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    PASTE COMPOSITION FOR SOLAR CELL ELECTRODE, ELECTRODE FABRICATED USING THE SAME, AND SOLAR CELL INCLUDING THE SAME
    4.
    发明申请
    PASTE COMPOSITION FOR SOLAR CELL ELECTRODE, ELECTRODE FABRICATED USING THE SAME, AND SOLAR CELL INCLUDING THE SAME 有权
    用于太阳能电池的电极组合物，使用该电极的电极，以及包括其的太阳能电池

    公开(公告)号：US20130134363A1

    公开(公告)日：2013-05-30

    申请号：US13595162

    申请日：2012-08-27

    申请人： Dae Seop SONG ,  Young Wook CHOI ,  Sang Hyun YANG

    发明人： Dae Seop SONG ,  Young Wook CHOI ,  Sang Hyun YANG

    IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B1/12

    CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

    摘要： A paste composition for solar cell electrodes includes conductive particles, a glass frit, an organic binder and a solvent. The conductive particles include at least two groups of conductive particle having different particle diameter distributions. The conductive particle may have an average particle diameter (D50′) of about 1.85 μm or less and a particle diameter (D90′) at 90% of the cumulative particle diameter distribution of about 3.10 μm or less.

    摘要翻译： 用于太阳能电池电极的糊剂组合物包括导电颗粒，玻璃料，有机粘合剂和溶剂。 导电颗粒包括具有不同粒径分布的至少两组导电颗粒。 导电粒子的平均粒径（D50'）可以为约1.85μm以下，累积粒径分布的90％的粒径（D90'）为3.10μm以下。

    Preparation of metal oxide thin film via cyclic CVD or ALD
    6.
    发明授权
    Preparation of metal oxide thin film via cyclic CVD or ALD 有权
    通过循环CVD或ALD制备金属氧化物薄膜

    公开(公告)号：US08092870B2

    公开(公告)日：2012-01-10

    申请号：US12410529

    申请日：2009-03-25

    申请人： Moo-Sung Kim ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sang-Hyun Yang

    发明人： Moo-Sung Kim ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sang-Hyun Yang

    IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/409 ,  C23C16/45553

    摘要： A cyclic deposition process to make a metal oxide film on a substrate, which comprises the steps: introducing a metal ketoiminate into a deposition chamber and depositing the metal ketoiminate on a heated substrate; purging the deposition chamber to remove unreacted metal ketominate and any byproduct; introducing an oxygen-containing source to the heated substrate; purging the deposition chamber to remove any unreacted chemical and byproduct; and, repeating the cyclic deposition process until a desired thickness of film is established.

    摘要翻译： 一种在衬底上形成金属氧化物膜的循环沉积工艺，其包括以下步骤：将金属酮亚胺引入淀积室并将金属酮嘧啶沉积在加热的衬底上; 清除沉积室以除去未反应的金属酮基甲酸酯和任何副产物; 将含氧源引入加热的基底; 清除沉积室以除去任何未反应的化学和副产物; 并重复循环沉积过程，直到建立所需的膜厚。

    Plasma enhanced cyclic deposition method of metal silicon nitride film
    7.
    发明申请
    Plasma enhanced cyclic deposition method of metal silicon nitride film 审中-公开
    金属氮化硅膜的等离子体增强循环沉积法

    公开(公告)号：US20080318443A1

    公开(公告)日：2008-12-25

    申请号：US12157631

    申请日：2008-06-12

    申请人： Min-Kyung Kim ,  Yang-Suk Han ,  Moo-Sung Kim ,  Sang-Hyun Yang ,  Xinjian Lei

    发明人： Min-Kyung Kim ,  Yang-Suk Han ,  Moo-Sung Kim ,  Sang-Hyun Yang ,  Xinjian Lei

    IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C16/34

    CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553

    摘要： The present invention relates to a method for forming a metal silicon nitride film according to a cyclic film deposition under plasma atmosphere with a metal amide, a silicon precursor, and a nitrogen source gas as precursors. The deposition method for forming a metal silicon nitride film on a substrate comprises steps of: pulsing a metal amide precursor; purging away the unreacted metal amide; introducing nitrogen source gas into reaction chamber under plasma atmosphere; purging away the unreacted nitrogen source gas; pulsing a silicon precursor; purging away the unreacted silicon precursor; introducing nitrogen source gas into reaction chamber under plasma atmosphere; and purging away the unreacted nitrogen source gas.

    摘要翻译： 本发明涉及一种在金属酰胺，硅前体和氮源气体作为前体的等离子体气氛下，根据循环膜沉积形成金属氮化硅膜的方法。 用于在衬底上形成金属氮化硅膜的沉积方法包括以下步骤：脉冲金属酰胺前体; 清除未反应的金属酰胺; 在等离子体气氛下将氮源气体引入反应室; 清除未反应的氮源气体; 脉冲硅前体; 清除未反应的硅前体; 在等离子体气氛下将氮源气体引入反应室; 并清除未反应的氮源气体。