公开(公告)号：US08558348B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13584070

申请日：2012-08-13

申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

公开(公告)号：US08501623B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12841430

申请日：2010-07-22

申请人： Gyuhwan Oh ,  Young-Lim Park ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Jinil Lee

发明人： Gyuhwan Oh ,  Young-Lim Park ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Jinil Lee

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A semiconductor device includes an electrode having a metal silicide layer and a metal alloy layer, and a data storage element formed on the electrode. The metal silicide layer has a concave surface to correspond to a convex surface of the metal alloy layer such that the concave surface of the metal silicide layer and the convex surface of the metal alloy layer form a curved boundary.

摘要翻译： 半导体器件包括具有金属硅化物层和金属合金层的电极和形成在电极上的数据存储元件。 金属硅化物层具有与金属合金层的凸面对应的凹面，使得金属硅化物层的凹面和金属合金层的凸面形成弯曲的边界。

公开(公告)号：US20110124174A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12953945

申请日：2010-11-24

申请人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

发明人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： Provided are a method of forming an electrode of a variable resistance memory device and a variable resistance semiconductor memory device using the method. The method includes: forming a heat electrode; forming a variable resistance material layer on the heat electrode; and forming a top electrode on the variable resistance material layer, wherein the heat electrode includes a nitride of a metal whose atomic radius is greater than that of titanium (Ti) and is formed through a thermal chemical vapor deposition (CVD) method without using plasma.

摘要翻译： 提供了使用该方法形成可变电阻存储器件的电极和可变电阻半导体存储器件的方法。 该方法包括：形成热电极; 在所述加热电极上形成可变电阻材料层; 以及在所述可变电阻材料层上形成顶部电极，其中所述热电极包括原子半径大于钛（Ti）的金属的氮化物，并且通过热化学气相沉积（CVD）方法形成而不使用等离子体 。

公开(公告)号：US20120305884A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13584070

申请日：2012-08-13

申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

公开(公告)号：US08278206B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12608633

申请日：2009-10-29

申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： H01C17/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

公开(公告)号：US08263455B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12953945

申请日：2010-11-24

申请人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

发明人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： Provided are a method of forming an electrode of a variable resistance memory device and a variable resistance semiconductor memory device using the method. The method includes: forming a heat electrode; forming a variable resistance material layer on the heat electrode; and forming a top electrode on the variable resistance material layer, wherein the heat electrode includes a nitride of a metal whose atomic radius is greater than that of titanium (Ti) and is formed through a thermal chemical vapor deposition (CVD) method without using plasma.

摘要翻译： 提供了使用该方法形成可变电阻存储器件的电极和可变电阻半导体存储器件的方法。 该方法包括：形成热电极; 在所述加热电极上形成可变电阻材料层; 以及在所述可变电阻材料层上形成顶部电极，其中所述热电极包括原子半径大于钛（Ti）的金属的氮化物，并且通过热化学气相沉积（CVD）方法形成而不使用等离子体 。

公开(公告)号：US20110020998A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12841430

申请日：2010-07-22

申请人： Gyuhwan OH ,  Young-Lim Park ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Jinil Lee

发明人： Gyuhwan OH ,  Young-Lim Park ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Jinil Lee

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A semiconductor device includes an electrode having a metal silicide layer and a metal alloy layer, and a data storage element formed on the electrode. The metal silicide layer has a concave surface to correspond to a convex surface of the metal alloy layer such that the concave surface of the metal silicide layer and the convex surface of the metal alloy layer form a curved boundary.

摘要翻译： 半导体器件包括具有金属硅化物层和金属合金层的电极和形成在电极上的数据存储元件。 金属硅化物层具有与金属合金层的凸面对应的凹面，使得金属硅化物层的凹面和金属合金层的凸面形成弯曲的边界。

公开(公告)号：US20100112774A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12608633

申请日：2009-10-29

申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。