公开(公告)号：US20150078075A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14028938

申请日：2013-09-17

申请人： Nathan R. Franklin ,  Kiran Pangal

发明人： Nathan R. Franklin ,  Kiran Pangal

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/24 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2207/063

摘要： Described herein are techniques related to one or more systems, apparatuses, methods, etc. for programming a memory cell through the use of a program pulse.

摘要翻译： 这里描述了与通过使用编程脉冲对存储器单元编程的一个或多个系统，装置，方法等相关的技术。

公开(公告)号：US20130003521A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13608878

申请日：2012-09-10

申请人： Quan Anh Tran ,  Byong M. Kim ,  Robert N. Stark ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao ,  Donald E. Adams ,  Li-Peng Wang ,  Yevgeny V. Anoikin

发明人： Quan Anh Tran ,  Byong M. Kim ,  Robert N. Stark ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao ,  Donald E. Adams ,  Li-Peng Wang ,  Yevgeny V. Anoikin

IPC分类号： G11B9/02

CPC分类号： G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

摘要： An arrangement, a method and a system to read information stored in a layer of ferroelectric media. The arrangement includes a layer including a ferroelectric media having one or more ferroelectric domains holding bit charges, a domain corresponding to information; a probe having a tip, wherein the media and the tip are adapted to move relative to one another such that the tip scans the ferroelectric domains of the media while applying a contact force to the domains to generate a direct piezoelectric effect within the domains; and circuitry coupled to the tip and adapted to generate a signal in response to an electrical coupling between the tip and the domains while scanning the tip in contact with the domains, the signal corresponding to a readout signal for ferroelectric bit charges stored in the media

摘要翻译： 读取存储在铁电介质层中的信息的布置，方法和系统。 该布置包括具有一个或多个保持位电荷的铁电畴的铁电介质的层，对应于信息的畴; 具有尖端的探针，其中介质和尖端适于相对于彼此移动，使得尖端扫描介质的铁电畴，同时向畴施加接触力以在畴内产生直接压电效应; 以及耦合到所述尖端并且适于响应于所述尖端和所述域之间的电耦合而产生信号的电路，同时扫描与所述区域接触的尖端，所述信号对应于存储在所述介质中的铁电位电荷的读出信号

公开(公告)号：US20080089108A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11540271

申请日：2006-09-29

申请人： Kyu Min ,  Qing Ma ,  Nathan R. Franklin

发明人： Kyu Min ,  Qing Ma ,  Nathan R. Franklin

IPC分类号： G11C13/04

CPC分类号： G11B9/08 ,  B82Y10/00

摘要： In one embodiment, the present invention includes an apparatus having a conductive storage medium to store information in the form of electrostatic charge. The conductive storage medium can be disposed in a non-conductive layer that is formed over a charge blocking layer, which in turn may be disposed over an electrode layer. In one embodiment, a barrier layer may be disposed over the non-conductive layer. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括具有导电存储介质以以静电电荷的形式存储信息的装置。 导电存储介质可以设置在形成在电荷阻挡层上的非导电层中，电荷阻挡层又可以设置在电极层上。 在一个实施例中，阻挡层可以设置在非导电层上。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08542531B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12829729

申请日：2010-07-02

申请人： Nathan R. Franklin ,  Pranav Kalavade

发明人： Nathan R. Franklin ,  Pranav Kalavade

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3454 ,  G11C11/10 ,  G11C11/5642

摘要： Methods for accelerating charge equilibrium in a non-volatile memory device using floating gate memory cells are disclosed. Memory devices and storage systems using charge equilibrium acceleration are also disclosed. In one such method, a programming pulse is applied to the word line to change an amount of charge stored on the floating gate of the memory cells being programmed. A reverse field pulse is then applied to the memory cell using only voltages greater than or equal to about 0 volts. The reverse field pulse accelerates charge equilibrium by moving any electrons trapped in the insulating oxide layers to a stable location so that the threshold voltage is stabilized. After the reverse field pulse, a program verify operation is performed and additional programming pulses and reverse field pulses are applied as needed to properly program the memory cell.

摘要翻译： 公开了使用浮动栅极存储器单元在非易失性存储器件中加速电荷平衡的方法。 还公开了使用充电平衡加速度的存储器件和存储系统。 在一种这样的方法中，将编程脉冲施加到字线以改变存储在正被编程的存储器单元的浮动栅极上的电荷量。 然后仅使用大于或等于约0伏的电压将反向场脉冲施加到存储器单元。 反向场脉冲通过将捕获在绝缘氧化物层中的任何电子移动到稳定位置来加速电荷平衡，使得阈值电压稳定。 在反向场脉冲之后，执行程序验证操作，并且根据需要施加附加的编程脉冲和反向场脉冲以正确编程存储单元。

公开(公告)号：US20090168635A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11964608

申请日：2007-12-26

申请人： QUAN ANH TRAN ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao

发明人： QUAN ANH TRAN ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao

IPC分类号： G11B9/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： G11B9/02

摘要： A memory media and a method to provide same. The memory media includes: a media layer comprising a ferroelectric layer having a bottom surface and a top surface; a plurality of adjacent charge domains defined in the ferroelectric layer, the domains including alternating up domains and down domains each extending between the bottom surface and the top surface; and a trapped charge region adjacent a top surface of the media layer, the trapped charge region including charges in addition to the charges present in the charge domains at regions thereof other than regions adjacent the top surface of the media layer.

摘要翻译： 一种记忆媒体和一种提供相同的方法。 存储介质包括：介质层，其包括具有底表面和顶表面的铁电层; 限定在铁电体层中的多个相邻的电荷域，所述畴包括各自在底表面和顶表面之间延伸的交替域和下畴; 以及与介质层的顶表面相邻的捕获的电荷区域，除了存在于电荷区域中的电荷之外，捕获的电荷区域还包括除了与介质层的顶表面相邻的区域之外的区域中的电荷。

公开(公告)号：US07498655B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11392102

申请日：2006-03-28

申请人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

发明人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C17/14

摘要： Apparatuses, a method, and a system for a non-volatile, probe-based memory device are disclosed herein. In various embodiments, probe-based memory may be one-time programmable or rewritable nonvolatile probe-based memory.

摘要翻译： 本文公开了用于非易失性基于探针的存储器件的装置，方法和系统。 在各种实施例中，基于探针的存储器可以是一次性可编程或可重写的基于非易失性探针的存储器。

公开(公告)号：US20140380108A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US13977011

申请日：2012-03-29

申请人： Matthew Goldman ,  Krishna K. Parat ,  Pranav Kalavade ,  Nathan R. Franklin ,  Mark Helm

发明人： Matthew Goldman ,  Krishna K. Parat ,  Pranav Kalavade ,  Nathan R. Franklin ,  Mark Helm

IPC分类号： G11C29/50 ,  G06F11/10

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2029/5004

摘要： An apparatus may include a processor circuit a processor circuit to retrieve data from a non-volatile memory, and a multistrobe read module operable on the processor circuit to set a read operation to read a memory cell over a multiplicity of sense operations, where each sense operation is performed under a different sense condition. The multistrobe read module may be further operable to schedule a new sense operation to succeed a prior sense operation of the multiplicity of sense operations without recharge of the wordline when a value of one or more read condition is within a preset range. Other embodiments are disclosed and claimed.

摘要翻译： 一种装置可以包括处理器电路，用于从非易失性存储器检索数据，以及多处理器读取模块，其可在所述处理器电路上操作以设置读取操作以在多种感测操作上读取存储器单元， 在不同的感测条件下进行操作。 当一个或多个读取条件的值处于预设范围内时，该多画面读取模块还可以进一步操作，以调度新的感测操作，从而在许多感测操作的先前感测操作中继续进行，而不对字线进行再充电。 公开和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07750433B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US12370450

申请日：2009-02-12

申请人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

发明人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C17/14

摘要： Apparatuses, a method, and a system for a non-volatile, probe-based memory device are disclosed herein. In various embodiments, probe-based memory may be one-time programmable or rewritable nonvolatile probe-based memory.

摘要翻译： 本文公开了用于非易失性基于探针的存储器件的装置，方法和系统。 在各种实施例中，基于探针的存储器可以是一次性可编程或可重写的基于非易失性探针的存储器。

公开(公告)号：US20090168637A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11964580

申请日：2007-12-26

申请人： Quan Anh Tran ,  Byong M. Kim ,  Robert N. Stark ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao ,  Donald E. Adams ,  Li-Peng Wang ,  Yevgeny V. Anoikin

发明人： Quan Anh Tran ,  Byong M. Kim ,  Robert N. Stark ,  Nathan R. Franklin ,  Qing Ma ,  Valluri Rao ,  Donald E. Adams ,  Li-Peng Wang ,  Yevgeny V. Anoikin

IPC分类号： G11B3/00

CPC分类号： G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

摘要： An arrangement, a method and a system to read information stored in a layer of ferroelectric media. The arrangement includes a layer including a ferroelectric media having one or more ferroelectric domains holding bit charges, a domain corresponding to information; a probe having a tip, wherein the media and the tip are adapted to move relative to one another such that the tip scans the ferroelectric domains of the media while applying a contact force to the domains to generate a direct piezoelectric effect within the domains; and circuitry coupled to the tip and adapted to generate a signal in response to an electrical coupling between the tip and the domains while scanning the tip in contact with the domains, the signal corresponding to a readout signal for ferroelectric bit charges stored in the media

摘要翻译： 读取存储在铁电介质层中的信息的布置，方法和系统。 该布置包括具有一个或多个保持位电荷的铁电畴的铁电介质的层，对应于信息的畴; 具有尖端的探针，其中介质和尖端适于相对于彼此移动，使得尖端扫描介质的铁电畴，同时向畴施加接触力以在畴内产生直接压电效应; 以及耦合到所述尖端并且适于响应于所述尖端和所述域之间的电耦合而产生信号的电路，同时扫描与所述区域接触的尖端，所述信号对应于存储在所述介质中的铁电位电荷的读出信号

公开(公告)号：US20080078982A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11529830

申请日：2006-09-29

申请人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

发明人： Kyu S. Min ,  Nathan R. Franklin

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/76802 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1472 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/24

摘要： An apparatus comprising a substrate, an electrode coupled to the substrate, a modifiable layer coupled to the electrode, and a current focusing layer coupled to the modifiable layer. The current focusing layer comprises a conductive region and an insulating region. A method comprising forming a modifiable layer on an electrode and forming a current focusing layer on the modifiable layer.

摘要翻译： 一种包括衬底，耦合到衬底的电极，耦合到电极的可修改层以及耦合到可修改层的电流聚焦层的装置。 当前的聚焦层包括导电区域和绝缘区域。 一种方法，包括在电极上形成可修饰层并在可修饰层上形成电流聚焦层。