公开(公告)号：US20070190247A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10594762

申请日：2005-05-17

申请人： Hyuk-Kyoo Jang ,  Hyun-Chang Kim

发明人： Hyuk-Kyoo Jang ,  Hyun-Chang Kim

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L51/0002 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0079

摘要： Disclosed herein is a method for forming a light-emitting layer on an industrial scale via chemical vapor deposition or molecular layer deposition. According to the method, a metal-containing material and an 8-hydroxyquinoline derivative having stable vapor pressure characteristics are used as raw materials and are vaporized.

摘要翻译： 本文公开了通过化学气相沉积或分子层沉积在工业规模上形成发光层的方法。 根据该方法，使用具有稳定蒸气压特性的含金属材料和8-羟基喹啉衍生物作为原料并蒸发。

公开(公告)号：US06403156B2

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09883581

申请日：2001-06-18

申请人： Hyuk Kyoo Jang ,  Chan Lim

发明人： Hyuk Kyoo Jang ,  Chan Lim

IPC分类号： C23C1606

CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31616

摘要： A method is disclosed for forming an aluminum oxide film on a semiconductor device. In a process of depositing an aluminum oxide film by atomic layer deposition method using TMA (trimethyl aluminum; Al(CH3)3) as an aluminum source and H2O as an oxygen reaction gas, the disclosed method supplies a NH3 reaction gas at the same time when an aluminum source is supplied. Therefore, it can increase the growth rate of an aluminum oxide film and can also improve the characteristic of preventing penetration of hydrogen into an underlying layer or a semiconductor substrate. Thus, the disclosed method can prevent degradation in a charge storage characteristic in a capacitor and lower in an electrical characteristic of various elements, thus improving an overall characteristic of a semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件上形成氧化铝膜的方法。 在使用TMA（三甲基铝; Al（CH 3）3）作为铝源和作为氧反应气体的H 2 O的原子层沉积法沉积氧化铝膜的过程中，所公开的方法同时提供NH 3反应气体 当提供铝源时。 因此，可以提高氧化铝膜的生长速度，并且还可以提高防止氢气渗透到下层或半导体衬底中的特性。 因此，所公开的方法可以防止电容器中的电荷存储特性的劣化，并且可以降低各种元件的电特性，从而提高半导体器件的整体特性。

公开(公告)号：US06849300B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10287087

申请日：2002-11-04

申请人： Deok-Sin Kil ,  Hyuk-Kyoo Jang

发明人： Deok-Sin Kil ,  Hyuk-Kyoo Jang

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691

摘要： A method for manufacturing semiconductor device is disclosed which forms a high dielectric layer using atomic layer deposition (ALD). The method for forming a high dielectric layer having a first metal element, a titanium atom and an oxygen atom includes: on a surface of a substrate, adsorbing a first organic source combining a ligand, wherein the ligand includes at least oxygen and C—H combination in the first metal element; forming an atomic layer of the first metal element and the oxygen by inducing reduction reaction of the first organism source and a NH3 gas, which are adsorbed on the surface of the substrate; adsorbing a second organism source combining a ligand, wherein the ligand includes at least oxygen and C—H combination on the titanium; and forming an atomic layer of the titanium and the oxygen by inducing reduction reaction of the second organism source and the NH3 gas, which are adsorbed on the surface of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种使用原子层沉积（ALD）形成高介电层的半导体器件的制造方法。 形成具有第一金属元素，钛原子和氧原子的高电介质层的方法包括：在基板的表面上吸附组合配体的第一有机源，其中配体至少包含氧和CH组合 第一金属元素; 通过引入第一生物源和NH 3气体的还原反应形成第一金属元素和氧的原子层，NH 3气体被吸附在基板的表面上; 吸附结合配体的第二生物体源，其中所述配体至少在钛上至少含有氧和C-H组合; 以及通过吸附在基板表面上的第二生物源和NH 3气体的还原反应，形成钛和氧的原子层。