公开(公告)号：US07943952B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11881683

申请日：2007-07-27

申请人： Ban P. Loh ,  Nicholas W. Medendorp, Jr. ,  Peter Andrews ,  Yankun Fu ,  Michael Laughner ,  Ronan Letoquin

发明人： Ban P. Loh ,  Nicholas W. Medendorp, Jr. ,  Peter Andrews ,  Yankun Fu ,  Michael Laughner ,  Ronan Letoquin

IPC分类号： H01L33/52

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014

摘要： Methods for fabricating LED packages comprising providing an LED chip and covering at least part of it with a liquid medium. An optical element is provided and placed on the liquid medium. The optical element is allowed to settle to a desired level and the liquid medium is cured. LED packages are also disclosed that are fabricated using the disclosed methods.

摘要翻译： 制造LED封装的方法包括提供LED芯片并用液体介质覆盖其至少一部分。 提供光学元件并放置在液体介质上。 允许光学元件沉降至所需水平并且液体介质固化。 还公开了使用所公开的方法制造的LED封装。

公开(公告)号：US07528040B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11136057

申请日：2005-05-24

申请人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

发明人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： Methods of forming silicon carbide power devices are provided. An n− silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate. A p-type silicon carbide well region is provided on the n− silicon carbide layer. A buried region of p+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region. An n+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p+ silicon carbide. A channel region of the power device is adjacent the buried region of p+ silicon carbide and the n+ region of silicon carbide. An n− region is provided on the channel region and a portion of the n− region is removed from the channel region so that a portion of the n− region remains on the channel region to provide a reduction in a surface roughness of the channel region.

摘要翻译： 提供了形成碳化硅功率器件的方法。 在碳化硅衬底上设置n碳化硅层。 在n碳化硅层上设置p型碳化硅阱区。 在p型碳化硅阱区域上设置p +碳化硅的掩埋区域。 在p +碳化硅的掩埋区域上设置碳化硅的n +区域。 功率器件的沟道区域邻近p +碳化硅的掩埋区域和碳化硅的n +区域。 n沟道区域设置在沟道区域上，并且n沟道区域的一部分被从沟道区域去除，使得n区域的一部分保留在沟道区上，以提供沟道区域的表面粗糙度的降低 。

公开(公告)号：US20060270103A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11136057

申请日：2005-05-24

申请人： Mrinal Das ,  Michael Laughner

发明人： Mrinal Das ,  Michael Laughner

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： Methods of forming silicon carbide power devices are provided. An n− silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate. A p-type silicon carbide well region is provided on the n− silicon carbide layer. A buried region of p+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region. An n+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p+ silicon carbide. A channel region of the power device is adjacent the buried region of p+ silicon carbide and the n+ region of silicon carbide. An n− region is provided on the channel region and a portion of the n− region is removed from the channel region so that a portion of the n− region remains on the channel region to provide a reduction in a surface roughness of the channel region.

摘要翻译： 提供了形成碳化硅功率器件的方法。 在碳化硅衬底上设置n碳化硅层。 在n碳化硅层上设置p型碳化硅阱区。 在p型碳化硅阱区域上设置有碳化硅的掩埋区域。 碳化硅的n + SUP区域设置在碳化硅的掩埋区域上。 功率器件的沟道区域与碳化硅的碳化硅的掩埋区域和碳化硅的n + SUP区域相邻。 在通道区域上提供n + SUP区域，并且从通道区域去除n区域的一部分，使得n + / SUP>区域保留在沟道区域上以提供沟道区域的表面粗糙度的降低。

公开(公告)号：US20060057850A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11223298

申请日：2005-09-09

申请人： Jeffrey Britt ,  Michael Laughner ,  Craig Hardin

发明人： Jeffrey Britt ,  Michael Laughner ,  Craig Hardin

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method is disclosed for preparing carrier wafers for semiconductor device manufacture. The method includes the steps of sorting a plurality of standard carrier wafer blanks into batches by thickness to define a batch of starting carrier wafers that are within a predetermined tolerance of one another, reducing the thickness of the sorted carrier wafers to within 10 microns of a final target thickness, and polishing the sorted carrier wafers to the final target thickness. The polished carrier wafers are mounted to device precursor wafers having at least one semiconductor epitaxial layer on a substrate by joining one surface of a carrier wafer to the epitaxial layer on a substrate. The thickness of the device precursor wafer is then reduced by removing material from the device precursor substrate opposite the joined epitaxial layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制备用于半导体器件制造的载体晶片的方法。 该方法包括以下步骤：将多个标准载体晶片坯料按厚度分批分批以限定彼此之间的预定公差内的一批起始载体晶片，将分选的载体晶片的厚度减小到10微米以内 最终目标厚度，并将分选的载体晶片抛光到最终目标厚度。 抛光的载体晶片通过将载体晶片的一个表面连接到衬底上的外延层而安装到在衬底上具有至少一个半导体外延层的器件前体晶片。 然后通过从与所接合的外延层相对的器件前体衬底去除材料来减小器件前体晶片的厚度。

公开(公告)号：US20050176892A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US11006003

申请日：2004-12-07

申请人： Laura Weaver ,  Kim Walton ,  Michael Laughner

发明人： Laura Weaver ,  Kim Walton ,  Michael Laughner

IPC分类号： C08L23/08 ,  C08L23/10 ,  C08L23/14 ,  C08L23/16 ,  C08F8/00

CPC分类号： C08L23/08 ,  C08L23/0815 ,  C08L23/10 ,  C08L23/142 ,  C08L23/16 ,  C08L2314/06 ,  C08L2666/06

摘要： Thermoplastic olefinic compositions comprising (a) at least one ethylene/α-olefin polymer having a PRR between 8 and 70 and (b) at least one polypropylene polymer and an (a)/(b) weight ratio of greater than 50/less than 50 to 90/10. The compositions are used in extrusion, calendering, blow molding, foaming and thermoforming processes to make a variety of articles, such as automotive instrument panel skins.

摘要翻译： 热塑性烯烃组合物，其包含（a）至少一种PRR在8和70之间的乙烯/α-烯烃聚合物和（b）至少一种聚丙烯聚合物和（a）/（b）重量比大于50 / 50至90/10。 组合物用于挤出，压延，吹塑，发泡和热成型过程中，以制备各种制品，例如汽车仪表板表皮。

公开(公告)号：US20070219321A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11751906

申请日：2007-05-22

申请人： Carlos Ortiz ,  Peter Fox ,  Raymond Laakso ,  Gary Marchand ,  Steven Oriani ,  Walter Schmiegel ,  Michael Laughner ,  Deepak Parikh

发明人： Carlos Ortiz ,  Peter Fox ,  Raymond Laakso ,  Gary Marchand ,  Steven Oriani ,  Walter Schmiegel ,  Michael Laughner ,  Deepak Parikh

IPC分类号： C08F8/00 ,  C08F297/02

CPC分类号： C08F297/02 ,  C08F210/18 ,  C08F297/08 ,  C08K3/32 ,  C08K5/17 ,  C08K5/18 ,  C08K5/3432 ,  C08K5/52 ,  C08K5/55 ,  C08K2003/329 ,  C08F210/06 ,  C08F232/00 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/17

摘要： Olefinic interpolymer compositions comprising the olefinic interpolymer, residuals from a transition metal catalyst and boron containing activator package, and a charge dissipation modifier and methods for making them. The compositions have dissipation factors that are at least 50% less than the corresponding olefinic interpolymer compositions which have not been treated with charge dissipation modifiers. The compositions are useful in wire and cable applications.

摘要翻译： 包含烯烃互聚物的烯烃互聚物组合物，过渡金属催化剂的残余物和含硼活化剂包，以及电荷耗散改性剂及其制备方法。 该组合物的损耗因子比未用电荷耗散改性剂处理的相应的烯烃互聚物组合物少至少50％。 组合物可用于电线和电缆应用。

公开(公告)号：US20060287415A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11508710

申请日：2006-08-23

申请人： Carlos Ortiz ,  Peter Fox ,  Raymond Laakso ,  Gary Marchand ,  Steven Oriani ,  Walter Schmiegel ,  Michael Laughner ,  Deepak Parikh

发明人： Carlos Ortiz ,  Peter Fox ,  Raymond Laakso ,  Gary Marchand ,  Steven Oriani ,  Walter Schmiegel ,  Michael Laughner ,  Deepak Parikh

IPC分类号： C08K5/34

CPC分类号： C08F297/02 ,  C08F210/18 ,  C08F297/08 ,  C08K3/32 ,  C08K5/17 ,  C08K5/18 ,  C08K5/3432 ,  C08K5/52 ,  C08K5/55 ,  C08K2003/329 ,  C08F210/06 ,  C08F232/00 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/17

摘要： Olefinic interpolymer compositions comprising the olefinic interpolymer, residuals from a transition metal catalyst and boron containing activator package, and a charge dissipation modifier and methods for making them. The compositions have dissipation factors that are at least 50% less than the corresponding olefinic interpolymer compositions which have not been treated with charge dissipation modifiers. The compositions are useful in wire and cable applications.

公开(公告)号：US08859366B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13470600

申请日：2012-05-14

申请人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

发明人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： Methods of forming silicon carbide power devices are provided. An n− silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate. A p-type silicon carbide well region is provided on the n− silicon carbide layer. A buried region of p+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region. An n+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p+ silicon carbide. A channel region of the power device is adjacent the buried region of p+ silicon carbide and the n+ region of silicon carbide. An n− region is provided on the channel region and a portion of the n− region is removed from the channel region so that a portion of the n− region remains on the channel region to provide a reduction in a surface roughness of the channel region.

摘要翻译： 提供了形成碳化硅功率器件的方法。 在碳化硅衬底上设置n碳化硅层。 在n碳化硅层上设置p型碳化硅阱区。 在p型碳化硅阱区域上设置p +碳化硅的掩埋区域。 在p +碳化硅的掩埋区域上设置碳化硅的n +区域。 功率器件的沟道区域邻近p +碳化硅的掩埋区域和碳化硅的n +区域。 n沟道区域设置在沟道区域上，并且n沟道区域的一部分被从沟道区域去除，使得n区域的一部分保留在沟道区上，以提供沟道区域的表面粗糙度的降低 。

公开(公告)号：US20120228638A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13470600

申请日：2012-05-14

申请人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

发明人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： Methods of forming silicon carbide power devices are provided. An n− silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate. A p-type silicon carbide well region is provided on the n− silicon carbide layer. A buried region of p+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region. An n+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p+ silicon carbide. A channel region of the power device is adjacent the buried region of p+ silicon carbide and the n+ region of silicon carbide. An n− region is provided on the channel region and a portion of the n− region is removed from the channel region so that a portion of the n− region remains on the channel region to provide a reduction in a surface roughness of the channel region.

摘要翻译： 提供了形成碳化硅功率器件的方法。 在碳化硅衬底上设置n碳化硅层。 在n碳化硅层上设置p型碳化硅阱区。 在p型碳化硅阱区域上设置p +碳化硅的掩埋区域。 在p +碳化硅的掩埋区域上设置碳化硅的n +区域。 功率器件的沟道区域邻近p +碳化硅的掩埋区域和碳化硅的n +区域。 n沟道区域设置在沟道区域上，并且n沟道区域的一部分被从沟道区域去除，使得n区域的一部分保留在沟道区上，以提供沟道区域的表面粗糙度的降低 。

公开(公告)号：US20090261351A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12424960

申请日：2009-04-16

申请人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

发明人： Mrinal K. Das ,  Michael Laughner

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： Power devices are provided including a p-type conductivity well region and a buried p+ conductivity region in the p-type conductivity well region. An n+ conductivity region is provided on the buried p+ conductivity region. A channel region of the power device is provided adjacent the buried p+ conductivity region and n+ conductivity region, the channel region of the power device having a root mean square (RMS) surface roughness of less than about 1.0 Å.

摘要翻译： 提供功率器件，其包括p型导电性阱区域和p型导电性阱区域中的掩埋p +导电性区域。 在掩埋的p +电导率区域上设置n +电导率区域。 功率器件的沟道区域邻近掩埋的p +导电区域和n +导电区域设置，功率器件的沟道区域的均方根（RMS）表面粗糙度小于约。