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    System and method for processing masks with oblique features
    2.
    发明授权
    System and method for processing masks with oblique features 有权
    用倾斜特征处理掩模的系统和方法

    公开(公告)号：US07314689B2

    公开(公告)日：2008-01-01

    申请号：US10765531

    申请日：2004-01-27

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Ping Yang ,  Hong Chang Hsieh ,  Yao Ching Ku ,  Chin Hsian Lin ,  Chiu Shan Yoo

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Ping Yang ,  Hong Chang Hsieh ,  Yao Ching Ku ,  Chin Hsian Lin ,  Chiu Shan Yoo

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

    摘要： A method and system is disclosed for processing one or more oblique features on a mask or reticle substrate. After aligning the mask or reticle substrate with a predetermined reference system, an offset angle of a feature to be processed on the mask or reticle substrate with regard to either the horizontal or vertical reference direction of the predetermined reference system is determined. The mask or reticle substrate is rotated in a predetermined direction by the offset angle; and the feature on the mask or reticle substrate is processed using the predetermined reference system wherein the feature is processed in either the horizontal or vertical reference direction thereof.

    摘要翻译： 公开了一种用于处理掩模或掩模版基板上的一个或多个倾斜特征的方法和系统。 在掩模或掩模版基板与预定的参考系统对准之后，确定相对于预定参考系的水平或垂直参考方向在掩模或掩模版基板上要处理的特征的偏移角。 掩模或掩模版基板沿预定方向旋转偏移角; 并且使用预定的参考系统处理掩模或掩模版基板上的特征，其中特征在水平或垂直参考方向上被处理。

    Resolution enhancement method for deep quarter micron technology
    3.
    发明授权
    Resolution enhancement method for deep quarter micron technology 有权
    深度四分之一微米技术的分辨率增强方法

    公开(公告)号：US06348288B1

    公开(公告)日：2002-02-19

    申请号：US09550266

    申请日：2000-04-17

    申请人： Shinn-Sheng Yu ,  Hong-Chang Hsieh

    发明人： Shinn-Sheng Yu ,  Hong-Chang Hsieh

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F7/0035

    摘要： A new process for fabricating a phase-shifting photomask is described. A photomask blank is provided comprising a chromium layer overlying a substrate and a resist layer overlying said chromium layer. The resist layer of the photomask blank is exposed to electron-beam energy and developed away whereby a first resist pattern remains. The chromium layer not covered by the first resist pattern is etched away and, simultaneously, the substrate not covered by the first resist pattern is etched into to a depth in namometers of ¼ the wavelength of the exposure tool whereby a substrate step is formed underlying the first resist pattern. Thereafter, a portion of the first resist pattern is ashed away to leave a second resist pattern smaller than the first resist pattern and exposing portions of the chromium layer underlying the first resist pattern. The exposed portions of the chromium layer not covered by the second resist pattern are etched away whereby portions of the underlying substrate step are exposed. The second resist pattern is removed to complete fabrication of the phase-shifting photomask.

    摘要翻译： 描述了制造相移光掩模的新工艺。 提供了一种光掩模坯料，其包括覆盖在衬底上的铬层和覆盖所述铬层的抗蚀剂层。 光掩模坯料的抗蚀剂层暴露于电子束能量并被开发，从而残留第一抗蚀剂图案。 蚀刻掉未被第一抗蚀剂图案覆盖的铬层，同时将未被第一抗蚀剂图案覆盖的基板蚀刻到曝光工具的波长的1/4波长的深度，由此基底台阶形成在 第一抗蚀剂图案。 此后，将第一抗蚀剂图案的一部分灰化掉以留下比第一抗蚀剂图案更小的第二抗蚀剂图案，并将第一抗蚀剂图案下方的铬层的部分暴露出来。 蚀刻未被第二抗蚀剂图案覆盖的铬层的暴露部分，从而暴露下面的基底步骤的部分。 去除第二抗蚀剂图案以完成相移光掩模的制造。

    OPC method to improve e-beam writing time
    4.
    发明授权
    OPC method to improve e-beam writing time 有权
    OPC方法提高电子束写入时间

    公开(公告)号：US06316152B1

    公开(公告)日：2001-11-13

    申请号：US09483036

    申请日：2000-01-18

    申请人： Hong-Chang Hsieh ,  Hung-Jui Kuo ,  Shinn-Sheng Yu

    发明人： Hong-Chang Hsieh ,  Hung-Jui Kuo ,  Shinn-Sheng Yu

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F7/70441 ,  H01J37/3174

    摘要： Jogs are sometimes needed in lines that are used as wires in integrated circuits. In the prior art, these jogs are introduced by inserting a diagonal segment at the desired location. This type of shape is expensive to generate when electron beam writing is used. In the present invention the problem is solved by forming the jog through a simple lateral sliding of two halves of the line relative to one another. The resulting line pattern has both sharp corners and a central constriction but when it is transferred to photoresist, using standard photolithographic techniques, both the sharp corners and the constriction are no longer present, provided no OPC was applied to that section of the line. The motivation for this is the much lower cost of E-beam drawing for the structure of the present invention relative to structures of the prior art.

    摘要翻译： 在集成电路中用作导线的线路中有时需要点动。 在现有技术中，通过在期望的位置插入对角线段来引入这些点动。 当使用电子束写入时，这种形状是很昂贵的。 在本发明中，通过使线的两个相对于彼此的两个半部的简单横向滑动来形成点动来解决问题。 所得到的线图案具有锐角和中心收缩，但是当使用标准光刻技术将其转移到光致抗蚀剂时，只要没有将OPC应用于线的该部分，则尖角和收缩都不再存在。 这样做的动机是相对于现有技术的结构，本发明的结构的电子束拉伸成本低得多。