公开(公告)号：US08742514B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13348333

申请日：2012-01-11

申请人： Dong-Seok Suh ,  Tae-Seong Park

发明人： Dong-Seok Suh ,  Tae-Seong Park

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A storage node may include a lower electrode, a phase change layer on the lower electrode and an upper electrode on the phase change layer, and the lower electrode and the upper electrode may be composed of thermoelectric materials having a melting point higher than that of the phase change layer, and having different conductivity types. An upper surface of the lower electrode may have a recessed shape, and a lower electrode contact layer may be provided between the lower electrode and the phase change layer.

摘要翻译： 存储节点可以包括下电极，下电极上的相变层和相变层上的上电极，下电极和上电极可以由熔点高于 相变层，并具有不同的导电类型。 下电极的上表面可以具有凹陷形状，并且下电极接触层可以设置在下电极和相变层之间。

公开(公告)号：US20060035453A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11196243

申请日：2005-08-04

申请人： Seung-Woo Kim ,  Pyeong-Wan Kim ,  Sang-Ho Ahn ,  Bo-Seong Kim ,  Ho-Jeong Moon ,  Tae-Seong Park ,  Hee-Guk Choi

发明人： Seung-Woo Kim ,  Pyeong-Wan Kim ,  Sang-Ho Ahn ,  Bo-Seong Kim ,  Ho-Jeong Moon ,  Tae-Seong Park ,  Hee-Guk Choi

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/52

CPC分类号： H05K1/111 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01327 ,  H05K3/06 ,  H05K3/282 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/099 ,  H05K2203/0353 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： In the method, a conductive pad of the board is etched to a depth that is greater than 50% and less than 100% of a thickness of the conductive pad. Subsequently, a solder ball may be formed on the etched conductive pad. For example, the conductive pad may be copper.

摘要翻译： 在该方法中，将电路板的导电焊盘蚀刻到大于导电焊盘厚度的50％且小于100％的深度。 随后，可以在蚀刻的导电焊盘上形成焊球。 例如，导电焊盘可以是铜。

公开(公告)号：US07213329B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US11196243

申请日：2005-08-04

申请人： Seung-Woo Kim ,  Pyeong-Wan Kim ,  Sang-Ho Ahn ,  Bo-Seong Kim ,  Ho-Jeong Mun ,  Tae-Seong Park ,  Hee-Guk Choi

发明人： Seung-Woo Kim ,  Pyeong-Wan Kim ,  Sang-Ho Ahn ,  Bo-Seong Kim ,  Ho-Jeong Mun ,  Tae-Seong Park ,  Hee-Guk Choi

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K3/40 ,  H05K7/06 ,  H01L21/44

CPC分类号： H05K1/111 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01327 ,  H05K3/06 ,  H05K3/282 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/099 ,  H05K2203/0353 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： In the method, a conductive pad of the board is etched to a depth that is greater than 50% and less than 100% of a thickness of the conductive pad. Subsequently, a solder ball may be formed on the etched conductive pad. For example, the conductive pad may be copper.

摘要翻译： 在该方法中，将电路板的导电焊盘蚀刻到大于导电焊盘厚度的50％且小于100％的深度。 随后，可以在蚀刻的导电焊盘上形成焊球。 例如，导电焊盘可以是铜。