公开(公告)号：US20150061088A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：US14207880

申请日：2014-03-13

申请人： Dong-soo LEE ,  Myoung-Jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib Uddin ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

发明人： Dong-soo LEE ,  Myoung-Jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib Uddin ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开内容涉及包括III-V族化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。 半导体器件可以包括化合物半导体层; 设置在所述化合物半导体层上的电介质层; 以及置于化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层。 吸氧层包括具有比化合物半导体层的材料更高的氧亲合力的材料。

公开(公告)号：US20160172450A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US15050867

申请日：2016-02-23

申请人： Dong-soo LEE ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

发明人： Dong-soo LEE ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

IPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

公开(公告)号：US09425104B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14259569

申请日：2014-04-23

申请人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

发明人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：US20150069517A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14259569

申请日：2014-04-23

申请人： Moon-seung YANG ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  Myoung-jae LEE ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Seong-ho CHO

发明人： Moon-seung YANG ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  Myoung-jae LEE ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Seong-ho CHO

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：US09306008B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US14207880

申请日：2014-03-13

申请人： Dong-soo Lee ,  Myoung-Jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Mohammad Rakib Uddin ,  David Seo ,  Moon-seung Yang ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Eui-chul Hwang

发明人： Dong-soo Lee ,  Myoung-Jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Mohammad Rakib Uddin ,  David Seo ,  Moon-seung Yang ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Eui-chul Hwang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开内容涉及包括III-V族化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。 半导体器件可以包括化合物半导体层; 设置在所述化合物半导体层上的电介质层; 以及置于化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层。 吸氧层包括具有比化合物半导体层的材料更高的氧亲合力的材料。