公开(公告)号：US20160172450A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US15050867

申请日：2016-02-23

申请人： Dong-soo LEE ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

发明人： Dong-soo LEE ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-ho CHO ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  David SEO ,  Moon-seung YANG ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Eui-chul HWANG

IPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

公开(公告)号：US08890184B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13370996

申请日：2012-02-10

申请人： Joo-sung Kim ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang

发明人： Joo-sung Kim ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

摘要： A nanostructured light-emitting device including: a first type semiconductor layer; a plurality of nanostructures each including a first type semiconductor nano-core grown in a three-dimensional (3D) shape on the first type semiconductor layer, an active layer formed to surround a surface of the first type semiconductor nano-core, and a second type semiconductor layer formed to surround a surface of the active layer and including indium (In); and at least one flat structure layer including a flat-active layer and a flat-second type semiconductor layer that are sequentially formed on the first type semiconductor layer parallel to the first type semiconductor layer.

摘要翻译： 一种纳米结构发光器件，包括：第一类型半导体层; 多个纳米结构，每个纳米结构包括在第一类型半导体层上以三维（3D）形状生长的第一类型半导体纳米芯，形成为围绕第一类型半导体纳米芯的表面的有源层，以及第二 形成为包围有源层的表面并包括铟（In）的半导体层; 以及至少一个扁平结构层，其包括依次形成在与第一类型半导体层平行的第一类型半导体层上的平面有源层和平坦 - 二
极型半导体层。

公开(公告)号：US20090284830A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12230937

申请日：2008-09-08

申请人： Dae-kil CHA ,  Jung-hoon SHIN ,  Yoon-dong PARK ,  Young-gu JIN ,  Moon-seung YANG ,  In-sung JOE ,  Jee-soo CHANG

发明人： Dae-kil CHA ,  Jung-hoon SHIN ,  Yoon-dong PARK ,  Young-gu JIN ,  Moon-seung YANG ,  In-sung JOE ,  Jee-soo CHANG

IPC分类号： H01S3/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01S3/0632 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/0933 ,  H01S3/09403 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1691

摘要： An optical amplifying medium, a method of manufacturing the optical amplifying medium are provided, and an optical device comprising the optical amplifying medium. The optical amplifying medium includes a multi-layer structure in which a first material layer doped with an activator and a second material layer that comprises a sensitizer are stacked.

摘要翻译： 提供一种光放大介质，一种制造该光放大介质的方法，以及包括该光放大介质的光学装置。 光放大介质包括多层结构，其中堆叠掺杂有活化剂的第一材料层和包含敏化剂的第二材料层。

公开(公告)号：US09818824B2

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：US14968049

申请日：2015-12-14

申请人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

发明人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor substrate and a semiconductor device are provided. The semiconductor substrate includes a base substrate, a first silicon germanium layer on the base substrate and a second silicon germanium layer on the first silicon germanium layer. A germanium fraction of the second silicon germanium layer decreases in the direction away from the base substrate, and a germanium fraction of a lowermost part of the second silicon germanium layer is greater than a germanium fraction of an uppermost part of the first silicon germanium layer.

公开(公告)号：US08222663B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12458797

申请日：2009-07-23

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/12

摘要： Provided is a light emitting diode (LED) manufactured by using a wafer bonding method and a method of manufacturing a LED by using a wafer bonding method. The wafer bonding method may include interposing a stress relaxation layer formed of a metal between a semiconductor layer and a bonding substrate. When the stress relaxation layer is used, stress between the bonding substrate and a growth substrate may be offset due to the flexibility of metal, and accordingly, bending or warpage of the bonding substrate may be reduced or prevented.

摘要翻译： 提供了通过使用晶片接合方法制造的发光二极管（LED）和通过使用晶片接合方法制造LED的方法。 晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插入由金属形成的应力松弛层。 当使用应力松弛层时，由于金属的柔韧性，接合基板和生长基板之间的应力可能被抵消，因此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：US20100124798A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12458900

申请日：2009-07-27

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-Seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-Seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a method of manufacturing a light emitting device from a large-area bonding wafer by using a wafer bonding method using. The method may include forming a plurality of semiconductor layers, each having an active region for emitting light, on a plurality of growth substrates. The method may also include arranging the plurality of growth substrates on which the semiconductor layers are formed on one bonding substrate and simultaneously processing each of the semiconductor layers formed on each of the growth substrates through subsequent processes. The bonding wafer may be formed of a material that reduces or prevents bending or warping due to a difference of thermal expansion coefficients between a wafer material, such as sapphire, and a bonding wafer. According to the above method, because a plurality of wafers may be processed by one process, mass production of LEDs may be possible which may reduce manufacturing costs.

摘要翻译： 提供了一种使用晶片接合方法从大面积接合晶片制造发光器件的方法。 该方法可以包括在多个生长衬底上形成多个半导体层，每个半导体层具有发射光的有源区。 该方法还可以包括在其上形成半导体层的多个生长衬底布置在一个接合衬底上，并且通过后续处理同时处理在每个生长衬底上形成的每个半导体层。 接合晶片可以由减少或防止由于晶片材料（例如蓝宝石）和接合晶片之间的热膨胀系数的差异而导致的弯曲或翘曲的材料形成。 根据上述方法，由于可以通过一个处理来处理多个晶片，因此大量生产LED可能会降低制造成本。

公开(公告)号：US20100123158A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12458797

申请日：2009-07-23

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Taek Kim ,  Moon-seung Yang ,  Hyung-su Jeong ,  Jae-chul Park ,  Jun-youn Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/12

摘要： Provided is a light emitting diode (LED) manufactured by using a wafer bonding method and a method of manufacturing a LED by using a wafer bonding method. The wafer bonding method may include interposing a stress relaxation layer formed of a metal between a semiconductor layer and a bonding substrate. When the stress relaxation layer is used, stress between the bonding substrate and a growth substrate may be offset due to the flexibility of metal, and accordingly, bending or warpage of the bonding substrate may be reduced or prevented.

摘要翻译： 提供了通过使用晶片接合方法制造的发光二极管（LED）和通过使用晶片接合方法制造LED的方法。 晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插入由金属形成的应力松弛层。 当使用应力松弛层时，由于金属的柔韧性，接合基板和生长基板之间的应力可能被抵消，因此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：US09425104B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14259569

申请日：2014-04-23

申请人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

发明人： Moon-seung Yang ,  Mohammad Rakib Uddin ,  Myoung-jae Lee ,  Sang-moon Lee ,  Sung-hun Lee ,  Seong-ho Cho

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：US20150069517A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14259569

申请日：2014-04-23

申请人： Moon-seung YANG ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  Myoung-jae LEE ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Seong-ho CHO

发明人： Moon-seung YANG ,  Mohammad Rakib UDDIN ,  Myoung-jae LEE ,  Sang-moon LEE ,  Sung-hun LEE ,  Seong-ho CHO

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：US20160218181A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：US14968049

申请日：2015-12-14

申请人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

发明人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor substrate and a semiconductor device are provided. The semiconductor substrate includes a base substrate, a first silicon germanium layer on the base substrate and a second silicon germanium layer on the first silicon germanium layer. A germanium fraction of the second silicon germanium layer decreases in the direction away from the base substrate, and a germanium fraction of a lowermost part of the second silicon germanium layer is greater than a germanium fraction of an uppermost part of the first silicon germanium layer.

摘要翻译： 提供半导体衬底和半导体器件。 半导体衬底包括基底衬底，在基底衬底上的第一硅锗层和第一硅锗层上的第二硅锗层。 第二硅锗层的锗部分在远离基底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下部分的锗部分大于第一硅锗层的最上部的锗部分。