公开(公告)号：US06283134B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US09010683

申请日：1998-01-22

申请人： Army Chung ,  Hsi-Hsin Hong ,  Chi-Fa Ku

发明人： Army Chung ,  Hsi-Hsin Hong ,  Chi-Fa Ku

IPC分类号： B08B302

CPC分类号： H01L21/67225 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3057 ,  G03F7/422 ,  Y10S134/901

摘要： An apparatus for removing photo-resist. The apparatus comprises carriers for carrying a wafer, hot plates to remove residue solvent on the wafer, a cooling plate to decrease the wafer temperature, an reverse unit to turn over the wafer, a development unit to develop and remove photo-resist on the wafer, a top scrubbing unit to clean a top side of the wafer, and a back scrubbing unit to clean a back side of the wafer.

摘要翻译： 一种去除光刻胶的设备。 该装置包括用于承载晶片的载体，用于去除晶片上的残留溶剂的热板，用于降低晶片温度的冷却板，用于翻转晶片的反向单元，用于在晶片上显影和去除光致抗蚀剂的显影单元 ，用于清洁晶片的顶侧的顶部擦洗单元和用于清洁晶片背面的后擦洗单元。

公开(公告)号：US6153360A

公开(公告)日：2000-11-28

申请号：US10682

申请日：1998-01-22

申请人： Army Chung ,  Hsi-Hsin Hong ,  Chi-Fa Ku

发明人： Army Chung ,  Hsi-Hsin Hong ,  Chi-Fa Ku

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L21/67225 ,  G03F7/422 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3057 ,  Y10S134/901

摘要： A method of removing photo-resist. Acetone, thinner, and deionized water for scrubbing a wafer are used to clean a wafer on which a photo-resist layer is formed, so that thinner and deionized water are mutually dissolvable with acetone as medium. The photo-resist layer is then removed.

摘要翻译： 去除光刻胶的方法。 用于擦洗晶片的丙酮，稀释剂和去离子水用于清洁其上形成有光致抗蚀剂层的晶片，使得较薄和去离子水可用丙酮作为介质相互溶解。 然后除去光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US6007953A

公开(公告)日：1999-12-28

申请号：US98249

申请日：1998-06-16

申请人： Tzung-Han Lee ,  Chi-Fa Ku ,  Army Chung ,  Chien-Li Kuo

发明人： Tzung-Han Lee ,  Chi-Fa Ku ,  Army Chung ,  Chien-Li Kuo

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/2028 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002

摘要： The invention provides a method of avoiding peeling on the wafer edge and the mark number. The method uses a design rule to expose the multi-layer on a wafer. The limit and the scope of the exposed distance are taken to ensure the polysilicon layers and the metal layers are covered by the dielectric layer after exposure. The polysilicon layers or the metal layers don't unclothe from the overlarge distance at the exposed dielectric layer, so the next structure formed on the exposed dielectric layer doesn't peeling from contacting with the polysilicon layer or the metal layer. The invention avoids to contaminate the wafer and the machine after the particles forming from peeling.

摘要翻译： 本发明提供一种避免晶片边缘剥离和标记号的方法。 该方法使用设计规则在晶片上暴露多层。 采取暴露距离的极限和范围来确保暴露后多晶硅层和金属层被电介质层覆盖。 多晶硅层或金属层不会从暴露的电介质层的较大距离脱落，因此在暴露的电介质层上形成的下一个结构不会与多晶硅层或金属层接触而剥离。 本发明避免了在从剥离形成颗粒之后污染晶片和机器。

公开(公告)号：US06422246B1

公开(公告)日：2002-07-23

申请号：US09515952

申请日：2000-02-29

申请人： Chi-Fa Ku ,  Hsiao-Pang Chou

发明人： Chi-Fa Ku ,  Hsiao-Pang Chou

IPC分类号： B08B900

CPC分类号： G03F7/30

摘要： A method for removing residual color photoresist material from a substrate after photoresist development. The method washes the substrate with a high-pressure jet of de-ionized water that contains an activated interface agent. A second method of removing the residual photoresist material bombards the substrate with oxygen plasma for a brief period so that the residual photoresist material is polarized and then rinses the substrate with de-ionized water.

摘要翻译： 光致抗蚀剂显影后从基板上除去残留光致抗蚀剂材料的方法。 该方法用含有活化界面剂的去离子水的高压喷射洗涤基材。 除去剩余的光致抗蚀剂材料的第二种方法是用氧等离子体短暂地轰击衬底，使残留的光致抗蚀剂材料被极化，然后用去离子水冲洗衬底。

公开(公告)号：US5773082A

公开(公告)日：1998-06-30

申请号：US783906

申请日：1997-01-16

申请人： Chi-Fa Ku ,  Chih-Hsing Hsin ,  Po-Wen Yen

发明人： Chi-Fa Ku ,  Chih-Hsing Hsin ,  Po-Wen Yen

IPC分类号： B05D1/00 ,  G03F7/16 ,  B05D3/12

CPC分类号： G03F7/162 ,  B05D1/005 ,  G03F7/168

摘要： A method for applying photoresist on a wafer is disclosed. The method comprises: lowering the temperature of the photoresist, and dispensing the photoresist on a portion of the wafer, where the wafer is supported by a spinner chuck and is rotated at a low speed. Thereafter, spreading the photoresist on the wafer by rotating the wafer at a high speed. Finally, planarizing the photoresist by rotating the wafer at a medium speed greater than or equal to the low speed in the dispensing step and less than or equal to the high speed in the spreading step.

摘要翻译： 公开了一种在晶片上施加光致抗蚀剂的方法。 该方法包括：降低光致抗蚀剂的温度，并将光致抗蚀剂分配在晶片的一部分上，其中晶片由旋转卡盘支撑并以低速旋转。 此后，通过高速旋转晶片将光致抗蚀剂铺展在晶片上。 最后，通过在分配步骤中以大于或等于低速的中等速度旋转晶片并且在扩展步骤中小于或等于高速来平坦化光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US6025206A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：US80085

申请日：1998-05-15

申请人： Jain-Hon Chen ,  Chi-Fa Ku ,  Li-Dar Tsai

发明人： Jain-Hon Chen ,  Chi-Fa Ku ,  Li-Dar Tsai

IPC分类号： G01N21/95 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  G01N21/00 ,  G01N21/86

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

摘要： A method for detecting defects comprises scanning a clean blank wafer for figuring out the quantity and locations of particles; then, scanning the wafer again after performing coating, exposure, and development processes on the wafer; comparing the two scanning results for figuring out the locations of the defects and calculating quantities of the defects by checking the patterns and colors, and then to obtain the quantities and types of the defects in mechanisms and photoresist respectively.

摘要翻译： 用于检测缺陷的方法包括扫描清洁的空白晶片以找出颗粒的数量和位置; 然后在晶片上进行涂覆，曝光和显影处理之后再次扫描晶片; 比较两种扫描结果，以便通过检查图案和颜色来确定缺陷的位置和计算缺陷的数量，然后分别获得机构和光刻胶中的缺陷的数量和类型。

公开(公告)号：US06304387B1

公开(公告)日：2001-10-16

申请号：US09574475

申请日：2000-05-19

申请人： Chi-Fa Ku ,  Jeenh-Bang Yeh

发明人： Chi-Fa Ku ,  Jeenh-Bang Yeh

IPC分类号： G02B300

CPC分类号： G02B3/0018 ,  B29D11/00365

摘要： The invention proposes a method of predicting the curvature radius of the microlens. By adjusting a spin speed of spin coating and exposure energy during a photolithography step, a volume of the patterned microlens material layer is controlled. Then a lens-forming step is performed to transform the patterned microlens material layer into a microlens. After measuring a diameter of the microlens, the volume of the microlens material layer is multiplied by a contraction coefficient to calculate a volume of the microlens. Then the diameter and the volume of the microlens are used to calculate a curvature radius.

摘要翻译： 本发明提出了一种预测微透镜曲率半径的方法。 通过在光刻步骤期间通过调节旋涂的旋转速度和曝光能量来控制图案化微透镜材料层的体积。 然后进行透镜形成步骤以将图案化的微透镜材料层转变成微透镜。 在测量微透镜的直径之后，将微透镜材料层的体积乘以收缩系数以计算微透镜的体积。 然后使用微透镜的直径和体积来计算曲率半径。

公开(公告)号：US06136665A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US89371

申请日：1998-06-03

申请人： Chi-Fa Ku ,  Jain-Hon Chen

发明人： Chi-Fa Ku ,  Jain-Hon Chen

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76819

摘要： A recess-free buffer layer is formed on a semiconductor substrate having island structures formed thereon. A first buffer layer is formed over the substrate and the island structures. A first reflow process is then performed for reflowing the first buffer layer into spaces between the island structures. A portion of the first buffer layer located outside the spaces is removed. A second buffer layer is formed over the first buffer layer and the island structures. The method can further include a step of performing a second thermal soft-bake process to the second buffer layer. The second buffer layer can also be patterned after the soft-bake process.

摘要翻译： 在其上形成有岛结构的半导体衬底上形成无凹陷缓冲层。 在衬底和岛结构上形成第一缓冲层。 然后执行第一回流处理以将第一缓冲层回流到岛结构之间的空间中。 位于空间外部的第一缓冲层的一部分被去除。 在第一缓冲层和岛结构上形成第二缓冲层。 该方法还可以包括对第二缓冲层执行第二热软烘焙处理的步骤。 第二缓冲层也可以在软烘烤过程之后被图案化。