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    Nonvolatile memory devices and methods of driving the same
    3.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices and methods of driving the same 有权
    非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：US08947905B2

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13523429

    申请日：2012-06-14

    申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

    发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

    摘要： A method of driving a nonvolatile memory device including applying a reset voltage to a unit memory cell, reading a reset current of the unit memory cell, confirming whether the reset current is within a first current range, if the reset current is not within the first current range, changing the reset voltage and applying a changed reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell, if the reset current is within the first current range, confirming whether a difference between the present reset current and an immediately previous set current is within a second current range, and, if the difference is not within the second current range, applying the reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell.

    摘要翻译： 一种驱动非易失性存储器件的方法，包括：将复位电压施加到单元存储单元，读取单元存储单元的复位电流，确认复位电流是否在第一电流范围内，如果复位电流不在第一电流范围内 电流范围，如果复位电流在第一电流范围内，则改变复位电压并施加改变的复位电压或再次将施加设定电压的复位电压施加到单元存储单元， 在当前复位电流和紧接在前的设定电流之间的电流在第二电流范围内，并且如果该差值不在第二电流范围内，则在应用组合之后施加复位电压或再次施加复位电压到单元存储单元 电压到单元存储单元。

    RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    5.
    发明申请
    RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    电阻随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US20130252395A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：US13892881

    申请日：2013-05-13

    申请人： Sun-ae SEO ,  Young-soo PARK ,  Ran-Ju JUNG ,  Myoung-jae LEE ,  Dong-chul KIM ,  Seung-eon AHN

    发明人： Sun-ae SEO ,  Young-soo PARK ,  Ran-Ju JUNG ,  Myoung-jae LEE ,  Dong-chul KIM ,  Seung-eon AHN

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

    摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

    Memory devices and methods of operating the same
    6.
    发明授权
    Memory devices and methods of operating the same 有权
    内存设备及操作方法

    公开(公告)号：US08456900B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12926443

    申请日：2010-11-18

    申请人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    发明人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A memory device includes a memory cell. The memory cell includes: a bipolar memory element and a bidirectional switching element. The bidirectional switching element is connected to ends of the bipolar memory element, and has a bidirectional switching characteristic. The bidirectional switching element includes: a first switching element and a second switching element. The first switching element is connected to a first end of the bipolar memory element and has a first switching direction. The second switching element is connected to a second end of the bipolar memory element and has a second switching direction. The second switching direction is opposite to the first switching direction.

    摘要翻译： 存储器件包括存储器单元。 存储单元包括：双极存储元件和双向开关元件。 双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并且具有双向开关特性。 双向开关元件包括：第一开关元件和第二开关元件。 第一开关元件连接到双极存储元件的第一端并且具有第一开关方向。 第二开关元件连接到双极存储元件的第二端并具有第二开关方向。 第二切换方向与第一切换方向相反。