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    Compensation of reticle flatness on focus deviation in optical lithography
    3.
    发明授权
    Compensation of reticle flatness on focus deviation in optical lithography 有权
    光刻平面度对光学光刻焦点偏差的补偿

    公开(公告)号：US07924405B2

    公开(公告)日：2011-04-12

    申请号：US11829701

    申请日：2007-07-27

    申请人： Lee-Chih Yeh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Tzu-Yi Wang

    发明人： Lee-Chih Yeh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Tzu-Yi Wang

    IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/32

    CPC分类号： G03F7/70258 ,  G03F7/70783

    摘要： A method for lithography patterning includes providing a mask for photolithography patterning; measuring a mask flatness of the mask; calculating focal deviation of imaging the mask to a substrate in a lithography apparatus; adjusting the lithography apparatus to have a compensated focal plane of the mask based on the focal deviation; and exposing the semiconductor substrate utilizing the mask and the lithography apparatus with adjusted focal plane.

    摘要翻译： 光刻图案化方法包括提供光刻图案掩模; 测量掩模的掩模平整度; 计算在光刻设备中将掩模成像到基底的焦点偏差; 基于焦点偏差调整光刻装置以具有掩模的补偿焦平面; 以及利用所述掩模和所述光刻设备利用经调整的焦平面曝光所述半导体衬底。

    COMPENSATION OF RETICLE FLATNESS ON FOCUS DEVIATION IN OPTICAL LITHOGRAPHY
    4.
    发明申请
    COMPENSATION OF RETICLE FLATNESS ON FOCUS DEVIATION IN OPTICAL LITHOGRAPHY 有权
    光学平移中焦点偏差的反射平均补偿

    公开(公告)号：US20090027643A1

    公开(公告)日：2009-01-29

    申请号：US11829701

    申请日：2007-07-27

    申请人： Lee-Chih Yeh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Tzu-Yi Wang

    发明人： Lee-Chih Yeh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Tzu-Yi Wang

    IPC分类号： G03B27/52

    CPC分类号： G03F7/70258 ,  G03F7/70783

    摘要： A method for lithography patterning includes providing a mask for photolithography patterning; measuring a mask flatness of the mask; calculating focal deviation of imaging the mask to a substrate in a lithography apparatus; adjusting the lithography apparatus to have a compensated focal plane of the mask based on the focal deviation; and exposing the semiconductor substrate utilizing the mask and the lithography apparatus with adjusted focal plane.

    摘要翻译： 光刻图案化方法包括提供光刻图案掩模; 测量掩模的掩模平整度; 计算在光刻设备中将掩模成像到基底的焦点偏差; 基于焦点偏差调整光刻装置以具有掩模的补偿焦平面; 以及利用所述掩模和所述光刻设备利用经调整的焦平面曝光所述半导体衬底。

    REDUCE MASK OVERLAY ERROR BY REMOVING FILM DEPOSITED ON BLANK OF MASK
    6.
    发明申请
    REDUCE MASK OVERLAY ERROR BY REMOVING FILM DEPOSITED ON BLANK OF MASK 有权
    通过去除膜上的膜清除掩蔽掩蔽错误

    公开(公告)号：US20130219350A1

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：US13398923

    申请日：2012-02-17

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/36 ,  G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00

    摘要： A method for reducing layer overlay errors by synchronizing the density of mask material in the frame area across the masks in a set is disclosed. An exemplary method includes creating a mask design database corresponding to a mask and containing a die area with one or more dies and a frame area outside the die area. Fiducial features within the frame area are identified, and from the fiducial features, an idle frame area is identified. A reference mask design, which corresponds to a reference mask configured to be aligned with the mask, is used to determine a reference density for the idle frame area. The idle frame area of the mask design database is modified to correspond to the reference density. The modified mask design database is then available for further use including manufacturing the mask.

    摘要翻译： 公开了一种通过使一组中的掩模之间的框区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。 一种示例性方法包括创建对应于掩模并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域外部的框架区域的掩模设计数据库。 识别帧区域内的基准特征，并从基准特征中识别空闲帧区域。 使用对应于被配置为与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计来确定空闲帧区域的参考密度。 修改掩模设计数据库的空闲帧区域以对应于参考密度。 然后，修改的掩模设计数据库可用于进一步使用，包括制造掩模。

    Reduce mask overlay error by removing film deposited on blank of mask
    7.
    发明授权
    Reduce mask overlay error by removing film deposited on blank of mask 有权
    通过去除沉积在面罩空白上的薄膜来减少掩模覆盖误差

    公开(公告)号：US08589828B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13398923

    申请日：2012-02-17

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/20 ,  G03F1/42

    CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/36 ,  G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00

    摘要： A method for reducing layer overlay errors by synchronizing the density of mask material in the frame area across the masks in a set is disclosed. An exemplary method includes creating a mask design database corresponding to a mask and containing a die area with one or more dies and a frame area outside the die area. Fiducial features within the frame area are identified, and from the fiducial features, an idle frame area is identified. A reference mask design, which corresponds to a reference mask configured to be aligned with the mask, is used to determine a reference density for the idle frame area. The idle frame area of the mask design database is modified to correspond to the reference density. The modified mask design database is then available for further use including manufacturing the mask.

    摘要翻译： 公开了一种通过使一组中的掩模之间的框区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。 一种示例性方法包括创建对应于掩模并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域外部的框架区域的掩模设计数据库。 识别帧区域内的基准特征，并从基准特征中识别空闲帧区域。 使用对应于被配置为与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计来确定空闲帧区域的参考密度。 修改掩模设计数据库的空闲帧区域以对应于参考密度。 然后，修改的掩模设计数据库可用于进一步使用，包括制造掩模。

    System and Method for Combined Intraoverlay and Defect Inspection
    9.
    发明申请
    System and Method for Combined Intraoverlay and Defect Inspection 有权
    组合内部和缺陷检查的系统和方法

    公开(公告)号：US20130298088A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13464116

    申请日：2012-05-04

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F1/72

    摘要： A method and system for measuring layer overlay and for inspecting a mask for defects unrelated to overlay utilizing a singe comprehensive tool is disclosed. An exemplary method includes receiving a mask design database that corresponds to a mask and has a die area with a mask database feature. A mask image of the mask is received, and a comprehensive inspection system compares the mask image to the mask design database in order to detect mask defects that are not related to layer alignment. The system produces mask defect information corresponding to the mask defects. The comprehensive inspection system also compares the mask image to the mask design database to determine a database-to-mask offset. From the database-to-mask offset, a mask overlay characteristic is determined.

    摘要翻译： 公开了一种用于测量层叠覆盖层的方法和系统，并且用于使用单个综合工具来检查与覆盖无关的缺陷的掩模。 一种示例性方法包括接收对应于掩模并且具有掩模数据库特征的管芯区域的掩模设计数据库。 接收掩模的掩模图像，并且综合检查系统将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以便检测与层对齐无关的掩模缺陷。 系统产生对应于掩模缺陷的掩模缺陷信息。 综合检查系统还将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以确定数据库对掩模偏移量。 从数据库到掩码偏移，确定掩模覆盖特性。

    REFLECTIVE MASK AND METHOD OF MAKING SAME
    10.
    发明申请
    REFLECTIVE MASK AND METHOD OF MAKING SAME 有权
    反射掩模及其制作方法

    公开(公告)号：US20130280643A1

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：US13451705

    申请日：2012-04-20

    申请人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    发明人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/24

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

    摘要： A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, the second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer.

    摘要翻译： 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，第二吸收层沉积在边界沟内，第二吸收层接触封盖层。