公开(公告)号：US06617215B1

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US10109235

申请日：2002-03-27

申请人： Arvind Halliyal ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Angela T. Hui ,  Jusuke Ogura

发明人： Arvind Halliyal ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Angela T. Hui ,  Jusuke Ogura

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/115

摘要： A manufacturing method for a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and depositing a charge-trapping dielectric material. First and second bitlines are implanted and a wordline material is deposited. A hard mask material is deposited over the wordline material. The hard mask material is of a material having the characteristic of being deposited rather than grown. A photoresist material is deposited over the wordline material and is patterned to form a patterned hard mask. The patterned photoresist material is removed. The wordline material is processed using the patterned hard mask to form a wordline. The patterned hard mask material is removed.

摘要翻译： 用于MirrorBit（R）闪存的制造方法包括提供半导体衬底和沉积电荷俘获电介质材料。 植入第一和第二位线，并存放字线材料。 硬掩模材料沉积在字线材料上。 硬掩模材料是具有沉积而不是生长的特征的材料。 光致抗蚀剂材料沉积在字线材料上并被图案化以形成图案化的硬掩模。 去除图案化的光致抗蚀剂材料。 使用图案化的硬掩模处理字线材料以形成字线。 去除图案化的硬掩模材料。

公开(公告)号：US06479348B1

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US10109516

申请日：2002-08-27

申请人： Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Angela T. Hui

发明人： Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Angela T. Hui

IPC分类号： H01L218247

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115

摘要： A manufacturing method is provided for an integrated circuit memory with closely spaced wordlines formed by using hard mask extensions. A charge-trapping dielectric material is deposited over a semiconductor substrate and first and second bitlines are formed therein. A wordline material and a hard mask material are deposited over the wordline material. A photoresist material is deposited over the hard mask material and is processed to form a patterned photoresist material. The hard mask material is processed using the patterned photoresist material to form a patterned hard mask material. The patterned photoresist is then removed. A hard mask extension material is deposited over the wordline material and is processed to form a hard mask extension. The wordline material is processed using the patterned hard mask material and the hard mask extension to form a wordline, and the patterned hard mask material and the hard mask extension are then removed.

摘要翻译： 提供了一种用于通过使用硬掩模延伸部形成的具有紧密间隔的字线的集成电路存储器的制造方法。 在半导体衬底上沉积电荷俘获电介质材料，并在其中形成第一和第二位线。 字线材料和硬掩模材料沉积在字线材料上。 光致抗蚀剂材料沉积在硬掩模材料上并被处理以形成图案化的光致抗蚀剂材料。 使用图案化的光致抗蚀剂材料处理硬掩模材料以形成图案化的硬掩模材料。 然后去除图案化的光致抗蚀剂。 硬掩模延伸材料沉积在字线材料上并被处理以形成硬掩模延伸部。 使用图案化的硬掩模材料和硬掩模延伸部来处理字线材料以形成字线，然后去除图案化的硬掩模材料和硬掩模延伸部。

公开(公告)号：US06653191B1

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US10151576

申请日：2002-05-16

申请人： Jean Y. Yang ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa

发明人： Jean Y. Yang ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa

IPC分类号： H01L218247

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11573

摘要： A method of manufacturing an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and depositing a charge-trapping dielectric layer and a gate dielectric layer over the semiconductor substrate. Bitlines are implanted closely in the semiconductor substrate and annealed using a rapid thermal anneal. Wordlines and gates are formed and source/drain junctions are implanted in the semiconductor substrate. An interlayer dielectric layer is deposited and the integrated circuit completed.

摘要翻译： 集成电路的制造方法包括提供半导体衬底，并在半导体衬底上沉积电荷俘获电介质层和栅介质层。 位线在半导体衬底中紧密地植入，并使用快速热退火退火。 形成字线和栅极，并且将源极/漏极结注入到半导体衬底中。 沉积层间电介质层并完成集成电路。

公开(公告)号：US06884681B1

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10672093

申请日：2003-09-26

申请人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

发明人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/66833

摘要： A method for manufacturing a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and successively depositing a first insulating layer, a charge-trapping layer, and a second insulating layer. First and second bitlines are implanted and wordlines are formed before completing the memory. Spacers are formed between the wordlines and an inter-layer dielectric layer is formed over the wordlines. One or more of the second insulating layer, wordlines, spacers, and inter-layer dielectric layers are deuterated, replacing hydrogen bonds with deuterium, thus improving data retention and substantially reducing charge loss.

摘要翻译： 一种用于制造MirrorBit（闪存）闪存的方法包括：提供半导体衬底，并依次沉积第一绝缘层，电荷俘获层和第二绝缘层。 植入第一和第二位线，并在完成内存之前形成字线。 在字线之间形成间隔，并且在字线之间形成层间电介质层。 第二绝缘层，字线，间隔层和层间电介质层中的一个或多个被氘化，用氘替代氢键，从而改善数据保留并显着降低电荷损失。

公开(公告)号：US06670241B1

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US10128771

申请日：2002-04-22

申请人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

发明人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/66833

摘要： A device and method for manufacturing thereof for a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and successively depositing a first insulating layer, a charge-trapping layer, and a second insulating layer. First and second bitlines are implanted and wordlines are formed before completing the memory. Spacers are formed between the wordlines and an inter-layer dielectric layer is formed over the wordlines. One or more of the second insulating layer, wordlines, spacers, and inter-layer dielectric layers are deuterated, replacing hydrogen bonds with deuterium, thus improving data retention and substantially reducing charge loss.

摘要翻译： 用于制造MirrorBit（闪存）闪存的器件及其制造方法包括：提供半导体衬底，并依次沉积第一绝缘层，电荷俘获层和第二绝缘层。 植入第一和第二位线，并在完成内存之前形成字线。 在字线之间形成间隔，并且在字线之间形成层间电介质层。 第二绝缘层，字线，间隔层和层间电介质层中的一个或多个被氘化，用氘替代氢键，从而改善数据保留并显着降低电荷损失。

公开(公告)号：US08368219B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13281491

申请日：2011-10-26

申请人： Arvind Halliyal ,  Zoran Krivokapic ,  Matthew S. Buynoski ,  Nicholas H. Tripsas ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jusuke Ogura

发明人： Arvind Halliyal ,  Zoran Krivokapic ,  Matthew S. Buynoski ,  Nicholas H. Tripsas ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jusuke Ogura

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76895

摘要： A buried local interconnect and method of forming the same counterdopes a region of a doped substrate to form a counterdoped isolation region. A hardmask is formed and patterned on the doped substrate, with a recess being etched through the patterned hardmask into the counterdoped region. Dielectric spacers are formed on the sidewalls of the recess, with a portion of the bottom of the recess being exposed. A metal is then deposited in the recess and reacted to form silicide at the bottom of the recess. The recess is filled with fill material, which is polished. The hardmask is then removed to form a silicide buried local interconnect.

摘要翻译： 掩埋的局部互连和形成相同对策的掺杂衬底的区域以形成反向隔离区的方法。 硬掩模在掺杂的衬底上形成和图案化，其中凹陷通过图案化的硬掩模被蚀刻到反向掺杂的区域中。 在凹槽的侧壁上形成有电介质隔离件，凹部底部的一部分露出。 然后将金属沉积在凹部中并在凹部的底部反应形成硅化物。 凹槽里填充有抛光的填充材料。 然后去除硬掩模以形成硅化物掩埋的局部互连。

公开(公告)号：US08049334B1

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12843131

申请日：2010-07-26

申请人： Arvind Halliyal ,  Zoran Krivokapic ,  Matthew S. Buynoski ,  Nicholas H. Tripsas ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jusuke Ogura

发明人： Arvind Halliyal ,  Zoran Krivokapic ,  Matthew S. Buynoski ,  Nicholas H. Tripsas ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jusuke Ogura

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76895

摘要： A buried local interconnect and method of forming the same counterdopes a region of a doped substrate to form a counterdoped isolation region. A hardmask is formed and patterned on the doped substrate, with a recess being etched through the patterned hardmask into the counterdoped region. Dielectric spacers are formed on the sidewalls of the recess, with a portion of the bottom of the recess being exposed. A metal is then deposited in the recess and reacted to form silicide at the bottom of the recess. The recess is filled with fill material, which is polished. The hardmask is then removed to form a silicide buried local interconnect.

摘要翻译： 掩埋的局部互连和形成相同对策的掺杂衬底的区域以形成反向隔离区的方法。 硬掩模在掺杂的衬底上形成和图案化，其中凹陷通过图案化的硬掩模被蚀刻到反向掺杂的区域中。 在凹槽的侧壁上形成有电介质隔离件，凹部底部的一部分露出。 然后将金属沉积在凹部中并在凹部的底部反应形成硅化物。 凹槽里填充有抛光的填充材料。 然后去除硬掩模以形成硅化物掩埋的局部互连。

公开(公告)号：US06653190B1

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US10023436

申请日：2001-12-15

申请人： Jean Y. Yang ,  Kouros Ghandehari ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Dawn M. Hopper ,  Angela T. Hui ,  Scott A. Bell

发明人： Jean Y. Yang ,  Kouros Ghandehari ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Dawn M. Hopper ,  Angela T. Hui ,  Scott A. Bell

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115

摘要： A method of manufacturing for a MirrorBit® Flash memory includes depositing a charge-trapping material over a semiconductor substrate and implanting first and second bitlines in the semiconductor substrate. A wordline material is deposited over the charge-trapping dielectric material and a hard mask material deposited thereon. An anti-reflective coating (ARC) material is deposited on the hard mask material and a photoresist material is deposited on the ARC followed by processing the photoresist material and the ARC material to form a photomask of a patterned photoresist and a patterned ARC. The hard mask material is processed using the photomask to form a hard mask. The patterned photoresist is removed and then the patterned ARC without damaging the hard mask or the wordline material. The wordline material is processed using the hard mask to form a wordline and the hard mask is removed without damaging the wordline or the charge-trapping material.

摘要翻译： 用于MirrorBit（闪存）闪存的制造方法包括在半导体衬底上沉积电荷捕获材料并在半导体衬底中注入第一和第二位线。 字线材料沉积在电荷俘获电介质材料上并沉积在其上的硬掩模材料。 将抗反射涂层（ARC）材料沉积在硬掩模材料上，并且将光致抗蚀剂材料沉积在ARC上，随后处理光致抗蚀剂材料和ARC材料以形成图案化光致抗蚀剂和图案化ARC的光掩模。 使用光掩模处理硬掩模材料以形成硬掩模。 去除图案化的光致抗蚀剂，然后去除图案化的ARC，而不损坏硬掩模或字线材料。 使用硬掩模处理字线材料以形成字线，并且去除硬掩模而不损坏字线或电荷捕获材料。

公开(公告)号：US07018896B2

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10818112

申请日：2004-04-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque sub-layer of a contact cap layer or a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括接触帽层或基本上不透紫外线的接触覆盖层的基本不透紫外不透明的子层。

公开(公告)号：US06774432B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10358589

申请日：2003-02-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L29792

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. A SONOS flash memory device, including a SONOS flash memory cell; and at least one UV-protective layer, in which the UV-protective layer comprises a substantially UV-opaque material, is provided. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 SONOS闪存设备，包括SONOS闪存单元; 以及至少一个UV保护层，其中UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括基本上不透紫外线的接触盖层。