突起和主体部分，其中所述主体部分具有第二宽度，其中所述突起延伸到所述凹部中，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比率 宽度为约5至10。

公开(公告)号：US20060021871A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10901789

申请日：2004-07-29

申请人： Po-Cheng Kuo ,  Huei-Li Huang ,  Jen-Hwa Hsu ,  Ching-Ray Chang ,  An-Cheng Sun ,  Sheng-Chi Chen ,  Chun-Yuan Chou ,  Chang-Tai Lee ,  Huang-Wei Chang

发明人： Po-Cheng Kuo ,  Huei-Li Huang ,  Jen-Hwa Hsu ,  Ching-Ray Chang ,  An-Cheng Sun ,  Sheng-Chi Chen ,  Chun-Yuan Chou ,  Chang-Tai Lee ,  Huang-Wei Chang

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/32

CPC分类号： C23C14/165 ,  C23C14/02 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  G11B5/84 ,  H01F10/123 ,  H01F41/18 ,  H01F41/22

摘要： A method for fabricating an L10 alloy film is provided. The method includes steps of (a) providing a substrate; (b) heating the substrate as a preheated substrate at a first temperature ranged from 100° C. to 600° C. for a time period ranged from 5 minutes to 120 minutes, and then cooling the substrate to room temperature in the sputtering chamber; (c) depositing an alloy film on the preheated substrate; and (d) annealing the alloy film at a second temperature ranged from 200° C. to 500° C. to form the alloy film.

摘要翻译： 提供了一种制造L1＆lt; 0＆gt;合金膜的方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供衬底; （b）在100℃〜600℃的第一温度下将衬底加热为预热的衬底，时间为5分钟至120分钟，然后在溅射室中将衬底冷却至室温; （c）在预热的基底上沉积合金膜; 和（d）在200℃至500℃的第二温度下对合金膜退火以形成合金膜。

公开(公告)号：US20130056836A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13224033

申请日：2011-09-01

申请人： Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Da-Yuan Lee ,  Kuan-Yuan Hsu ,  Jeff J. Xu

发明人： Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Da-Yuan Lee ,  Kuan-Yuan Hsu ,  Jeff J. Xu

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device with a metal gate is disclosed. An exemplary semiconductor device with a metal gate includes a semiconductor substrate, source and drain features on the semiconductor substrate, a gate stack over the semiconductor substrate and disposed between the source and drain features. The gate stack includes a HK dielectric layer formed over the semiconductor substrate, a plurality of barrier layers of a metal compound formed on top of the HK dielectric layer, wherein each of the barrier layers has a different chemical composition; and a stack of metals gate layers deposited over the plurality of barrier layers.

摘要翻译： 公开了一种具有金属栅极的半导体器件。 具有金属栅极的示例性半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的源极和漏极特征，半导体衬底上的栅极堆叠并且设置在源极和漏极特征之间。 所述栅堆叠包括形成在所述半导体衬底上的HK电介质层，形成在所述HK电介质层的顶部上的金属化合物的多个势垒层，其中每个所述阻挡层具有不同的化学组成; 以及沉积在所述多个阻挡层上的一叠金属栅极层。

公开(公告)号：US20090185399A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12018092

申请日：2008-01-22

申请人： Fun-Son Yeh ,  Chun-Yuan Chou

发明人： Fun-Son Yeh ,  Chun-Yuan Chou

IPC分类号： H02M1/00

CPC分类号： H02M1/36 ,  H02M2001/0006 ,  Y10S323/901 ,  Y10S323/908

摘要： An active start judgment circuit is electrically connected to an AC/DC transforming power supply which has at least one standby power unit to transform AC to DC in regular conditions and a main power unit to transform the AC to the DC in an ON condition for operation of an electronic equipment. The start judgment circuit bridges the standby power unit and the main power unit, and generates a reference potential based on a voltage output from the standby power unit, and gets a power signal from the standby power unit to be compared with the reference potential to output a start signal to the main power unit to transform the AC to the DC. Thus the standby power unit can actively drive the main power unit to supply DC power to activate the electronic equipment.

摘要翻译： 有源启动判断电路电连接到AC / DC变换电源，该AC / DC变换电源具有至少一个备用电源单元，以在常规条件下将AC变换为DC，并且主电源单元将AC转换为DC，以在操作的ON状态 的电子设备。 启动判断电路桥接待机功率单元和主电源单元，并且基于从待机功率单元输出的电压产生参考电位，并且从待机功率单元获得与参考电位进行比较的功率信号以输出 将主电源单元的起始信号转换为DC。 因此，备用电源单元可以主动地驱动主电源单元以提供直流电力来激活电子设备。

公开(公告)号：US20050016836A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10891763

申请日：2004-07-14

申请人： Po-Cheng Kuo ,  Chun-Yuan Chou ,  Chao-Te Lee ,  Chu-Long Shen ,  Ching-Ray Chang

发明人： Po-Cheng Kuo ,  Chun-Yuan Chou ,  Chao-Te Lee ,  Chu-Long Shen ,  Ching-Ray Chang

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/32 ,  C23C30/00 ,  G11B5/851 ,  G11B11/105

CPC分类号： G11B5/851 ,  C23C14/185

摘要： The present invention includes that using single layer amorphous CoTbAg thin films as heat assisted magnetic recording (HAMR) media, and the method for producing these CoTbAg amorphous thin films. Co69.48−XTb30.52AgX films with x=0˜25.68 at. % are fabricated by DC or RF magnetron sputtering and rotating substrate. Two kinds of targets can be used. One is the CoTbAg alloy target. The other one consists of Co, Tb and Ag three targets. The CoTbAg film is prepared by co-sputtering of Co, Tb and Ag targets. The film composition can be controlled by changing the sputtering power density of each target. CoTbAg films are deposited on glass substrate or nature-oxide silicon wafer at room temperature. These films have high saturation magnetization and high perpendicular coercivity. They have amorphous structure and can be applied to HAMR media.

摘要翻译： 本发明包括使用单层无定形CoTbAg薄膜作为热辅助磁记录（HAMR）介质，以及制造这些CoTbAg非晶薄膜的方法。 Co69.48-XTb30.52AgX膜，x = 0〜25.68 at。 ％由DC或RF磁控溅射和旋转衬底制造。 可以使用两种目标。 一种是CoTbAg合金靶。 另一个由Co，Tb和Ag三个目标组成。 CoTbAg膜是通过共溅射Co，Tb和Ag靶来制备的。 可以通过改变每个靶的溅射功率密度来控制膜组成。 CoTbAg膜在室温下沉积在玻璃衬底或自然氧化硅晶片上。 这些膜具有高饱和磁化强度和高垂直矫顽力。 它们具有非晶结构，可应用于HAMR介质。

公开(公告)号：US20090246362A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12480918

申请日：2009-06-09

申请人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

发明人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B5/7325 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851

摘要： A novel heat assisted magnetic recording (HAMR) medium and the fabrication method therefor are provided. The exchange coupling effect occurring at the interface of FePt/CoTb double layers is adopted, and thus the resulting magnetic flux would be sufficient enough to be detected and readout under the room temperature. The provided HAMR medium exhibits a relatively high saturation magnetization and perpendicular coercivity, and thus possesses a great potential for the ultra-high density recording application.

摘要翻译： 提供了一种新型的热辅助磁记录（HAMR）介质及其制造方法。 采用在FePt / CoTb双层界面处发生的交换耦合效应，因此得到的磁通足够足以在室温下检测和读出。 所提供的HAMR介质具有相对高的饱和磁化强度和垂直矫顽力，因此对于超高密度记录应用具有很大的潜力。

公开(公告)号：US20070212573A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11462400

申请日：2006-08-04

申请人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

发明人： Po-Cheng Kuo ,  Yen-Hsiang Fang ,  An-Cheng Sun ,  Tao-Hsuan Yang ,  Chun-Yuan Chou ,  Ching-Ray Chang

IPC分类号： G11B5/66 ,  C23C14/00

CPC分类号： G11B5/7325 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851

摘要： A novel heat assisted magnetic recording (HAMR) medium and the fabrication method therefor are provided. The exchange coupling effect occurring at the interface of FePt/CoTb double layers is adopted, and thus the resulting magnetic flux would be sufficient enough to be detected and readout under the room temperature. The provided HAMR medium exhibits a relatively high saturation magnetization and perpendicular coercivity, and thus possesses a great potential for the ultra-high density recording application.

摘要翻译： 提供了一种新型的热辅助磁记录（HAMR）介质及其制造方法。 采用在FePt / CoTb双层界面处发生的交换耦合效应，因此得到的磁通足够足以在室温下检测和读出。 所提供的HAMR介质具有相对高的饱和磁化强度和垂直矫顽力，因此对于超高密度记录应用具有很大的潜力。

公开(公告)号：US08847333B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13224033

申请日：2011-09-01

申请人： Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Jeff J. Xu

发明人： Xiong-Fei Yu ,  Chun-Yuan Chou ,  Da-Yuan Lee ,  Kuang-Yuan Hsu ,  Jeff J. Xu

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device with a metal gate is disclosed. An exemplary semiconductor device with a metal gate includes a semiconductor substrate, source and drain features on the semiconductor substrate, a gate stack over the semiconductor substrate and disposed between the source and drain features. The gate stack includes a HK dielectric layer formed over the semiconductor substrate, a plurality of barrier layers of a metal compound formed on top of the HK dielectric layer, wherein each of the barrier layers has a different chemical composition; and a stack of metals gate layers deposited over the plurality of barrier layers.

摘要翻译： 公开了一种具有金属栅极的半导体器件。 具有金属栅极的示例性半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的源极和漏极特征，半导体衬底上的栅极堆叠并且设置在源极和漏极特征之间。 所述栅堆叠包括形成在所述半导体衬底上的HK电介质层，形成在所述HK电介质层的顶部上的金属化合物的多个势垒层，其中每个所述阻挡层具有不同的化学组成; 以及沉积在所述多个阻挡层上的一叠金属栅极层。