公开(公告)号：US08076778B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12570941

申请日：2009-09-30

申请人： Kuo Liang Wei ,  Hsu Sheng Yu ,  Hong-Ji Lee

发明人： Kuo Liang Wei ,  Hsu Sheng Yu ,  Hong-Ji Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76852 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and related method for fabricating the same include providing a stacked structure including an insulating base layer and lower and upper barrier layers with a conductive layer in between, etching the stacked structure to provide a plurality of conductive columns that each extend from the lower barrier layer, each of the conductive columns having an overlying upper barrier layer cap formed from the etched upper barrier layer, wherein the lower barrier layer is partially etched to provide a land region between each of the conductive lines, forming a liner layer over the etched stacked structure exposing the land region, and etching the liner layer and removing the exposed land region to form a plurality of conductive lines.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括提供包括绝缘基底层和下部和上部阻挡层之间的导电层的堆叠结构，蚀刻层叠结构以提供多个导电柱，每个导电柱从下部延伸 阻挡层，每个导电柱具有由蚀刻的上阻挡层形成的覆盖的上阻挡层帽，其中下阻挡层被部分地蚀刻以在每个导电线之间提供焊盘区域，在蚀刻 层叠结构，暴露所述焊盘区域，以及蚀刻所述衬垫层并去除所述暴露的焊盘区域以形成多条导电线。

公开(公告)号：US20080242092A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11694437

申请日：2007-03-30

申请人： Kuo-Liang Wei

发明人： Kuo-Liang Wei

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

摘要： A method of manufacturing an L-shaped spacer is described. First, a substrate is provided and a protruding structure is formed thereon. Next, a dielectric material is formed on the substrate and covers the stacked structure. Then, the dielectric material on the top of the protruding structure and on portions of the substrate is removed to form an L-shaped spacer.

摘要翻译： 描述制造L形间隔件的方法。 首先，提供基板并在其上形成突出结构。 接下来，在基板上形成电介质材料并覆盖堆叠结构。 然后，将突出结构的顶部和基板的部分上的电介质材料去除以形成L形间隔件。

公开(公告)号：USD487461S1

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：US29177075

申请日：2003-03-03

申请人： Yu-Ming Sheu ,  Wan-Hua Wu ,  Chien-Chung Hsueh ,  Mei-Chieh Ku ,  Tzu-Yu Huaug ,  Wei-Chieh Lee ,  Kuo-Liang Wei

设计人： Yu-Ming Sheu ,  Wan-Hua Wu ,  Chien-Chung Hsueh ,  Mei-Chieh Ku ,  Tzu-Yu Huaug ,  Wei-Chieh Lee ,  Kuo-Liang Wei

公开(公告)号：US07960835B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12435336

申请日：2009-05-04

申请人： Han-Hui Hsu ,  Ta-Hung Yang ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu ,  An-Chi Wei ,  Ching-Hsiung Li ,  Kuo-Liang Wei

发明人： Han-Hui Hsu ,  Ta-Hung Yang ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu ,  An-Chi Wei ,  Ching-Hsiung Li ,  Kuo-Liang Wei

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating metal film stacks is described that reduces or eliminates adverse effects of photolithographic misalignments. A bottom critical dimension is increased by removal of a bottom titanium nitride barrier.

摘要翻译： 描述了制造金属膜堆叠的方法，其减少或消除光刻不对准的不利影响。 通过去除底部氮化钛屏障来增加底部临界尺寸。

公开(公告)号：US20110074030A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12570941

申请日：2009-09-30

申请人： Kuo Liang Wei ,  Hsu Sheng Yu ,  Hong-Ji Lee

发明人： Kuo Liang Wei ,  Hsu Sheng Yu ,  Hong-Ji Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76852 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and related method for fabricating the same include providing a stacked structure including an insulating base layer and lower and upper barrier layers with a conductive layer in between, etching the stacked structure to provide a plurality of conductive columns that each extend from the lower barrier layer, each of the conductive columns having an overlying upper barrier layer cap formed from the etched upper barrier layer, wherein the lower barrier layer is partially etched to provide a land region between each of the conductive lines, forming a liner layer over the etched stacked structure exposing the land region, and etching the liner layer and removing the exposed land region to form a plurality of conductive lines

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括提供包括绝缘基底层和下部和上部阻挡层之间的导电层的堆叠结构，蚀刻层叠结构以提供多个导电柱，每个导电柱从下部延伸 阻挡层，每个导电柱具有由蚀刻的上阻挡层形成的覆盖的上阻挡层帽，其中下阻挡层被部分地蚀刻以在每个导电线之间提供焊盘区域，在蚀刻 层叠结构，暴露所述焊盘区域，以及蚀刻所述衬垫层并去除所述暴露的焊盘区域以形成多条导电线

公开(公告)号：US20100276807A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12435336

申请日：2009-05-04

申请人： Han-Hui Hsu ,  Ta-Hung Yang ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu ,  An-Chi Wei ,  Ching-Hsiung Li ,  Kuo-Liang Wei

发明人： Han-Hui Hsu ,  Ta-Hung Yang ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu ,  An-Chi Wei ,  Ching-Hsiung Li ,  Kuo-Liang Wei

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating metal film stacks is described that reduces or eliminates adverse effects of photolithographic misalignments. A bottom critical dimension is increased by removal of a bottom titanium nitride barrier.

摘要翻译： 描述了制造金属膜堆叠的方法，其减少或消除光刻不对准的不利影响。 通过去除底部氮化钛屏障来增加底部临界尺寸。

公开(公告)号：US20060011575A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10710488

申请日：2004-07-14

申请人： Henry Chung ,  Ming-Chung Liang ,  An-Chi Wei ,  Shin-Yi Tsai ,  Kuo-Liang Wei

发明人： Henry Chung ,  Ming-Chung Liang ,  An-Chi Wei ,  Shin-Yi Tsai ,  Kuo-Liang Wei

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/947

摘要： A method of reducing pattern pitch is provided. A material layer, a hard mask layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed over a substrate. Using the patterned photoresist layer as etching mask, the hard mask layer is etched. Due to the trenching effect, a residual hard mask layer remains in an exposed region exposed by the photoresist layer and micro-trenches are formed at the edges of the residual hard mask layer. Thereafter, using the residual hard mask layer as etching mask to pattern the material layer. Finally, the patterned photoresist layer and the hard mask layer are removed. In the invention, the trenching effect is utilized when etching the hard mask layer. A portion of the hard mask layer remains, and the micro-trenches are formed in the hard mask layer. After the micro-trenches are transferred to the material layer, the pattern pitch can be reduced.

摘要翻译： 提供了一种降低图形间距的方法。 在衬底上顺序地形成材料层，硬掩模层和图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，蚀刻硬掩模层。 由于挖沟效应，残留的硬掩模层保留在由光致抗蚀剂层暴露的暴露区域中，并且在残留硬掩模层的边缘处形成微沟槽。 此后，使用残留的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化材料层。 最后，去除图案化的光致抗蚀剂层和硬掩模层。 在本发明中，当蚀刻硬掩模层时，利用挖沟效应。 硬掩模层的一部分残留，并且微沟槽形成在硬掩模层中。 在将微沟槽转移到材料层之后，可以减小图案间距。

公开(公告)号：US07648924B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11694437

申请日：2007-03-30

申请人： Kuo-Liang Wei

发明人： Kuo-Liang Wei

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

摘要： A method of manufacturing an L-shaped spacer is described. First, a substrate is provided and a protruding structure is formed thereon. Next, a dielectric material is formed on the substrate and covers the stacked structure. Then, the dielectric material on the top of the protruding structure and on portions of the substrate is removed to form an L-shaped spacer.

摘要翻译： 描述制造L形间隔件的方法。 首先，提供基板并在其上形成突出结构。 接下来，在基板上形成电介质材料并覆盖堆叠结构。 然后，将突出结构的顶部和基板的部分上的电介质材料去除以形成L形间隔件。

公开(公告)号：US08372714B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12824757

申请日：2010-06-28

申请人： Kuo Liang Wei ,  Hong-Ji Lee

发明人： Kuo Liang Wei ,  Hong-Ji Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： A semiconductor device can be manufactured by a method that includes forming a structure that includes a plurality of layers of semiconductor material. One or more etching processes are performed on the multi-layered semiconductor structure, and then an Ar/O2 treatment is performed on the multi-layered semiconductor structure. The Ar/O2 treatment includes exposure of the structure to Ar ion bombardment and O2 molecular oxidation. The Ar/O2 treatment can be used to create a bottle-shaped structure.

摘要翻译： 可以通过包括形成包括多层半导体材料的结构的方法来制造半导体器件。 对多层半导体结构进行一个以上的蚀刻处理，然后对多层半导体结构进行Ar / O 2处理。 Ar / O2处理包括将结构暴露于Ar离子轰击和O2分子氧化。 Ar / O2处理可用于制造瓶形结构。

公开(公告)号：US20110316096A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12824757

申请日：2010-06-28

申请人： Kuo Liang Wei ,  Hong-Ji Lee

发明人： Kuo Liang Wei ,  Hong-Ji Lee

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： A semiconductor device can be manufactured by a method that includes forming a structure that includes a plurality of layers of semiconductor material. One or more etching processes are performed on the multi-layered semiconductor structure, and then an Ar/O2 treatment is performed on the multi-layered semiconductor structure. The Ar/O2 treatment includes exposure of the structure to Ar ion bombardment and O2 molecular oxidation. The Ar/O2 treatment can be used to create a bottle-shaped structure.

摘要翻译： 可以通过包括形成包括多层半导体材料的结构的方法来制造半导体器件。 对多层半导体结构进行一个以上的蚀刻处理，然后对多层半导体结构进行Ar / O 2处理。 Ar / O2处理包括将结构暴露于Ar离子轰击和O2分子氧化。 Ar / O2处理可用于制造瓶形结构。