公开(公告)号：US20140353851A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14369732

申请日：2012-05-08

申请人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

发明人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/02 ,  C03C8/04 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/291 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/56 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO and at least two oxides of alkaline earth metals selected from a group consisting of CaO, MgO and BaO, and substantially contains none of Pb, As, Sb, Li, Na and K, wherein an average linear expansion coefficient within a temperature range of 50° C. to 550° C. falls within a range of 3.33×10−6 to 4.13×10−6. A semiconductor device having high breakdown strength can be manufactured using such a glass material containing no lead in the same manner as a conventional case where “a glass material containing lead silicate as a main component” is used.

摘要翻译： 本发明提供一种用于保护半导体结的玻璃组合物，其至少含有SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO和至少两种选自CaO，MgO和BaO的碱土金属的氧化物，并且基本上不含有Pb，As ，Sb，Li，Na和K，其中在50℃至550℃的温度范围内的平均线膨胀系数在3.33×10 -6至4.13×10 -6的范围内。 与使用“含有硅酸铅作为主要成分的玻璃材料”的常规情况相同的方式，可以使用不含铅的玻璃材料制造具有高击穿强度的半导体器件。

公开(公告)号：US09570408B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US14369729

申请日：2012-05-08

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Koji Ito ,  Kazuhiko Ito ,  Koya Muyari

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Koji Ito ,  Kazuhiko Ito ,  Koya Muyari

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/861 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  H01L21/02 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/24 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A resin-sealed semiconductor device 10 of the present invention includes: a mesa-type semiconductor element 100 which includes a mesa-type semiconductor base body having a pn-junction exposure portion in an outer peripheral tapered region which surrounds a mesa region, and a glass layer which covers at least the outer peripheral tapered region; and a molding resin 40 which seals the mesa-type semiconductor element 100, wherein the mesa-type semiconductor element 100 includes a glass layer which substantially contains no Pb as the glass layer. The resin-sealed semiconductor device of the present invention can acquire higher resistance to a reverse bias at a high temperature than a conventional resin-sealed semiconductor device, although the resin-sealed semiconductor device of the present invention has the structure where the mesa-type semiconductor element is molded with a resin in the same manner as the conventional resin-sealed semiconductor device.

摘要翻译： 本发明的树脂密封型半导体装置10包括：台面型半导体元件100，其包括在包围台面区域的外周锥形区域中具有pn结曝光部的台面型半导体基体， 至少覆盖外周锥形区域的玻璃层; 以及密封台面型半导体元件100的模制树脂40，其中台面型半导体元件100包括基本上不含Pb作为玻璃层的玻璃层。 本发明的树脂密封型半导体装置虽然能够比现有的树脂密封型半导体装置在高温下的反偏压性能更高，但是本发明的树脂密封型半导体装置具有台面型 半导体元件以与传统的树脂密封半导体器件相同的方式用树脂模制。

公开(公告)号：US09099483B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13883916

申请日：2012-01-31

申请人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

发明人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/311 ,  H01L23/00 ,  C03C3/093 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02 ,  C03C3/066 ,  C03C3/04 ,  H01L21/306 ,  H01L23/29 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/04 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/06181

摘要： A glass composition for protecting a semiconductor junction contains at least SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, and at least two oxides of alkaline earth metal selected from the group consisting of CaO, MgO and BaO, and substantially contains none of Pb, P, As, Sb, Li, Na and K.

摘要翻译： 用于保护半导体结的玻璃组合物至少含有SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO和至少两种选自CaO，MgO和BaO的碱土金属氧化物，并且基本上不含有Pb，P，As ，Sb，Li，Na和K.

公开(公告)号：US09318401B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14369732

申请日：2012-05-08

申请人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

发明人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

IPC分类号： C03C3/076 ,  B32B17/00 ,  H01L21/00 ,  H01L23/29 ,  H01L29/66 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  C03C8/04 ,  H01L21/56 ,  C03C3/093 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/291 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/56 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO and at least two oxides of alkaline earth metals selected from a group consisting of CaO, MgO and BaO, and substantially contains none of Pb, As, Sb, Li, Na and K, wherein an average linear expansion coefficient within a temperature range of 50° C. to 550° C. falls within a range of 3.33×10−6 to 4.13×10−6. A semiconductor device having high breakdown strength can be manufactured using such a glass material containing no lead in the same manner as a conventional case where “a glass material containing lead silicate as a main component” is used.

摘要翻译： 本发明提供一种用于保护半导体结的玻璃组合物，其至少含有SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO和至少两种选自CaO，MgO和BaO的碱土金属的氧化物，并且基本上不含有Pb，As ，Sb，Li，Na和K，其中在50℃至550℃的温度范围内的平均线膨胀系数在3.33×10 -6至4.13×10 -6的范围内。 与使用“含有硅酸铅作为主要成分的玻璃材料”的常规情况相同的方式，可以使用不含铅的玻璃材料制造具有高击穿强度的半导体器件。

公开(公告)号：US20140361416A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：US14369729

申请日：2012-05-08

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Koji Ito ,  Kazuhiko Ito ,  Koya Muyari

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Koji Ito ,  Kazuhiko Ito ,  Koya Muyari

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/861 ,  C03C8/04 ,  H01L21/02 ,  C03C8/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A resin-sealed semiconductor device 10 of the present invention includes: a mesa-type semiconductor element 100 which includes a mesa-type semiconductor base body having a pn-junction exposure portion in an outer peripheral tapered region which surrounds a mesa region, and a glass layer which covers at least the outer peripheral tapered region; and a molding resin 40 which seals the mesa-type semiconductor element 100, wherein the mesa-type semiconductor element 100 includes a glass layer which substantially contains no Pb as the glass layer. The resin-sealed semiconductor device of the present invention can acquire higher resistance to a reverse bias at a high temperature than a conventional resin-sealed semiconductor device, although the resin-sealed semiconductor device of the present invention has the structure where the mesa-type semiconductor element is molded with a resin in the same manner as the conventional resin-sealed semiconductor device.

摘要翻译： 本发明的树脂密封型半导体装置10包括：台面型半导体元件100，其包括在包围台面区域的外周锥形区域中具有pn结曝光部的台面型半导体基体， 至少覆盖外周锥形区域的玻璃层; 以及密封台面型半导体元件100的模制树脂40，其中台面型半导体元件100包括基本上不含Pb作为玻璃层的玻璃层。 本发明的树脂密封型半导体装置虽然能够比现有的树脂密封型半导体装置在高温下的反偏压性能更高，但是本发明的树脂密封型半导体装置具有台面型 半导体元件以与传统的树脂密封半导体器件相同的方式用树脂模制。

公开(公告)号：US09159549B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13582215

申请日：2011-05-26

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/29 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31 ,  H01L21/762 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/022 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/564 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO2, Al2O3, ZnO, CaO and 3 mol % to 10 mol % of B2O3, and substantially contains none of Pb, P, As, Sb, Li, Na and K. It is preferable that a content of SiO2 falls within a range of 32 mol % to 48 mol %, a content of Al2O3 falls within a range of 9 mol % to 13 mol %, a content of ZnO falls within a range of 18 mol % to 28 mol %, a content of CaO falls within a range of 15 mol % to 23 mol %, and a content of B2O3 falls within a range of 3 mol % to 10 mol %.

摘要翻译： 本发明提供一种用于保护半导体结的玻璃组合物，其至少包含SiO 2，Al 2 O 3，ZnO，CaO和3mol％至10mol％的B 2 O 3，并且基本上不含Pb，P，As，Sb，Li，Na和K 优选SiO 2的含量在32摩尔％〜48摩尔％的范围内，Al 2 O 3的含量在9摩尔％〜13摩尔％的范围内，ZnO的含量在18摩尔的范围内 〜28摩尔％，CaO的含量在15摩尔％〜23摩尔％的范围内，B 2 O 3的含量在3摩尔％〜10摩尔％的范围内。

公开(公告)号：US20130075873A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13582215

申请日：2011-05-26

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

IPC分类号： H01L21/02 ,  C03C3/093 ,  C03C3/066 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L21/022 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/564 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO2, Al2O3, ZnO, CaO and 3 mol % to 10 mol % of B2O3, and substantially contains none of Pb, P, As, Sb, Li, Na and K. It is preferable that a content of SiO2 falls within a range of 32 mol % to 48 mol %, a content of Al2O3 falls within a range of 9 mol % to 13 mol %, a content of ZnO falls within a range of 18 mol % to 28 mol %, a content of CaO falls within a range of 15 mol % to 23 mol %, and a content of B2O3 falls within a range of 3 mol % to 10 mol %.

摘要翻译： 本发明提供一种用于保护半导体结的玻璃组合物，其至少包含SiO 2，Al 2 O 3，ZnO，CaO和3mol％至10mol％的B 2 O 3，并且基本上不含Pb，P，As，Sb，Li，Na和K 优选SiO 2的含量在32摩尔％〜48摩尔％的范围内，Al 2 O 3的含量在9摩尔％〜13摩尔％的范围内，ZnO的含量在18摩尔的范围内 〜28摩尔％，CaO的含量在15摩尔％〜23摩尔％的范围内，B 2 O 3的含量在3摩尔％〜10摩尔％的范围内。

公开(公告)号：US09006113B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13811447

申请日：2011-08-29

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L29/06 ,  C03C3/066 ,  C03C3/087 ,  C03C8/02 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/761 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C03C3/066 ,  C03C3/087 ,  C03C8/02 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/761

摘要： A glass composition for protecting a semiconductor junction contains at least SiO2, Al2O3, MO, and nickel oxide, and substantially contains none of Pb, P, As, Sb, Li, Na and K (M in MO indicates one of alkali earth metals).

摘要翻译： 用于保护半导体结的玻璃组合物至少含有SiO 2，Al 2 O 3，MO和氧化镍，并且基本上不含有Pb，P，As，Sb，Li，Na和K（MO中的M表示碱土金属之一） 。

公开(公告)号：US20130154064A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13811447

申请日：2011-08-29

申请人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

发明人： Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito ,  Koji Ito

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C03C3/066 ,  C03C3/087 ,  C03C8/02 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/761

摘要： A glass composition for protecting a semiconductor junction contains at least SiO2, Al2O3, MO, and nickel oxide, and substantially contains none of Pb, P, As, Sb, Li, Na and K (M in MO indicates one of alkali earth metals).

摘要翻译： 用于保护半导体结的玻璃组合物至少含有SiO 2，Al 2 O 3，MO和氧化镍，并且基本上不含有Pb，P，As，Sb，Li，Na和K（MO中的M表示碱土金属之一） 。

公开(公告)号：USD940360S1

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：US29714094

申请日：2019-11-21

申请人： Kazuhiko Ito

设计人： Kazuhiko Ito