公开(公告)号：US20090255586A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12248309

申请日：2008-10-09

申请人： Dong-Yu Kim ,  Seok-In Na

发明人： Dong-Yu Kim ,  Seok-In Na

IPC分类号： H01L31/04 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L51/447 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

摘要： An organic solar cell and a method of fabricating the same are provided. The organic solar cell includes a first electrode and a second electrode. An organic active layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The organic active layer includes an concave-convex pattern in a surface adjacent to the second electrode. The concave-convex pattern may be formed by contacting an elastomer stamp and a top surface of the organic active layer. The elastomer stamp may be formed by molding using a template having a surface relief grating (SRG). The template may include a photoisomerization polymer layer, and the surface relief grating may be formed by irradiating interference light onto the photoisomerization polymer layer. The surface relief grating may be a blazed diffraction grating.

摘要翻译： 提供了一种有机太阳能电池及其制造方法。 有机太阳能电池包括第一电极和第二电极。 有机活性层设置在第一电极和第二电极之间。 有机活性层在与第二电极相邻的表面中包括凹凸图案。 凹凸图案可以通过使弹性体印模和有机活性层的顶表面接触而形成。 弹性体印模可以通过使用具有表面起伏格栅（SRG）的模板成型而形成。 模板可以包括光异构化聚合物层，并且可以通过将干涉光照射到光异构化聚合物层上来形成表面起伏栅格。 表面起伏光栅可以是闪耀的衍射光栅。

公开(公告)号：US09318231B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13410465

申请日：2012-03-02

申请人： Bon-Cheol Ku ,  Ok-kyung Park ,  Sung Ho Lee ,  Seok In Na ,  Han Ik Jo ,  Jun Kyung Kim ,  Joong Hee Lee

发明人： Bon-Cheol Ku ,  Ok-kyung Park ,  Sung Ho Lee ,  Seok In Na ,  Han Ik Jo ,  Jun Kyung Kim ,  Joong Hee Lee

IPC分类号： C08G18/63 ,  H01B1/04 ,  C09C1/44 ,  C01B31/04 ,  C08G61/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04

CPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C01B32/23 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/314 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C09C1/44 ,  C08L77/00 ,  C08L79/08 ,  C08L79/06 ,  C08L67/00 ,  C08L23/00

摘要： Methods of preparing reduced graphene oxide and reduced graphene oxide-polymer composites. The methods include covalently binding a halogen-substituted aromatic compounds to a graphene oxide and heat treating the graphene oxide with the halogen-substituted aromatic compounds covalently bound thereto at a low temperature, for example, 450° C. or less. By using the methods, reduced graphene oxide and reduced graphene oxide-polymer composites that have high electrical conductivities (e.g., 30,000 S/m or more) may be obtained.

摘要翻译： 制备还原型石墨烯氧化物和还原型氧化烯 - 氧化物 - 聚合物复合材料的方法。 所述方法包括将卤素取代的芳族化合物共价结合到石墨烯氧化物上，并在低温，例如450℃或更低的温度下与共价键合的卤素取代的芳族化合物热处理氧化石墨烯。 通过使用这些方法，可以获得具有高电导率（例如，30,000S / m以上）的还原型氧化石墨烯和氧化还原型石墨烯 - 聚合物复合材料。

公开(公告)号：US08865515B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13356965

申请日：2012-01-24

申请人： Seok In Na ,  Dong Yu Kim ,  Hye Young Koo ,  Jin Mun Yun ,  Jun Seok Yeo ,  Jun Kyung Kim

发明人： Seok In Na ,  Dong Yu Kim ,  Hye Young Koo ,  Jin Mun Yun ,  Jun Seok Yeo ,  Jun Kyung Kim

IPC分类号： H01L51/40 ,  B82Y10/00 ,  C01B31/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/192 ,  H01L51/44 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a graphene thin film by reducing graphene oxide and a method for fabricating an optoelectronic device using the same are provided. The method for fabricating a graphene thin film includes preparing graphene oxide; preparing graphene through reducing the graphene oxide by a sulfonyl hydrazide-based reducing agent; preparing a graphene dispersed solution by dispersing the graphene into an organic solvent; and fabricating a graphene thin film by applying the graphene dispersed solution. The sulfonyl hydrazide-based reducing agent may be a compound having a sulfonyl hydrazide substituent of Chemical Formula 1 in the present disclosure in which A may be any one in Chemical Formula 2 in the present disclosure.

摘要翻译： 提供了通过还原石墨烯氧化物制造石墨烯薄膜的方法和使用其制造光电器件的方法。 制造石墨烯薄膜的方法包括制备氧化石墨烯; 通过磺酰肼类还原剂还原氧化石墨烯来制备石墨烯; 通过将石墨烯分散在有机溶剂中制备石墨烯分散溶液; 并通过应用石墨烯分散溶液制造石墨烯薄膜。 磺酰肼类还原剂可以是在本公开内容中具有化学式1的磺酰肼取代基的化合物，其中A可以是本公开的化学式2中的任何一个。

公开(公告)号：US20120302683A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13410465

申请日：2012-03-02

申请人： Bon-Cheol KU ,  Ok-kyung PARK ,  Sung Ho LEE ,  Seok In NA ,  Han Ik JO ,  Jun Kyung KIM ,  Joong Hee LEE

发明人： Bon-Cheol KU ,  Ok-kyung PARK ,  Sung Ho LEE ,  Seok In NA ,  Han Ik JO ,  Jun Kyung KIM ,  Joong Hee LEE

IPC分类号： C08K5/18 ,  C07C25/00 ,  C07C27/00

CPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C01B32/23 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/314 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C09C1/44 ,  C08L77/00 ,  C08L79/08 ,  C08L79/06 ,  C08L67/00 ,  C08L23/00

摘要： Methods of preparing reduced graphene oxide and reduced graphene oxide-polymer composites. The methods include covalently binding a halogen-substituted aromatic compounds to a graphene oxide and heat treating the graphene oxide with the halogen-substituted aromatic compounds covalently bound thereto at a low temperature, for example, 450° C. or less. By using the methods, reduced graphene oxide and reduced graphene oxide-polymer composites that have high electrical conductivities (e.g., 30,000 S/m or more) may be obtained.

摘要翻译： 制备还原型石墨烯氧化物和还原型氧化烯 - 氧化物 - 聚合物复合材料的方法。 所述方法包括将卤素取代的芳族化合物共价结合到石墨烯氧化物上，并在低温，例如450℃或更低的温度下与共价键合的卤素取代的芳族化合物热处理氧化石墨烯。 通过使用这些方法，可以获得具有高电导率（例如，30,000S / m以上）的还原型氧化石墨烯和氧化还原型石墨烯 - 聚合物复合材料。

公开(公告)号：US20120190139A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13356965

申请日：2012-01-24

申请人： Seok In NA ,  Dong Yu KIM ,  Hye Young KOO ,  Jin Mun YUN ,  Jun Seok YEO ,  Jun Kyung KIM

发明人： Seok In NA ,  Dong Yu KIM ,  Hye Young KOO ,  Jin Mun YUN ,  Jun Seok YEO ,  Jun Kyung KIM

IPC分类号： H01L51/56 ,  C01B31/02 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/0045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/192 ,  H01L51/44 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a graphene thin film by reducing graphene oxide and a method for fabricating an optoelectronic device using the same are provided. The method for fabricating a graphene thin film comprises: (a) preparing graphene oxide; (b) preparing graphene through reducing the graphene oxide by a sulfonyl hydrazide-based reducing agent; (c) preparing a graphene dispersed solution by dispersing the graphene into an organic solvent; and (d) fabricating a graphene thin film by applying the graphene dispersed solution. The sulfonyl hydrazide-based reducing agent may be a compound having a sulfonyl hydrazide substituent of Chemical Formula 1 in the present disclosure in which A may be any one in Chemical Formula 2 in the present disclosure.

摘要翻译： 提供了通过还原石墨烯氧化物制造石墨烯薄膜的方法和使用其制造光电器件的方法。 制造石墨烯薄膜的方法包括：（a）制备氧化石墨烯; （b）通过用磺酰肼类还原剂还原氧化石墨烯来制备石墨烯; （c）通过将石墨烯分散在有机溶剂中制备石墨烯分散溶液; 和（d）通过施加石墨烯分散溶液制造石墨烯薄膜。 磺酰肼类还原剂可以是在本公开内容中具有化学式1的磺酰肼取代基的化合物，其中A可以是本公开的化学式2中的任何一个。