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    TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE
    1.
    发明申请
    TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE 审中-公开
    透明导电基板

    公开(公告)号：US20120125423A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US13112355

    申请日：2011-05-20

    申请人： Annette J. Krisko

    发明人： Annette J. Krisko

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

    摘要： A photovoltaic element for photovoltaic applications includes a transparent substrate having a first side and a second side. A transparent electrically conductive oxide is disposed over the first side of the transparent substrate. Similarly, a hydrophilic oxide coating is disposed over and contacts the transparent electrically conductive oxide. Finally, a removable protective coating is disposed over the hydrophilic oxide coating.

    摘要翻译： 用于光伏应用的光伏元件包括具有第一侧和第二侧的透明衬底。 透明导电氧化物设置在透明基板的第一侧上。 类似地，亲水氧化物涂层设置在透明导电氧化物上并与透明导电氧化物接触。 最后，将可移除的保护涂层设置在亲水氧化物涂层上。

    Plasma enhanced chemical vapor deposition of oxide film stack
    5.
    发明授权
    Plasma enhanced chemical vapor deposition of oxide film stack 失效
    等离子体增强化学气相沉积的氧化膜堆叠

    公开(公告)号：US5352505A

    公开(公告)日：1994-10-04

    申请号：US73230

    申请日：1993-06-04

    申请人： Annette J. Krisko ,  James W. Proscia

    发明人： Annette J. Krisko ,  James W. Proscia

    IPC分类号： C03C17/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C28/00 ,  G02F1/15 ,  G02F1/17

    CPC分类号： G02F1/1523 ,  C03C17/3417 ,  C23C16/405 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24975

    摘要： A plasma enhanced chemical vapor deposition method is provided for depositing an oxide film onto a substrate surface. Deposition is achieved even onto a surface of a glass or other relatively non-receptive substrate. A sub-film is deposited under plasma enhanced chemical vapor deposition conditions more strongly favoring deposition, followed by deposition of the desired oxide film under second plasma enhanced chemical vapor deposition conditions less strongly favoring deposition. High quality oxide films can be achieved by deposition at second plasma enhanced chemical vapor deposition conditions only marginally favoring deposition over etching.

    摘要翻译： 提供了一种用于在衬底表面上沉积氧化膜的等离子体增强化学气相沉积方法。 甚至在玻璃或其他相对不接受的基底的表面上也实现沉积。 在等离子体增强化学气相沉积条件下沉积子膜更有利于沉积，随后在不利于沉积的第二等离子体增强化学气相沉积条件下沉积所需的氧化物膜。 通过在第二等离子体增强化学气相沉积条件下的沉积可以实现高质量的氧化膜，这仅仅是有利于沉积在蚀刻上。