公开(公告)号：US07534752B2

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：US09954284

申请日：2001-09-17

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  Thomas J. Kloffenstein ,  Stephen A. Fine, legal representative

发明人： Daniel N. Fine

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation for use in post plasma ashing semiconductor fabrication comprising at least one organic chelating agent and at least one polar solvent, wherein the chelating agent and polar solvent are in sufficient amounts to effectively remove inorganic compound residue from a semiconductor wafer. Preferably, the chelating agent is selected from the group consisting of 2,4-Pentanedione, Malonic acid, Oxalic acid, p-Toluenesulfonic acid, and Trifluoroacetic acid; and the polar solvent is selected from the group consisting of Water, Ethylene glycol, N-Methylpyrrolidone (NMP), Gamma butyrolactone (BLO), Cyclohexylpyrrolidone (CHP), Sulfolane, 1,4-Butanediol, and Butyl carbitol.

公开(公告)号：US06896826B2

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：US10047554

申请日：2001-10-23

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/60 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  C23F11/14 ,  C23G1/10 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

CPC分类号： C11D3/30 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/142 ,  C23F11/146 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-35% wt. fluoride source, 20-60% wt. organic amine(s), 0.1-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 20-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US06566315B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US10007490

申请日：2001-12-05

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  Dave Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  Dave Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： B08B600

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2072 ,  C11D7/02 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 2-98% wt. organic amine, 0-50% wt. water, 0.1-60% wt. 1,3-dicarbonyl compound chelating agent, 0-25% wt. of additional different chelating agent(s), 0.1-40% wt. nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, and 2-98% wt polar organic solvent. The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US06344432B1

公开(公告)日：2002-02-05

申请号：US09732370

申请日：2000-12-08

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D904

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/2072 ,  C11D7/02 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 2-98% wt. organic amine, 0-50% wt. water, 0.1-60% wt. 1,3-dicarbonyl compound chelating agent, 0-25% wt. of additional different chelating agent(s), 0.5-40% wt. nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, and 2-98% wt polar organic solvent. The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US07662762B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11042531

申请日：2005-01-24

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-21% wt. fluoride source, 20-55% wt. organic amine(s), 0.5-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 23-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-21％ 氟化物源，20-55重量％ 有机胺，0.5-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细的铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US06660700B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10003373

申请日：2001-11-15

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D904

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/2072 ,  C11D7/02 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 2-98% wt. organic amine, 0-50% wt. water, 0.1-60% wt. 1,3-dicarbonyl compound chelating agent, 0-25% wt. of additional different chelating agent(s), 0.5-40% wt. nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, and 2-98% wt polar organic solvent. The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

公开(公告)号：US20100035785A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12581843

申请日：2009-10-19

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D3/30 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/142 ,  C23F11/146 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-35% wt. fluoride source, 20-60% wt. organic amine(s), 0.1-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 20-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-35重量％ 氟化物源，20-60重量％ 有机胺，0.1-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，20-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US07605113B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11135892

申请日：2005-05-24

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C11D3/30 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/142 ,  C23F11/146 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-35% wt. fluoride source, 20-60% wt. organic amine(s), 0.1-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 20-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-35％ 氟化物源，20-60重量％ 有机胺，0.1-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，20-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US06967169B2

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US10861158

申请日：2004-06-04

申请人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

发明人： William A. Wojtczak ,  Ma. Fatima Seijo ,  David Bernhard ,  Long Nguyen

IPC分类号： C11D3/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： A semiconductor wafer cleaning formulation, including 1-21% wt. fluoride source, 20-55% wt. organic amine(s), 0.5-40% wt. nitrogenous component, e.g., a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine, 23-50% wt. water, and 0-21% wt. metal chelating agent(s). The formulations are useful to remove residue from wafers following a resist plasma ashing step, such as inorganic residue from semiconductor wafers containing delicate copper interconnecting structures.

摘要翻译： 半导体晶片清洁配方，包括1-21％ 氟化物源，20-55重量％ 有机胺，0.5-40重量％ 含氮组分，例如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％ 水，0-21重量％。 金属螯合剂。 该制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从晶片中除去残余物，例如含有精细铜互连结构的半导体晶片的无机残渣。

公开(公告)号：US06773873B2

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10105704

申请日：2002-03-25

申请人： Ma. Fatima Seijo ,  William A. Wojtczak ,  David Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  David Minsek

发明人： Ma. Fatima Seijo ,  William A. Wojtczak ,  David Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  David Minsek

IPC分类号： G03F742

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02071

摘要： A semi-aqueous cleaning formulation useful for removing particles from semiconductor wafer substrates formed during a dry etching process for semiconductor devices, the cleaning formulation comprising a buffering system a polar organic solvent, and a fluoride source.

摘要翻译： 一种用于从用于半导体器件的干法蚀刻工艺中形成的半导体晶片衬底中去除颗粒的半水性清洁配方，所述清洁配方包括缓冲系统，极性有机溶剂和氟化物源。