公开(公告)号：US08211624B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12601011

申请日：2008-05-21

申请人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

发明人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106

摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.

摘要翻译： 图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案， 烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案 图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

公开(公告)号：US20120156621A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13403036

申请日：2012-02-23

申请人： Atsushi NAKAMURA ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

发明人： Atsushi NAKAMURA ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106

摘要： A radiation-sensitive resin composition includes a resin including a repeating unit shown by a following general formula (1), a photoacid generator and a photodisintegrating base shown by a following general formula (8). R2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and each of R2s individually represents a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or the like. Each of R18 to R20 individually represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group or a halogen atom, and Z− represents OH−, R—COO−, R—SO3− or an anion shown by a following formula (10), wherein R represents an alkyl group, an aryl group or an alkaryl group.

摘要翻译： 辐射敏感性树脂组合物包括含有下列通式（1）表示的重复单元的树脂，光致酸产生剂和由以下通式（8）表示的光致聚合碱。 R2表示氢原子或甲基，R2各自表示碳原子数为4〜20的一价脂环式烃基或其衍生物，碳原子数为1〜4的直链或支链烷基等。 R 18〜R 20各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，羟基或卤素原子，Z-表示OH-，R-COO-，R-SO 3 - 或下述 式（10），其中R表示烷基，芳基或烷芳基。

公开(公告)号：US20100190104A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12601011

申请日：2008-05-21

申请人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

发明人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106

摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.

摘要翻译： 图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案， 烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案 图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

公开(公告)号：US20120244478A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13489683

申请日：2012-06-06

申请人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

发明人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

摘要： A resist pattern formation method includes providing a first positive-tone radiation-sensitive resin composition on a substrate to form a first resist layer. The first resist layer is selectively exposed and developed to form a first resist pattern. The first resist pattern is coated with a resist pattern insolubilizing resin composition which comprises a resin and an alcohol solvent, the resin having a hydroxyl group. The resist pattern insolubilizing resin composition is baked or cured with UV to insolubilize the first resist pattern in a developer and in a second positive-tone radiation-sensitive resin composition. The resist pattern insolubilizing resin composition is developed to form an insolubilized resist pattern. The second positive-tone radiation-sensitive resin composition is provided on the insolubilized resist pattern to form a second resist layer. The second resist layer is selectively exposed and developed to form a second resist pattern.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括在基板上提供第一正色散辐射敏感树脂组合物以形成第一抗蚀剂层。 第一抗蚀剂层被选择性地曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂图案涂覆有抗蚀剂图案不溶化树脂组合物，其包含树脂和醇溶剂，该树脂具有羟基。 抗蚀剂图案不溶化树脂组合物用UV烘烤或固化，以使显影剂中的第一抗蚀图案和第二正色辐射敏感树脂组合物不溶化。 抗蚀剂图案不溶化树脂组合物被显影以形成不溶的抗蚀剂图案。 在不溶解的抗蚀剂图案上设置第二正色辐射敏感性树脂组合物以形成第二抗蚀剂层。 第二抗蚀剂层被选择性地曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20100323292A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12526045

申请日：2008-03-11

申请人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

发明人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

摘要： A resist pattern formation method includes (1) a step of forming a first resist pattern which includes forming a first resist layer on a substrate, selectively exposing the first resist layer to radiation through a mask, and developing the exposed first resist layer, (2) a step of insolubilizing the first resist pattern by coating the first resist pattern with a resist pattern insolubilizing resin composition, baking or curing with UV, and developing the resist pattern insolubilizing resin composition, (3) a step of forming a second resist layer on the insolubilized resist pattern and selectively exposing the second resist layer to radiation through a mask, and (4) a step of developing the exposed second resist layer to form a second resist pattern.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括：（1）形成第一抗蚀剂图案的步骤，该第一抗蚀剂图案包括在基板上形成第一抗蚀剂层，通过掩模选择性地将第一抗蚀剂层暴露于辐射，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影 ）通过用抗蚀剂图案不溶化树脂组合物涂布第一抗蚀剂图案，用UV烘烤或固化并使抗蚀剂图案不溶化树脂组合物显影来使第一抗蚀剂图案不溶化的步骤，（3）形成第二抗蚀剂层的步骤 所述不溶化抗蚀剂图案并且通过掩模选择性地暴露所述第二抗蚀剂层以及（4）使所述暴露的第二抗蚀剂层显影以形成第二抗蚀剂图案的步骤。

公开(公告)号：US20100009292A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12525816

申请日：2008-02-20

申请人： Tomoki Nagai ,  Atsushi Nakamura ,  Takayoshi Abe ,  Makoto Sugiura

发明人： Tomoki Nagai ,  Atsushi Nakamura ,  Takayoshi Abe ,  Makoto Sugiura

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A resin composition which can increase the pattern shrink rate while maintaining the advantages of capability of effectually and precisely micronizing the resist pattern gaps irrespective of the surface conditions of the substrate and forming resist patterns exceeding the wavelength limit economically at low cost in a good condition having only small defects, and a method of efficiently forming a micropattern using the resin composition are disclosed. The resin composition for forming a micropattern includes a hydroxyl group-containing resin, a crosslinking component, and an alcohol solvent which contains an alcohol and not more than 10 mass % of water relative to the total solvent. The crosslinking component includes a compound having two or more acryloyloxy groups in the molecule.

摘要翻译： 可以提高图案收缩率的树脂组合物，同时保持有效地和精确地微细化抗蚀剂图案间隙的能力的优点，而不管基材的表面条件如何，并且在良好的条件下以低成本在经济上形成超过波长极限的抗蚀剂图案， 公开了仅有小的缺陷，以及使用该树脂组合物有效地形成微图案的方法。 用于形成微图案的树脂组合物包括含羟基的树脂，交联组分和醇溶剂，其相对于总溶剂含有醇且不超过10质量％的水。 交联组分包括在分子中具有两个或更多个丙烯酰氧基的化合物。

公开(公告)号：US08206894B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12841988

申请日：2010-07-22

申请人： Takayoshi Abe ,  Atsushi Nakamura ,  Gouji Wakamatsu

发明人： Takayoshi Abe ,  Atsushi Nakamura ,  Gouji Wakamatsu

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  Y10S430/106

摘要： A resist pattern-forming method includes forming a first resist pattern using a first positive-tone radiation-sensitive resin composition. A resist pattern-miniaturizing resin composition is applied to the first resist pattern. The resist pattern-miniaturizing resin composition applied to the first resist pattern is baked and developed to form a second resist pattern that is miniaturized from the first resist pattern. A resist pattern-insolubilizing resin composition is applied to the second resist pattern. The resist pattern-insolubilizing resin composition applied to the second resist pattern is baked and washed to form a third resist pattern that is insoluble in a developer and a second positive-tone radiation-sensitive resin composition. A second resist layer is formed on the third resist pattern using the second positive-tone radiation-sensitive resin composition. The second resist layer is exposed and developed to form a fourth resist pattern.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括使用第一正性感光树脂组合物形成第一抗蚀剂图案。 将抗蚀剂图案 - 小型化树脂组合物施加到第一抗蚀剂图案。 施加到第一抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案 - 小型化树脂组合物被烘焙和显影以形成从第一抗蚀剂图案小型化的第二抗蚀剂图案。 将抗蚀剂图案不溶化树脂组合物施加到第二抗蚀剂图案。 将施加到第二抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案不溶化树脂组合物进行烘烤和洗涤以形成不溶于显影剂的第三抗蚀剂图案和第二正色辐射敏感性树脂组合物。 使用第二正性感光树脂组合物在第三抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂层。 第二抗蚀剂层被曝光和显影以形成第四抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US09051355B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13636410

申请日：2011-03-23

申请人： Kouji Tamori ,  Tetsuo Fukuta ,  Masaaki Miyaji ,  Yong Wang ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Takahiro Kawai

发明人： Kouji Tamori ,  Tetsuo Fukuta ,  Masaaki Miyaji ,  Yong Wang ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Takahiro Kawai

IPC分类号： A61K38/00 ,  C07K1/22 ,  B01D15/38 ,  B01J20/286 ,  B01J20/288 ,  B01J20/32

CPC分类号： C07K1/22 ,  B01D15/3804 ,  B01J20/286 ,  B01J20/288 ,  B01J20/3219 ,  B01J20/3274 ,  C07K2317/10

摘要： Provided are a filler for affinity chromatography which has excellent alkali resistance, and a method for isolating immunoglobulin. The filler for affinity chromatography is a filler in which a protein represented by the following formula (1) is immobilized on a carrier. R—R2  (1) wherein R represents an amino acid sequence consisting of 4 to 300 amino acid residues containing a region consisting of 4 to 20 contiguous histidine residues; and R2 represents an amino acid sequence capable of binding to immunoglobulin, the amino acid sequence consisting of 50 to 500 amino acid residues containing Z domain of Protein A or a fragment thereof, or a variant thereof, provided that the R binds to C-terminus or N-terminus of the R2.

摘要翻译： 提供了具有优异的耐碱性的亲和色谱法的填充剂和分离免疫球蛋白的方法。 用于亲和层析的填料是其中由下式（1）表示的蛋白质固定在载体上的填料。 R-R2（1）其中R表示由4至300个氨基酸残基组成的氨基酸序列，其含有由4至20个连续组氨酸残基组成的区域; 并且R 2表示能够结合免疫球蛋白的氨基酸序列，所述氨基酸序列由含有蛋白A的Z结构域或其片段的50至500个氨基酸残基或其变体组成，条件是R与C-末端结合 或R2的N-末端。

公开(公告)号：US20130085199A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13638751

申请日：2011-03-29

申请人： Kouji Tamori ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Hiroshi Kawai ,  Satoshi Hyugaji ,  Tomonori Shiotani ,  Kazuhiro Ikkyu ,  Yong Wang

发明人： Kouji Tamori ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Hiroshi Kawai ,  Satoshi Hyugaji ,  Tomonori Shiotani ,  Kazuhiro Ikkyu ,  Yong Wang

IPC分类号： C08F220/00 ,  C07K1/22 ,  C08F8/00

CPC分类号： B01D15/3804 ,  B01J20/265 ,  B01J20/286 ,  C08F8/00 ,  C08F220/26 ,  Y10T428/2982

摘要： Provided is a filler for affinity chromatography having a high dynamic binding capacity for proteins and having excellent alkali resistance and storage stability. The filler for affinity chromatography of the present invention comprises a porous particle consisting of a copolymer of 40 parts to 99.5 parts by mass of (M-1) a methacryloyl group-containing vinyl monomer that contains a hydroxyl group and does not contain an epoxy group, 0.5 parts to 30 parts by mass of (M-2) an epoxy group-containing vinyl monomer, 0 parts to 59.5 parts by mass of (M-3) a methacryloyl group-containing vinyl monomer which is other than the monomers (M-1) and (M-2), and 0 parts to 25 parts by mass of (M-4) a vinyl monomer other than the monomers (M-1), (M-2) and (M-3) (with the proviso that the total amount of the contents of (M-1), (M-2), (M-3) and (M-4) is 100 parts by mass); ring-opened epoxy group obtainable by ring-opening of epoxy group that is contained in the copolymer; and ligand that is bound to the porous particle.

摘要翻译： 本发明提供一种对蛋白质具有高动态结合能力并具有优异的耐碱性和储存稳定性的亲和层析用填料。 本发明的亲和层析用填料包含由40〜99.5质量份的含有甲基丙烯酰基的含有甲基丙烯酰基的乙烯基单体（不含有环氧基）的（M-1）共聚物构成的多孔质粒子 ，（M-2）含有环氧基的乙烯基单体0.5〜30质量份，除了单体（M）以外的（M-3）含有甲基丙烯酰基的乙烯基单体的（M-3） -1）和（M-2）和0〜25质量份（M-4）除了单体（M-1），（M-2）和（M-3） 条件是（M-1），（M-2），（M-3）和（M-4）的含量的总量为100质量份） 通过共聚物中包含的环氧基开环获得的开环环氧基; 和与多孔颗粒结合的配体。

公开(公告)号：US20110262748A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13121124

申请日：2009-09-24

申请人： Kouji Tamori ,  Tetsuo Fukuta ,  Masaaki Miyaji ,  Yong Wang ,  Takayoshi Abe ,  Yuusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Takahiro Kawai

发明人： Kouji Tamori ,  Tetsuo Fukuta ,  Masaaki Miyaji ,  Yong Wang ,  Takayoshi Abe ,  Yuusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Takahiro Kawai

IPC分类号： B01D15/38 ,  C08F24/00

CPC分类号： C07K1/22 ,  B01J20/286 ,  B01J20/321 ,  B01J20/3219 ,  B01J20/3274 ,  Y10T428/29

摘要： An affinity chromatography packing material includes porous mother particles that include a copolymer of a monomer mixture including a crosslinkable vinyl monomer and an epoxy group-containing vinyl monomer, a ligand being bound to the porous mother particles, and the porous mother particles including a ring-opening epoxy group produced by ring-opening of the epoxy group included in the porous mother particles.

摘要翻译： 亲和层析填充材料包括多孔母体颗粒，其包括包含可交联乙烯基单体和含环氧基的乙烯基单体的单体混合物的共聚物，与多孔母体颗粒结合的配体，以及多孔母体颗粒， 开环环氧基，其由包含在多孔母体颗粒中的环氧基开环制得。