公开(公告)号：US06774432B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10358589

申请日：2003-02-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L29792

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. A SONOS flash memory device, including a SONOS flash memory cell; and at least one UV-protective layer, in which the UV-protective layer comprises a substantially UV-opaque material, is provided. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 SONOS闪存设备，包括SONOS闪存单元; 以及至少一个UV保护层，其中UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括基本上不透紫外线的接触盖层。

公开(公告)号：US07018896B2

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10818112

申请日：2004-04-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque sub-layer of a contact cap layer or a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括接触帽层或基本上不透紫外线的接触覆盖层的基本不透紫外不透明的子层。

公开(公告)号：US06617215B1

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US10109235

申请日：2002-03-27

申请人： Arvind Halliyal ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Angela T. Hui ,  Jusuke Ogura

发明人： Arvind Halliyal ,  Tazrien Kamal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jeffrey A. Shields ,  Jean Y. Yang ,  Emmanuil Lingunis ,  Angela T. Hui ,  Jusuke Ogura

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/115

摘要： A manufacturing method for a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and depositing a charge-trapping dielectric material. First and second bitlines are implanted and a wordline material is deposited. A hard mask material is deposited over the wordline material. The hard mask material is of a material having the characteristic of being deposited rather than grown. A photoresist material is deposited over the wordline material and is patterned to form a patterned hard mask. The patterned photoresist material is removed. The wordline material is processed using the patterned hard mask to form a wordline. The patterned hard mask material is removed.

摘要翻译： 用于MirrorBit（R）闪存的制造方法包括提供半导体衬底和沉积电荷俘获电介质材料。 植入第一和第二位线，并存放字线材料。 硬掩模材料沉积在字线材料上。 硬掩模材料是具有沉积而不是生长的特征的材料。 光致抗蚀剂材料沉积在字线材料上并被图案化以形成图案化的硬掩模。 去除图案化的光致抗蚀剂材料。 使用图案化的硬掩模处理字线材料以形成字线。 去除图案化的硬掩模材料。

公开(公告)号：US06884681B1

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10672093

申请日：2003-09-26

申请人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

发明人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/66833

摘要： A method for manufacturing a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and successively depositing a first insulating layer, a charge-trapping layer, and a second insulating layer. First and second bitlines are implanted and wordlines are formed before completing the memory. Spacers are formed between the wordlines and an inter-layer dielectric layer is formed over the wordlines. One or more of the second insulating layer, wordlines, spacers, and inter-layer dielectric layers are deuterated, replacing hydrogen bonds with deuterium, thus improving data retention and substantially reducing charge loss.

摘要翻译： 一种用于制造MirrorBit（闪存）闪存的方法包括：提供半导体衬底，并依次沉积第一绝缘层，电荷俘获层和第二绝缘层。 植入第一和第二位线，并在完成内存之前形成字线。 在字线之间形成间隔，并且在字线之间形成层间电介质层。 第二绝缘层，字线，间隔层和层间电介质层中的一个或多个被氘化，用氘替代氢键，从而改善数据保留并显着降低电荷损失。

公开(公告)号：US06670241B1

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US10128771

申请日：2002-04-22

申请人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

发明人： Tazrien Kamal ,  Arvind Halliyal ,  Minh Van Ngo ,  Mark T. Ramsbey ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/66833

摘要： A device and method for manufacturing thereof for a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate and successively depositing a first insulating layer, a charge-trapping layer, and a second insulating layer. First and second bitlines are implanted and wordlines are formed before completing the memory. Spacers are formed between the wordlines and an inter-layer dielectric layer is formed over the wordlines. One or more of the second insulating layer, wordlines, spacers, and inter-layer dielectric layers are deuterated, replacing hydrogen bonds with deuterium, thus improving data retention and substantially reducing charge loss.

摘要翻译： 用于制造MirrorBit（闪存）闪存的器件及其制造方法包括：提供半导体衬底，并依次沉积第一绝缘层，电荷俘获层和第二绝缘层。 植入第一和第二位线，并在完成内存之前形成字线。 在字线之间形成间隔，并且在字线之间形成层间电介质层。 第二绝缘层，字线，间隔层和层间电介质层中的一个或多个被氘化，用氘替代氢键，从而改善数据保留并显着降低电荷损失。

公开(公告)号：US06653191B1

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US10151576

申请日：2002-05-16

申请人： Jean Y. Yang ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa

发明人： Jean Y. Yang ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Emmanuil Lingunis ,  Hidehiko Shiraiwa

IPC分类号： H01L218247

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11573

摘要： A method of manufacturing an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and depositing a charge-trapping dielectric layer and a gate dielectric layer over the semiconductor substrate. Bitlines are implanted closely in the semiconductor substrate and annealed using a rapid thermal anneal. Wordlines and gates are formed and source/drain junctions are implanted in the semiconductor substrate. An interlayer dielectric layer is deposited and the integrated circuit completed.

摘要翻译： 集成电路的制造方法包括提供半导体衬底，并在半导体衬底上沉积电荷俘获电介质层和栅介质层。 位线在半导体衬底中紧密地植入，并使用快速热退火退火。 形成字线和栅极，并且将源极/漏极结注入到半导体衬底中。 沉积层间电介质层并完成集成电路。

公开(公告)号：US06958511B1

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：US10679774

申请日：2003-10-06

申请人： Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Tazrien Kamal ,  Mark Ramsbey ,  Jaeyong Park

发明人： Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Tazrien Kamal ,  Mark Ramsbey ,  Jaeyong Park

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7923

摘要： Process of fabricating multi-bit charge trapping dielectric flash memory device, including forming on a semiconductor substrate a bottom oxide layer to define a substrate/oxide interface, in which the bottom oxide layer includes a first oxygen concentration and a first nitrogen concentration; and adding a quantity of nitrogen to the bottom oxide layer, whereby the bottom oxide layer includes a first region adjacent the charge storage layer and a second region adjacent the substrate/oxide interface, the second region having a second oxygen concentration and a second nitrogen concentration, in which the second nitrogen concentration exceeds the first nitrogen concentration, provided that the second nitrogen concentration does not exceed the second oxygen concentration. In one embodiment, the first nitrogen concentration is substantially zero.

摘要翻译： 制造多位电荷俘获电介质闪存器件的方法，包括在半导体衬底上形成底部氧化物层以限定衬底/氧化物界面，其中底部氧化物层包括第一氧浓度和第一氮浓度; 并且向底部氧化物层添加一定量的氮，由此底部氧化物层包括与电荷存储层相邻的第一区域和与衬底/氧化物界面相邻的第二区域，第二区域具有第二氧浓度和第二氮浓度 其中第二氮浓度超过第一氮浓度，条件是第二氮浓度不超过第二氧浓度。 在一个实施方案中，第一氮浓度基本为零。

公开(公告)号：US06803275B1

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10308518

申请日：2002-12-03

申请人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

发明人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3144

摘要： Process for fabricating a SONOS flash memory device, including in one embodiment, forming a bottom oxide layer of an ONO structure on a semiconductor substrate, wherein the bottom oxide layer has a first oxygen vacancy content; treating the bottom oxide layer to decrease the first oxygen vacancy content to a second oxygen vacancy content; and depositing a dielectric charge-storage layer on the bottom oxide layer. In another embodiment, a process for fabricating a SONOS flash memory device includes forming a bottom oxide layer of an ONO structure on the semiconductor substrate under strongly oxidizing conditions, wherein the bottom oxide layer has a super-stoichiometric oxygen content and an oxygen vacancy content reduced relative to a bottom oxide layer formed by a conventional process; and depositing a dielectric charge-storage layer on the bottom oxide layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，包括在半导体衬底上形成ONO结构的底部氧化物层的SONOS闪速存储器件的制造方法，其中底部氧化物层具有第一氧空位含量; 处理底部氧化物层以将第一氧空位含量降低至第二氧空位含量; 以及在底部氧化物层上沉积介电电荷存储层。 在另一个实施例中，制造SONOS闪速存储器件的工艺包括在强氧化条件下在半导体衬底上形成ONO结构的底部氧化物层，其中底部氧化物层具有超化学计量的氧含量和氧空位含量降低 相对于通过常规方法形成的底部氧化物层; 以及在底部氧化物层上沉积介电电荷存储层。

公开(公告)号：US07033957B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：US10358586

申请日：2003-02-05

申请人： Hidehiko Shiraiwa ,  Tazrien Kamal ,  Mark Ramsbey ,  Inkuk Kang ,  Jaeyong Park ,  Rinji Sugino ,  Jean Y. Yang ,  Fred T K Cheung ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour

发明人： Hidehiko Shiraiwa ,  Tazrien Kamal ,  Mark Ramsbey ,  Inkuk Kang ,  Jaeyong Park ,  Rinji Sugino ,  Jean Y. Yang ,  Fred T K Cheung ,  Arvind Halliyal ,  Amir H. Jafarpour

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  Y10S438/954

摘要： Process for reducing charge leakage in a SONOS flash memory device, including in one embodiment, forming a bottom oxide layer of an ONO structure on the semiconductor substrate to form an oxide/silicon interface having a first oxygen content adjacent the oxide/silicon interface; treating the bottom oxide layer to increase the first oxygen content to a second oxygen content adjacent the oxide/silicon interface; and depositing a nitride charge-storage layer on the bottom oxide layer. In another embodiment, process for reducing charge leakage in a SONOS flash memory device, including forming a bottom oxide layer of an ONO structure on a surface of the semiconductor substrate having an oxide/silicon interface with a super-stoichiometric oxygen content adjacent the oxide/silicon interface; and depositing a nitride charge-storage layer on the bottom oxide layer.

摘要翻译： 包括在一个实施例中，在半导体衬底上形成ONO结构的底部氧化物层以形成具有与氧化物/硅界面相邻的第一氧含量的氧化物/硅界面的方法，用于减少SONOS闪速存储器件中的电荷泄漏的方法; 处理底部氧化物层以将第一氧含量增加到邻近氧化物/硅界面的第二氧含量; 以及在底部氧化物层上沉积氮化物电荷存储层。 在另一个实施方案中，用于减少SONOS闪速存储器件中的电荷泄漏的方法，包括在半导体衬底的表面上形成具有超化学计量氧含量的氧化物/硅界面的氧化物/硅界面的氧化物/ 硅界面; 以及在底部氧化物层上沉积氮化物电荷存储层。

公开(公告)号：US06969886B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：US10889424

申请日：2004-07-12

申请人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

发明人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3144

摘要： A SONOS flash memory device, including a semiconductor substrate; an ONO structure formed on the semiconductor substrate, the ONO structure including a bottom oxide layer, a dielectric charge storage layer and a top oxide layer, the bottom oxide layer having a super-stoichiometric oxygen content and an oxygen vacancy content of about 1010/cm2 or less, wherein the bottom oxide layer exhibits a reduced charge leakage relative to a bottom oxide layer having a stoichiometric or sub-stoichiometric oxygen content and a greater number of oxygen vacancies. In one embodiment, the bottom oxide layer has an oxygen vacancy content of substantially zero.

摘要翻译： 一种SONOS闪速存储器件，包括半导体衬底; 形成在半导体衬底上的ONO结构，所述ONO结构包括底部氧化物层，介电电荷存储层和顶部氧化物层，所述底部氧化物层的超化学计量氧含量和氧空位含量为约10 ^{10 / cm 2以下，其中底部氧化物层相对于具有化学计量或亚化学计量的氧含量和更大数量的氧的底部氧化物层显示出减小的电荷泄漏 空缺。 在一个实施方案中，底部氧化物层的氧空位含量基本为零。}