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    Variable resistance memory device and methods of forming the same
    3.
    发明授权
    Variable resistance memory device and methods of forming the same 有权
    可变电阻存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US08558348B2

    公开(公告)日：2013-10-15

    申请号：US13584070

    申请日：2012-08-13

    申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

    CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

    摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND METHODS OF FORMING THE SAME
    4.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
    可变电阻存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20120305884A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13584070

    申请日：2012-08-13

    申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

    摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

    Variable resistance memory device and methods of forming the same
    5.
    发明授权
    Variable resistance memory device and methods of forming the same 有权
    可变电阻存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US08278206B2

    公开(公告)日：2012-10-02

    申请号：US12608633

    申请日：2009-10-29

    申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01C17/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

    CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

    摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

    Variable Resistance Memory Device and Methods of Forming the Same
    6.
    发明申请
    Variable Resistance Memory Device and Methods of Forming the Same 有权
    可变电阻存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20100112774A1

    公开(公告)日：2010-05-06

    申请号：US12608633

    申请日：2009-10-29

    申请人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Gyuhwan Oh ,  Dong-Hyun Im ,  Soonoh Park ,  Dongho Ahn ,  Young-Lim Park ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a memory device includes forming a first interlayer insulating layer on a semiconductor substrate, forming a first electrode in the first interlayer insulating layer, the first electrode having a top surface of a rectangular shape extending in a first direction, and forming a variable resistance pattern on the first electrode, the variable resistance pattern having a bottom surface of a rectangular shape extending in a second direction crossing the first direction, the bottom surface of the variable resistance pattern contacting the first electrode, wherein the area of contact between the lower electrode and the variable resistance pattern is substantially equal to a multiplication of a minor axis length of a top surface of the first electrode and a minor axis length of a bottom surface of the variable resistance pattern.

    摘要翻译： 形成存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成第一电极，第一电极具有在第一方向上延伸的矩形形状的顶表面，并形成 第一电极上的可变电阻图案，可变电阻图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的矩形形状的底表面，可变电阻图案的底表面与第一电极接触，其中， 下电极和可变电阻图案基本上等于第一电极的顶表面的短轴长度和可变电阻图案的底表面的短轴长度的乘积。

    Magnetic memory devices and methods of forming the same
    8.
    发明授权
    Magnetic memory devices and methods of forming the same 有权
    磁记忆装置及其形成方法

    公开(公告)号：US09583697B2

    公开(公告)日：2017-02-28

    申请号：US14716913

    申请日：2015-05-20

    申请人： Keewon Kim ,  Minah Kang ,  Soonoh Park ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh

    发明人： Keewon Kim ,  Minah Kang ,  Soonoh Park ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： The inventive concepts provide magnetic memory devices and methods forming the same. The method includes sequentially forming a first magnetic conductive layer and a capping layer on a substrate, patterning the capping layer and the first magnetic conductive layer to form a first magnetic conductive pattern and a capping pattern, forming an interlayer insulating layer exposing the capping pattern on the substrate, removing the capping pattern to expose the first magnetic conductive pattern, forming a tunnel barrier layer and a second magnetic conductive layer on the first magnetic conductive pattern and the interlayer insulating layer, and patterning the second magnetic conductive layer and the tunnel barrier layer to form a second magnetic conductive pattern and a tunnel barrier pattern.

    摘要翻译： 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。 该方法包括在衬底上顺序地形成第一导电层和覆盖层，对覆盖层和第一导电层进行构图以形成第一导电图案和封盖图案，形成将覆盖图案暴露在上的层间绝缘层 所述基板，去除所述封盖图案以露出所述第一导电图案，在所述第一导电图案和所述层间绝缘层上形成隧道势垒层和第二导电层，以及使所述第二导电层和所述隧道势垒层 以形成第二导电图案和隧道势垒图案。

    MAGNETIC MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME
    9.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
    磁记忆体装置及其形成方法

    公开(公告)号：US20160049581A1

    公开(公告)日：2016-02-18

    申请号：US14716913

    申请日：2015-05-20

    申请人： Keewon Kim ,  Minah Kang ,  Soonoh Park ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh

    发明人： Keewon Kim ,  Minah Kang ,  Soonoh Park ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： The inventive concepts provide magnetic memory devices and methods forming the same. The method includes sequentially forming a first magnetic conductive layer and a capping layer on a substrate, patterning the capping layer and the first magnetic conductive layer to form a first magnetic conductive pattern and a capping pattern, forming an interlayer insulating layer exposing the capping pattern on the substrate, removing the capping pattern to expose the first magnetic conductive pattern, forming a tunnel barrier layer and a second magnetic conductive layer on the first magnetic conductive pattern and the interlayer insulating layer, and patterning the second magnetic conductive layer and the tunnel barrier layer to form a second magnetic conductive pattern and a tunnel barrier pattern.

    摘要翻译： 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。 该方法包括在衬底上顺序地形成第一导电层和覆盖层，对覆盖层和第一导电层进行构图以形成第一导电图案和封盖图案，形成将覆盖图案暴露在上的层间绝缘层 所述基板，去除所述封盖图案以露出所述第一导电图案，在所述第一导电图案和所述层间绝缘层上形成隧道势垒层和第二导电层，以及使所述第二导电层和所述隧道势垒层 以形成第二导电图案和隧道势垒图案。

    Ohmic contact structure of a highly integrated semiconductor device having two resistance control layers formed between a metal electrode and the substrate
    10.
    发明授权
    Ohmic contact structure of a highly integrated semiconductor device having two resistance control layers formed between a metal electrode and the substrate 失效
    具有形成在金属电极和基板之间的两个电阻控制层的高度集成的半导体器件的欧姆接触结构

    公开(公告)号：US5563448A

    公开(公告)日：1996-10-08

    申请号：US204568

    申请日：1994-03-02

    申请人： Sangin Lee ,  Soonoh Park

    发明人： Sangin Lee ,  Soonoh Park

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45 ,  H01L23/34

    CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/456 ,  H01L2924/0002

    摘要： An ohmic contact structure for connection of a metal electrode to a highly integrated semiconductor device and a method for making the same. A contact hole is selectively formed in an insulating layer. A contact structure of a hetero-junction of Ge and Si.sub.1-x Ge.sub.x whose bandgap is lower than that of the underlying substrate material is formed between the interface of the metal electrode and the semiconductor substrate. The hetero-junction structure minimizes stress and strain between the metal electrode and the semiconductor substrate. The ohmic contact structure lowers the resistance of electronic lines and increases the reliability of integrated semiconductor devices.

    摘要翻译： 用于将金属电极连接到高度集成的半导体器件的欧姆接触结构及其制造方法。 在绝缘层中选择性地形成接触孔。 在金属电极和半导体衬底的界面之间形成Ge和Si1-xGex的杂结的接合结构，其带隙低于下面的衬底材料的带隙。 异质结结构使金属电极和半导体衬底之间的应力和应变最小化。 欧姆接触结构降低了电子线路的电阻，并提高了集成半导体器件的可靠性。