公开(公告)号：US09117674B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US14009305

申请日：2012-04-03

申请人： Joël Eymery ,  Damien Salomon ,  Xiaojun Chen ,  Christophe Durand

发明人： Joël Eymery ,  Damien Salomon ,  Xiaojun Chen ,  Christophe Durand

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of selective growth without catalyst on a semi-conducting structure. According to the method, which is applicable in electronics in particular: a semi-conducting structure is formed from first gaseous or molecular flows; at a same time or subsequently, at least one second gaseous or molecular flow is added thereto, to selectively in situ grow a dielectric layer on the structure; and then another semi-conducting structure is grown thereon from third gaseous or molecular flows.

摘要翻译： 在半导电结构上无催化剂选择性生长的方法。 根据该方法，特别适用于电子学领域：由第一气态或分子流形成半导体结构; 在同时或随后，向其中加入至少一个第二气态或分子流，以选择性地原位生长结构上的介电层; 然后从第三气态或分子流在其上生长另一个半导电结构。

公开(公告)号：US20140080290A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US14009305

申请日：2012-04-03

申请人： Joël Eymery ,  Damien Salomon ,  Xiaojun Chen ,  Christophe Durand

发明人： Joël Eymery ,  Damien Salomon ,  Xiaojun Chen ,  Christophe Durand

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of selective growth without catalyst on a semi-conducting structure. According to the method, which is applicable in electronics in particular: a semi-conducting structure is formed from first gaseous or molecular flows; at a same time or subsequently, at least one second gaseous or molecular flow is added thereto, to selectively in situ grow a dielectric layer on the structure; and then another semi-conducting structure is grown thereon from third gaseous or molecular flows.

摘要翻译： 在半导电结构上无催化剂选择性生长的方法。 根据该方法，特别适用于电子学领域：由第一气态或分子流形成半导体结构; 在同时或随后，向其中加入至少一个第二气态或分子流，以选择性地原位生长结构上的介电层; 然后从第三气态或分子流在其上生长另一个半导电结构。